[发明专利]提高感测组件组装良品率的方法无效
| 申请号： | 03148713.0 | 申请日： | 2003-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1567542A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 邹明杰 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/027;H01L21/78;H01L27/146;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种提高感测组件组装良品率的方法，主要是利用光致抗蚀剂镀膜技术在一晶片上镀上一均匀的光致抗蚀剂保护膜，再经曝光显影保留在晶片的感测组件上的光致抗蚀剂保护膜，此保护膜具透明性质(透光率佳)，以消除机械应力对感测组件本身及封装过程对感测组件表面的伤害，以提升制程的良品率。再经过组件测试后，将光致抗蚀剂保护膜去除。此光致抗蚀剂保护膜的厚度可随着封装制程破坏能力的不同而改变。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 组件 组装 良品率 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高感测组件组装良品率的方法，可以在感测组件自晶片切割前即提供保护，此方法包含下列步骤a.在一具有感测组件的晶片上施加一光致抗蚀剂层；b.对于该光致抗蚀剂层设置一预定图案，使显影后剩余的光致抗蚀剂可以覆盖晶片上的感测组件；c.切割该晶片，使感测组件分离；d.进行打线作业；e.测试感测组件，如操作正常即可去除其上光致抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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