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[发明专利]烧结体、基板、电路基板及烧结体的制造方法-CN201880025596.7有效
发明人：门马旬;青木克之;高桥聪志 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明的烧结体具备包含氮化硅的晶粒和晶界相。在一边对烧结体施加交流电压一边使交流电压的频率从50Hz到1MHz连续地变化而测定烧结体的介质损耗时，800kHz～1MHz的频带下的上述介质损耗的平均值εA和100Hz～200Hz的频带下的上述介质损耗的平均值εB满足式：|εA‑εB|≤0.1。
烧结基板路基制造方法

[发明专利]复合烧结体及复合烧结体的制造方法-CN202011160357.8在审
发明人：阿闭恭平 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明提供复合烧结体及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备：以陶瓷为主材料的基材(即、主体部(21))、以及配置在主体部(21)的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含WC和TiN。由此，能够抑制电极(23)的电阻率增大，并且，能够使电极(23)与主体部(21)的热膨胀系数之差减小。结果，能够抑制由该热膨胀系数之差所引起的主体部(21)的裂纹、开裂等损伤。
复合烧结制造方法

[发明专利]液态玻璃的应用-CN201380079307.9在审
发明人：张于纯 -专利权人：张于纯
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种液态玻璃的应用，其将液态玻璃分别制成具有导电柱的基板、嵌埋有线路的基板及玻璃膜，由于液态玻璃拥有许多使用上较为方便的特性，所以除了能大幅减低制作成本之外，还能突破传统玻璃构形的限制，且可显著减少玻璃的厚度，而符合现今对电子产品轻薄短小的需求。
液态玻璃应用

[发明专利]氮化物系半导体衬底及半导体装置-CN200610108309.8有效
发明人：大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×10¹⁸cm^－3～3×10¹⁹cm^－3，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体衬底上，外延生长氮化物系半导体来制成半导体装置。
氮化物半导体衬底装置

[发明专利]硒同素异晶P.N或N.P型结构的感光大平板的制造工艺-CN200410053334.1无效
发明人：李金根;许梅华;李阳 -专利权人：李金根;许梅华;李阳
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒同素异晶P.N或N.P型结构的直接成像的感光大平板的制造工艺。该工艺将非晶硒和晶硒混合膜层、晶硒膜层制在导电平板上。这是一种全新的同素异晶构造的P.N或N.P型双层结构的光敏半导体，其特点是带电稳定电位高，成像质量好，工艺稳定，重复性强，易获得物理参数一致的膜层，有效地克服传统制膜工艺的制造难度大，成功率低、重复性、稳定性差，带电性能不稳定。电位也不理想的缺陷。对未来医学影像数字化的发展普及和提高起到了推波助澜的作用。
素异晶结构感光平板制造工艺

[发明专利]在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法-CN200410069292.0无效
发明人：吕惠宾;何萌;相文峰;黄延红;陈正豪;周岳亮;程波林;金奎娟;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底，在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO₃薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接从氢氟酸洗液中取出，并即刻装入外延装置中的进样室或外延室内；外延生长采用两步法，将铝酸镧材料直接外延生长在硅衬底上；或把在硅片上生长的铝酸镧作为缓冲层，然后外延生长YBCO、BaTiO₃、LaMnO₃、SrTiO₃及其掺杂的BaTiO₃、LaMnO₃、SrTiO₃等钙钛矿氧化物薄膜和多层膜。该材料具有良好的介电特性和很小的微波损耗，而且没有畴结构表面平整；制备方法工艺简单，解决了大尺寸的衬底问题。
衬底外延生长铝酸镧薄膜材料制备方法

[发明专利]形成半导体材料晶片的方法及其结构-CN200310122689.7无效
发明人：曾繁祺 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体材料晶片的方法及其结构。首先形成半导体材料的一铸块；并形成一第一介电层于铸块表面上，其中第一介电层表面大于铸块表面。再形成一第二介电层于第一介电层表面上，且第二介电层表面大于第一介电层表面。一种半导体晶片结构包含一片状核心，其以一半导体材料形成，其中片状核心具有一第一外周边；一第一环状部分与第一外周边相邻，其以一第一介电材料形成，其中第一环状部分具有一第二外周边大于第一外周边；一第二环状部分与第二外周边相邻，其以一第二介电材料形成，其中第二环状部分具有一第三外周边大于第二外周边。本发明可通过第一环状部分与第二环状部分巩固晶片避免产生边缘碎裂的情形。
形成半导体材料晶片方法及其结构

