[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法。在以往构造中，在设置于连接插塞上的绝缘层的开口部内淀积导电膜时，导电膜有可能在连接插塞的表面和开口部的内表面上不能连续形成，可能导致连接插塞与导电膜的电连接可靠性降低。在本发明中，配置有连接插塞的连接插塞区域具有由第1长度方向和第1宽度方向形成的长尺形状，从设置于连接插塞上的绝缘层的开口部露出的开口区域具有由第2长度方向和第2宽度方向形成的长尺形状，在设置开口部时的蚀刻工序中，配置成：连接插塞区域的第1长度方向与开口区域的第2长度方向形成规定角度地交叉。由此，可提高连接插塞与淀积在开口部内的导电膜的电连接可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成在基底层上的第1绝缘层上，形成表面从上述第1绝缘层露出、且贯穿上述第1绝缘层地与上述基底层电连接的导电性连接插塞的工序；在上述连接插塞的上述表面上和上述第1绝缘层上，形成第2绝缘层的工序；在上述第2绝缘层上，设置露出上述连接插塞和上述第1绝缘层的开口部的蚀刻工序；在上述第2绝缘层上和上述开口部内淀积导电膜的工序；和将所淀积的上述导电膜图形化而在上述第2绝缘层上形成与上述连接插塞电连接的布线层的工序；上述连接插塞的作为上述表面的连接插塞区域，具有由第1长度方向和第1宽度方向形成的长尺形状，从上述开口部露出的开口区域具有由第2长度方向和第2宽度方向形成的长尺形状，在上述蚀刻工序中，对上述开口部进行对位，使得上述连接插塞区域的上述第1长度方向与上述开口区域的上述第2长度方向形成规定角度地交叉。