[发明专利]沟槽栅费米阈值场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 01822207.2 | 申请日： | 2001-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1488173A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | M·W·登宁 | 申请（专利权）人： | 雷鸟技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立朋;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 场效应晶体管包括具有一个表面的第一导电类型的半导体衬底。第二导电类型的盆区位于半导体衬底表面处并从第一表面以第一深度扩展进入半导体衬底中。分隔开的第二导电类型的源区和漏区位于第二导电类型的盆区的该表面处以便与第二导电类型的盆区限定第二导电类型的单导电结。分隔开的源区和漏区以第二深度扩展进入盆区，第二深度小于第一深度。沟槽位于分隔开的源区和漏区之间的盆区中，并从表面扩展进入盆区直至第三深度，第三深度大于第二深度但小于第一深度。绝缘的栅电极位于沟槽中。在该表面上设置分别与源和漏区电接触的源和漏电极。可以通过在第一导电类型的半导体衬底的表面处形成第二导电类型的盆区、并且该盆区从该表面以第一深度扩展进入半导体衬底来制造这些场效应晶体管。在第二导电类型的盆区的表面处形成第二导电类型的源/漏区以便与第二导电类型的盆区限定第二导电类型的单导电结。源/漏区以第二深度扩展进入盆区，第二深度小于第一深度。在源/漏区中形成一沟槽以便由它来限定分隔开的源区和漏区。该沟槽从表面以第三深度扩展进入盆区，第三深度大于第二深度但小于第一深度。在沟槽中形成绝缘的栅电极。在表面上形成分别与源和漏区电接触的源和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 费米 阈值 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：具有一表面的第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的盆区，位于该半导体衬底中表面处并从该表面以第一深度扩展进入该半导体衬底；第二导电类型的分隔开的源区和漏区，位于第二导电类型的该盆区中表面处并与第二导电类型的该盆区限定第二导电类型的单导电结，该分隔开的源区和漏区以第二深度扩展进入该盆区，第二深度小于第一深度；沟槽，位于该分隔开的源区和漏区之间的该盆区中，并从该表面以第三深度扩展进入该盆区，第三深度大于第二深度但小于第一深度；绝缘的栅电极，位于该沟槽中；以及源电极和漏电极，分别电接触源区和漏区。
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