[发明专利]薄型绝缘半导体之绝缘间隙壁无效
| 申请号： | 200510070764.9 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1763970A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣;李文钦;杨育佳;葛崇祜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括半导体平台，位于介电层之上；栅极堆栈，形成于半导体平台之上；以及绝缘间隙壁，环绕半导体平台而形成以及填满位于半导体平台边缘之底切区域。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 间隙 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征是包含：半导体平台，位于一介电层之上；栅极堆栈，位于该半导体平台之上；以及绝缘间隙壁，围绕该半导体平台和填满位于该半导体平台边缘的底切区域。
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