[发明专利]利用牺牲材料的半导体构造及其制造方法有效
| 申请号： | 02807474.2 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1531755A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 耶海尔·哥特基斯;戴维·魏;罗德尼·基斯特勒 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括一具有复数个晶体管装置的基板以及复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔。该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，使得该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔藉由一空气介电质而相互隔绝。该半导体装置更包括复数个支持短截部，其中每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 牺牲 材料 半导体 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：一基板，具有复数个晶体管装置；复数条铜交互连接金属化线与复数个导电通孔，界定于该半导体装置的复数个交互连接阶层中的每一阶层中，该复数条铜交互连接金属化线与该复数个导电通孔是藉由一空气介电质而相互隔绝；以及复数个支持短截部，该复数个支持短截部中的每一个是建构为形成一延伸经过该半导体装置的该复数个交互连接阶层的支持柱。
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