[发明专利]金属选择性蚀刻液有效
| 申请号： | 200610075444.7 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1847457A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀树;黑岩健次;加藤胜 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题，并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液，其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比，安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液，其为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。
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- 施建根 - 通富微电子股份有限公司
- 2016-12-29 - 2019-09-20 - C23F1/14
- 本发明公开了一种蚀刻液、半导体封装器件及半导体封装器件的制备方法，所述蚀刻液包括0.5‑5质量份的颗粒，所述颗粒为实心结构，所述颗粒的粒径为1‑10nm；或者，所述颗粒为多孔结构，所述颗粒的所述多孔结构的孔径为1‑10nm；所述半导体封装器件包括金属再布线层，所述金属再布线层的表面通过所述的蚀刻液蚀刻处理。通过上述方式，本发明能够增加金属再布线层与其上方材料的结合力。
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