[发明专利]采用T型栅结构的浮栅闪存器件及其制造工艺方法无效
| 申请号： | 200810044020.3 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101740638A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林钢;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用T型栅结构的浮栅闪存器件，由下至上依次包括：隧穿氧化层、多晶硅浮栅层和ONO层，ONO层和多晶硅浮栅层中间被刻蚀成一凹槽，在该凹槽的多晶硅浮栅层侧壁形成栅氧化层，多晶硅覆盖在浮栅上方和该凹槽中，形成T型栅结构的多晶硅电极。此外，本发明还公开了上述采用T型栅结构的浮栅闪存器件的制造工艺方法。本发明通过栅氧化层和多晶硅层的物理隔离，实现了浮栅闪存单元镜像存储，使存储密度加倍。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 结构 闪存 器件 及其 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种采用T型栅结构的浮栅闪存器件，由下至上依次包括：隧穿氧化层、多晶硅浮栅层和ONO层，其特征在于，所述ONO层和多晶硅浮栅层中间被刻蚀成一凹槽，在该凹槽的多晶硅浮栅层侧壁形成栅氧化层，多晶硅覆盖在浮栅上方和该凹槽中，形成T型栅结构的多晶硅电极。
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