[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610074659.7 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101060099A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李坤宪;黄正同;洪文翰;丁世汎;郑礼贤;郑子铭;梁佳文 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，首先提供一基底，此基底上已形成有第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管以及核心第二型金氧半晶体管。然后，形成第一应力层，以覆盖住基底、第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管与核心第二型金氧半晶体管。接着，至少移除核心第二型金氧半晶体管上的第一应力层，以至少保留第一型金氧半晶体管上的第一应力层。随后，于核心第二型金氧半晶体管上形成第二应力层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括：提供基底，该基底上已形成有第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管以及核心第二型金氧半晶体管；形成第一应力层，以覆盖住该基底、该第一型金氧半晶体管、该输出输入第二型金氧半晶体管与该核心第二型金氧半晶体管；至少移除该核心第二型金氧半晶体管上的该第一应力层，以至少保留该第一型金氧半晶体管上的该第一应力层；以及于该核心第二型金氧半晶体管上形成第二应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
