[发明专利]在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法无效
| 申请号： | 200410069292.0 | 申请日： | 2004-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1725444A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 吕惠宾;何萌;相文峰;黄延红;陈正豪;周岳亮;程波林;金奎娟;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/08 | 分类号： | H01L21/08;C30B25/00;C30B29/24 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底，在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO3薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接从氢氟酸洗液中取出，并即刻装入外延装置中的进样室或外延室内；外延生长采用两步法，将铝酸镧材料直接外延生长在硅衬底上；或把在硅片上生长的铝酸镧作为缓冲层，然后外延生长YBCO、BaTiO3、LaMnO3、SrTiO3及其掺杂的BaTiO3、LaMnO3、SrTiO3等钙钛矿氧化物薄膜和多层膜。该材料具有良好的介电特性和很小的微波损耗，而且没有畴结构表面平整；制备方法工艺简单，解决了大尺寸的衬底问题。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 生长 铝酸镧 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料，其特征在于：包括以下组成：以n型或p型硅片为衬底，在硅衬底上外延生长铝酸镧LaAlO3薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410069292.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：绿化混凝土有效孔径的检测方法
- 下一篇：一种IP网络中重路由的实现方法
- 同类专利
- 烧结体、基板、电路基板及烧结体的制造方法-201880025596.7
- 门马旬;青木克之;高桥聪志 - 株式会社东芝;东芝高新材料公司
- 2018-04-17 - 2022-10-14 - H01L21/08
- 本发明的烧结体具备包含氮化硅的晶粒和晶界相。在一边对烧结体施加交流电压一边使交流电压的频率从50Hz到1MHz连续地变化而测定烧结体的介质损耗时，800kHz～1MHz的频带下的上述介质损耗的平均值ε
- 复合烧结体及复合烧结体的制造方法-202011160357.8
- 阿闭恭平 - 日本碍子株式会社
- 2020-10-27 - 2021-05-04 - H01L21/08
- 本发明提供复合烧结体及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备：以陶瓷为主材料的基材(即、主体部(21))、以及配置在主体部(21)的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含WC和TiN。由此，能够抑制电极(23)的电阻率增大，并且，能够使电极(23)与主体部(21)的热膨胀系数之差减小。结果，能够抑制由该热膨胀系数之差所引起的主体部(21)的裂纹、开裂等损伤。
- 液态玻璃的应用-201380079307.9
- 张于纯 - 张于纯
- 2013-09-06 - 2016-04-20 - H01L21/08
- 一种液态玻璃的应用，其将液态玻璃分别制成具有导电柱的基板、嵌埋有线路的基板及玻璃膜，由于液态玻璃拥有许多使用上较为方便的特性，所以除了能大幅减低制作成本之外，还能突破传统玻璃构形的限制，且可显著减少玻璃的厚度，而符合现今对电子产品轻薄短小的需求。
- 氮化物系半导体衬底及半导体装置-200610108309.8
- 大岛佑一 - 日立电线株式会社
- 2006-08-01 - 2007-06-13 - H01L21/08
- 本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×1018cm－3～3×1019cm－3，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体衬底上，外延生长氮化物系半导体来制成半导体装置。
- 硒同素异晶P.N或N.P型结构的感光大平板的制造工艺-200410053334.1
- 李金根;许梅华;李阳 - 李金根;许梅华;李阳
- 2004-08-02 - 2006-02-15 - H01L21/08
- 本发明公开了一种硒同素异晶P.N或N.P型结构的直接成像的感光大平板的制造工艺。该工艺将非晶硒和晶硒混合膜层、晶硒膜层制在导电平板上。这是一种全新的同素异晶构造的P.N或N.P型双层结构的光敏半导体，其特点是带电稳定电位高，成像质量好，工艺稳定，重复性强，易获得物理参数一致的膜层，有效地克服传统制膜工艺的制造难度大，成功率低、重复性、稳定性差，带电性能不稳定。电位也不理想的缺陷。对未来医学影像数字化的发展普及和提高起到了推波助澜的作用。
- 在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法-200410069292.0
- 吕惠宾;何萌;相文峰;黄延红;陈正豪;周岳亮;程波林;金奎娟;杨国桢 - 中国科学院物理研究所
- 2004-07-20 - 2006-01-25 - H01L21/08
- 本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底，在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO3薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接从氢氟酸洗液中取出，并即刻装入外延装置中的进样室或外延室内；外延生长采用两步法，将铝酸镧材料直接外延生长在硅衬底上；或把在硅片上生长的铝酸镧作为缓冲层，然后外延生长YBCO、BaTiO3、LaMnO3、SrTiO3及其掺杂的BaTiO3、LaMnO3、SrTiO3等钙钛矿氧化物薄膜和多层膜。该材料具有良好的介电特性和很小的微波损耗，而且没有畴结构表面平整；制备方法工艺简单，解决了大尺寸的衬底问题。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
