[发明专利]具有多孔单晶层的半导体芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200610054736.2 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1832196A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 大汤静宪;滨田耕治;小此木坚祐;三宅秀治;神月靖;渡边正晴 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/3213;H01L21/30;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多孔 单晶层 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。
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