[发明专利]局部硅氧化隔离的制造工艺方法无效
| 申请号： | 200610030308.6 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131543A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;陈晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种局部硅氧化隔离的制造工艺方法，在现有的工艺中去除残余光刻胶之后，按照通常的侧墙工艺，在所有LOCOS区域沉积一层氮化硅层，再通过干法刻蚀在LOCOS开口区域开口两侧侧壁上形成侧墙结构，最后形成LOCOS结构。本发明能够缓解局部硅氧化隔离制程中出现鸟嘴的问题，尽量减小所占用的模块面积。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 氧化 隔离 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种局部硅氧化隔离的制造工艺方法，包括以下步骤：在硅基板上垫积上一层二氧化硅层，接着在二氧化硅层上再垫积上一层氮化硅层；通过一次光刻，把需要生长LOCOS的区域打开；用刻蚀工艺依次把光刻打开处的氮化硅层和二氧化硅层刻掉；去残余光刻胶；其特征在于：接着，淀积一层氮化硅层；通过氮化硅刻蚀在LOCOS区域内形成侧墙结构；利用热氧生长法通过硅和氧气的反应生长出一层二氧化硅层；最后将硅基板上其余区域的氮化硅层和二氧化硅层依次刻掉，形成LOCOS结构。
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