[发明专利]场效应器件的高速锗沟道异质结构有效
| 申请号： | 00804951.3 | 申请日： | 2000-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1343374A | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | J·O·楚 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,梁永 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述了一种用来制作高迁移率Ge沟道场效应晶体管的方法和层状异质结构,它在半导体衬底上组合有多个半导体层,且由压应变的外延Ge层组成的沟道结构具有更高的势垒即更深的限制量子阱,并具有极高的互补MODFET和MOSFET的空穴迁移率。本发明克服了仅仅具有单个压应变SiGe沟道层的p沟道器件的合金散射造成的空穴迁移率有限的问题。本发明除了具有从室温(425K)以上到可获得甚至更高器件性能的低温(0.4K)的宽广工作温度范围之外,还改善了深亚微米现有技术硅pMOSFET的迁移率和跨导。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 器件 高速 沟道 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用来制作p沟道场效应晶体管的层状结构，它包含：单晶衬底，由外延制作在所述衬底上的驰豫Si1-xGex组成的第一层，其中Ge的份额x为0.5-0.8，由外延制作在所述第一层上的掺杂的Si1-xGex组成的第二层，由外延制作在所述第二层上的不掺杂的Si1-xGex组成的第三层，由外延制作在所述第三层上的不掺杂的Si1-xGex组成第四层，由外延制作在所述第四层上的不掺杂的Si1-xGex组成的第五层，由外延制作在所述第五层上的Ge组成的第六层，所述第六层从而处于压应变下并相对于所述第一层的上表面具有小于其临界厚度的厚度，以及由外延制作在所述第六层上的Si1-xGex组成的第七层。
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