[发明专利]晶体管器件中浅结制作方法无效
| 申请号： | 200710094430.4 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459078A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管器件中浅结制作方法，通过在硅衬底上形成源漏区凹槽，然后在所述源漏区凹槽内形成位于二氧化硅之上的多晶硅构成的源漏区，从而实现了可以很好得控制晶体管源漏区结深，实现超浅结的制作，并且从很大程度上减少了源漏区的结电容。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 中浅结 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管器件中浅结制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上面形成栅极，并在所述栅极的两侧形成侧墙；对所述硅衬底顶部位于栅极侧墙两侧的位置进行刻蚀，形成源漏区凹槽；在硅片上淀积一层二氧化硅层，然后对所述二氧化硅层进行刻蚀，使得只在所述源漏区凹槽内保留有二氧化硅层；在硅片上再淀积一层多晶硅，然后对所述多晶硅进行刻蚀，使得只有所述源漏区凹槽内的二氧化硅层上保留有多晶硅，构成晶体管的源漏区；对所述源漏区进行离子注入，并进行激活。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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