[发明专利]半导体存储器之电容器结构的制备方法有效
| 申请号： | 200610072679.0 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101051625A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈昱企;杨能辉;陈锡杰 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡光星 |
| 地址： | 台湾省新竹市科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体存储器之电容器结构的制备方法，其首先形成开口于介电结构中，且于该开口之内壁依次形成第一导电层、介电层及第二导电层而形成柱状电容器于该开口中。其次，进行蚀刻工艺以局部去除该第一导电层之上部使得该第一导电层之上端低于该第二导电层之上端，且去除该介电结构之预定部分。之后，形成覆盖该柱状电容器及该介电结构之介电层以电气隔离该第一导电层与该第二导电层，并去除该第二导电层上之介电层以及形成电连接该第二导电层之上端的第三导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 电容器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器之电容器结构的制备方法，其特征是包含下列步骤：形成开口于介电结构中；形成柱状电容器于该开口中，包含：形成第一导电层于该开口之内壁；形成第一介电层于该第一导电层表面；及形成第二导电层于该第一介电层表面；电气隔离该第一导电层与该第二二导电层；以及形成电连接该第二导电层之上端的第三导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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