[发明专利]半导体硅片对准标记制作方法及其制作的半导体硅片无效
| 申请号： | 200810043997.3 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740323A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硅片对准标记的制作方法，在半导体硅片背面淀积一层发光材料，之后在硅片背面进行光刻，然后刻蚀制作出对准标记，去除光刻胶。本发明还公开了一种半导体硅片，所述半导体硅片背面设置有对准标记，所述对准标记由发光材料制作。本发明通过将对准标记设置在半导体硅片的背面，大大节约了硅片正面的使用面积，固定对准标记的安放位置，并且使得对准信号不受不同产品和不同工艺的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 对准 标记 制作方法 及其 制作 | ||
【主权项】：
一种半导体硅片对准标记的制作方法，其特征在于，在半导体硅片背面淀积一层发光材料，之后在硅片背面进行光刻，然后刻蚀制作出对准标记，去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