[发明专利]适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法-CN03150828.6无效
发明人：周圣明;徐军;王海丽;杨卫桥;李抒智;彭观良;周国清;宋词;杭寅;蒋成勇;赵广军;司继良 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn₂O₄构成。该复合衬底材料的制备方法是：在铂金坩埚内，放置有带气孔的MgIn₂O₄和In₂O₃混合料块；将双面抛光或单面抛光的MgO晶片置放或悬挂于铂金丝上，加上覆盖有MgIn₂O₄和In₂O₃混合粉料和热电偶的铂金片，坩埚顶部加铂金盖密闭后置于电阻炉中；电阻炉加热升温至800～1400℃，恒温20～100小时，通过In³⁺离子的扩散，使In₂O₃和MgO固相反应，可获得适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料。本发明的复合衬底材料MgIn₂O₄/MgO的制备工艺简单、易操作，适合于高质量GaN的外延生长。
适用于 inn gan 外延生长复合衬底材料及其制备方法

[发明专利]电子装置用衬底、电子装置用衬底的制造方法、及电子装置-CN03156519.0无效
发明人：樋口天光;岩下节也;宫泽弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO₂的生成速率。
电子装置衬底制造方法

[实用新型]外燃式氢氧合成氧化装置-CN02224095.0无效
发明人：袁章其 -专利权人：信息产业部电子第四十八研究所
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及外燃式氢氧合成氧化装置，其主要结构是，合成腔4的一端与工序管5连通而另一端为带接嘴7的管式氧气进气腔2，该腔2中有带接嘴8的管式氢气进气腔9且腔9的排气口11位于腔2中，腔9中置有装在外壳10中的热电偶1，腔2外侧装有点火炉3，腔4一侧有火焰传感器6。本装置用于半导体器件或集成电路制造前工序中在硅衬底上生长二氧化硅膜，它能使氢氧合成氧化在控制下进行，可安全生长品质优、均匀性好的膜层。
外燃式氢氧合成氧化装置

[发明专利]单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备-CN02122817.5无效
发明人：泉胜俊;中尾基;大林义昭;峯啓治;条邉文彦 -专利权人：大阪府;星电器制造株式会社
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种制造单晶碳化硅薄膜的设备，包括适于接受成膜用的SOI基材100的成膜室200、向成膜室200提供制造单晶碳化硅薄膜所需的各种气体G1－G4的供气装置300、用于处理供给成膜室200的作为惰性气体G1的氩气、作为烃基气体G2的丙烷气体、作为载气G3的氢气和氧气G4的气体处理装置500和控制成膜室200温度的温控装置400。
碳化硅薄膜制造方法设备

[发明专利]形成透明导电基板的方法-CN00133509.X无效
发明人：许江龙 -专利权人：赫飞科技开发股份有限公司
申请日： 2000-11-07 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：一种形成透明导电基板的方法。在第一透明基板的表面上陆续形成底层和透明导电薄膜;在第二透明基板的表面上形成保护层;在第二透明基板的第二表面上形成粘着层,并将第二透明基板与第一透明基板相粘着,第二透明基板以粘着层贴附至第一透明基板的第二表面。
形成透明导电方法

[发明专利]衬底及其制造方法-CN00105306.X无效
发明人：坂口清文;近江和明;柳田一隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-11-08 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：将具有多孔层的第一衬底键合到第二衬底上制备键合衬底叠层,在多孔层处将键合衬底叠层分成两个衬底,防止了分离步骤中存在的缺陷。该第一衬底内部具有多孔层(12),在多孔层上具有单晶硅层,在单晶硅层上具有SiO2层。将该衬底的外边缘部分氧化使单晶硅层的外边缘朝着内部进行再处理,其中单晶硅层(13a)的外边缘位于键合区域的外边缘之内。在多孔层(12)处将键合衬底叠层分成两个衬底。
衬底及其制造方法

[发明专利]分离装置、分离方法及制造半导体衬底的方法-CN00101846.9无效
发明人：近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆;栗栖裕和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。在分离键合衬底叠片(30)的外围部分时,喷嘴(112)位于范围(B)内。
分离装置方法制造半导体衬底

[发明专利]利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅-CN94115417.3无效
发明人：Ｃ·Ｊ·麦克拉克伦;Ａ·Ｌ·里沃利 -专利权人：哈里斯公司
申请日： 1994-08-17 - 公布日： 2000-03-29 - 主分类号： H01L21/08 文献下载
摘要：利用沟槽腐蚀方法和氮化硅层２０，为硅岛１８提供可控厚度和抛光停止层，在绝缘衬底８上面键合硅，提供具有均匀厚度的硅岛１８。
利用沟槽平面化方法绝缘体上键合亚微米

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