[发明专利]半导体元件结构无效
| 申请号： | 02103347.1 | 申请日： | 2002-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1435895A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 谢宗轩;张耀文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有中空封闭式栅极结构的金氧半导体。其中中空封闭式栅极位于半导体基底上，且中空封闭式栅极具有一中空封闭空间，栅极介电层位于中空封闭式栅极与基底之间。漏极区位于半导体基底中，并位于中空封闭空间内。源极区位于该半导体基底中而环绕着中空封闭式栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件结构，其特征为：包括：一基底；一中空封闭式栅极，位于该基底上，其中该中空封闭式栅极具有一中空封闭空间；一漏极区，位于该基底中，且该漏极区位于该中空封闭空间内；一源极区，位于该基底中，其中该源极区环绕着该中空封闭式栅极；以及一栅极介电层，位于该中空封闭式栅极与该基底之间。
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