[发明专利]形成半导体器件的接触孔的方法无效
| 申请号： | 200710302250.0 | 申请日： | 2007-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101246845A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 郑宇荣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了形成半导体器件的接触孔的方法。在由于形成半导体器件的接触孔的硬掩模形成过程时，通过使用光刻胶图案的曝光工艺形成第一图案。使用非晶碳层在第一图案的侧壁上形成具有预定厚度的隔离物。填隙在包括所述隔离物的第一图案之间的空间以形成第二图案。因此，可以形成具有曝光设备分辨率或更小间距的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体存储器件的接触孔的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成蚀刻停止层，其中在所述半导体衬底和所述蚀刻停止层之间形成层间绝缘膜和硬掩模膜；在所述蚀刻停止层上形成第一图案；在所述第一图案的侧壁上形成隔离物；通过在所述隔离物之间用绝缘膜填隙以形成第二图案；除去接触孔区域的所述隔离物；和通过利用所述第一图案、所述第二图案和所述隔离物作为蚀刻阻挡层的蚀刻工艺来形成接触孔，所述半导体衬底通过所述接触孔而暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
