专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板支撑装置-CN202010322025.9在审
  • 朴天英;金盛珍;赵源锡 - 三星显示有限公司
  • 2020-04-22 - 2021-01-19 - H01L21/687
  • 本发明的一实施例的基板支撑装置包括:支撑框架,包括第一支撑部及第二支撑部,所述第二支撑部的至少一部分与所述第一支撑部相隔;销部件,用于支撑基板的下表面,并且包括与所述第一支撑部结合的多个第一支撑销及与所述第二支撑部结合的多个第二支撑销;以及驱动模块,沿所述基板的所述下表面的法线方向选择性地使所述第一支撑部及所述第二支撑部移动。因此,本发明在不更换设备的情况下能够应用到不同种类的基板上。
  • 支撑装置
  • [发明专利]一种曲面屏保护膜及其制作方法-CN202010324715.8在审
  • 邵嘎;陈智仁;刘兵;谢伟峡 - 江西蓝海芯科技集团有限公司
  • 2020-04-23 - 2021-01-19 - C09J7/29
  • 本发明公开了一种曲面保护膜及制作方法,曲面保护膜用于贴附在曲面屏上,其TPU膜设有加强层,加强层位于TPU膜的中央位置,镶嵌在TPU膜中,加强层与曲面屏的主屏等面积,有加强层的TPU贴在主屏上,TPU膜的两边能够贴附在曲面屏两边的曲面上。生产时,根据手机主屏尺寸裁切加强层,通过热压或涂布的方式把加强层镶嵌在TPU内,上面涂自修复层,另一面压敏胶层。由于加强层的设置,本发明既能解决贴膜难及贴膜后平整度问题,又能在曲面部分热弯贴合好,不回弹、不脱层,在长时间使用后或极端温度下,由于有加强层做支撑,TPU膜不会伸缩变形、脱层,更不会影响整个保护膜的表观,达到可以长期使用的目的。
  • 一种曲面屏保及其制作方法
  • [发明专利]非易失性存储器设备及其编程方法-CN202010370136.7在审
  • 金完东;朴镇宇;金成镇;南尚完 - 三星电子株式会社
  • 2020-04-30 - 2021-01-19 - G11C16/04
  • 公开了一种非易失性存储器设备的编程方法,所述非易失性存储器设备包括单元串,所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元,所述方法包括:执行第一编程阶段,包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或下方的其他字线;以及执行第二编程阶段,包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对第二存储器单元进行编程,所述第二存储器单元连接到比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线,将第二通过电压施加到所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述第二字线上方的第二字线组,所述第二通过电压低于所述第三通过电压。
  • 非易失性存储器设备及其编程方法
  • [发明专利]车辆-CN202010373756.6在审
  • 河野孝史;柳田歩;铃木浩史 - 株式会社斯巴鲁
  • 2020-05-06 - 2021-01-19 - B60L15/20
  • 本公开涉及一种车辆,能够抑制前轮马达或后轮马达的输出功率被限制。车辆(1)具备:前轮马达(12),驱动前轮(10);后轮马达(16),驱动后轮(14);温度检测部(36、38),检测前轮马达(12)的温度及后轮马达(16)的温度;以及分配比控制部(50),在前轮马达(12)的温度和后轮马达(16)的温度的任一个高于第二温度的情况下,使前轮马达(12)和后轮马达(16)中温度相对高的马达的扭矩低,使温度相对低的马达的扭矩高,第二温度设定为低于第一温度的值,第一温度是是否对前轮马达(12)及后轮马达(16)的输出功率进行限制的阈值。
  • 车辆
  • [发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010380640.5在审
  • 王培勋;陈仕承;林群雄;王志豪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-05-08 - 2021-01-19 - H01L21/8238
  • 一种方法包括:在半导体衬底上方形成外延半导体层,以及蚀刻外延半导体层和半导体衬底以形成半导体条,该半导体条包括用作心轴的上部和位于心轴下方的下部。上部是外延半导体层的剩余部分,并且下部是半导体衬底的剩余部分。该方法还包括从心轴的第一侧壁开始生长第一半导体鳍,从心轴的第二侧壁开始生长第二半导体鳍。第一侧壁和第二侧壁是心轴的相对侧壁。基于第一半导体鳍形成第一晶体管。基于第二半导体鳍形成第二晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
  • 半导体器件及其形成方法

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