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[发明专利]包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置-CN201610336434.8在审
发明人： M.巴特尔斯;M.莱姆克;R.鲁道夫;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，并且电压限制器件通过介电层与功率晶体管分开。
包括功率晶体管电压限制装置布置

[发明专利]半导体封装组件及其制造方法-CN201610277984.7在审
发明人：林子闳;彭逸轩;萧景文 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明提供半导体封装组件，半导体封装组件包含半导体封装。半导体封装包含半导体晶片。重布层结构设置于半导体晶片之上，且与半导体晶片电性连接。主动或被动元件设置于半导体晶片与重布层结构之间。模塑料围绕半导体晶片和主动或被动元件。本发明还提供半导体封装组件的制造方法，从而半导体封装组件的尺寸可大幅地缩减。
半导体封装组件及其制造方法

[发明专利]可扩展的电压源-CN201610322917.2在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种可扩展的电压源，具有相互串联连接的部分电压源，其中的每一个具有一个半导体二极管，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层，p吸收层被p掺杂的钝化层钝化，p掺杂的钝化层具有比p吸收层的带隙更大的带隙，半导体二极管具有n吸收层，n吸收层被n掺杂的钝化层钝化，n掺杂的钝化层具有比n吸收层的带隙更大的带隙；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，其具有多个半导体层，所述半导体层具有比p/n吸收层的带隙更大的带隙；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起且共同构成第一堆叠，在从堆叠的上侧向着下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
扩展电压

[发明专利]系统级封装芯片及其制备方法以及包含该芯片的设备-CN201610587376.6在审
发明人：梁海浪 -专利权人：美的智慧家居科技有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，公开了一种系统级封装芯片、包含该系统级封装芯片的设备以及该系统级封装芯片的制备方法，该系统级封装芯片包含：微控制器处理单元，该系统级封装芯片还包含以下一者或多者：温度传感器，用于将温度量转换为电信号，并将该电信号发送至所述微控制器处理单元；以及湿度传感器，用于将湿度量转换为电信号，并将该电信号发送至所述微控制器处理单元。通过上述技术方案，在系统封装芯片内封装温度传感器和/或湿度传感器，系统封装芯片具备温湿度检测的功能，从而可利用所检测的温湿度来进行相应的控制。
系统封装芯片及其制备方法以及包含设备

[发明专利]一种基于LTPS的COMS器件及其制作方法-CN201610794123.6在审
发明人：石龙强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于LTPS的COMS器件及其制作方法，该器件包括NMOS型LTPS，其中，在NMOS型LTPS的沟道内设置有用以降低电子在沟道内流通速度的PN结，用以避免热电子效应。本发明可以降低电子流通速度，避免热电子效应。
一种基于 ltps coms 器件及其制作方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置-CN201610876795.1在审
发明人：刘成伟;张心杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。一种阵列基板，包括：基板；位于所述基板上的第一导线；位于所述第一导线上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二导线，所述第一导线和所述第二导线在所述基板上的投影至少部分重叠，其中，所述第一导线和所述第二导线中的至少一者由多个间隔设置的导电段构成；以及用于电连接所述第一导线或所述第二导线的相邻导电段的连接部。
阵列及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统-CN201610328020.0在审
发明人：中塚俊介;铃木健太郎;矶部真里;板桥政次;关根康弘;铃木翔 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统。该固态图像拾取装置的制造方法包括：在形成第一传输晶体管的栅电极和第二传输晶体管的栅电极之后在基板之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过以使得第一绝缘膜保持在光电转换单元的半导体区域和电荷保持单元的半导体区域上的方式蚀刻第二绝缘膜，通过第一绝缘膜，分别在第一和第二传输晶体管的栅电极的侧表面上形成第一结构和第二结构；和形成覆盖第一传输晶体管的栅电极、电荷保持单元的半导体区域和第二传输晶体管的栅电极的遮光膜。
固态图像拾取装置及其制造方法包括系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510728966.1在审
发明人：让-皮埃尔·科林格;卡洛斯·H·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种制造Fin FET的方法，方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括上层，并且从隔离绝缘层暴露上层的一部分。在鳍结构的一部分上方形成栅极结构。在栅极结构和未被栅极结构覆盖的鳍结构上方形成非晶层。通过对非晶层进行部分地再结晶，在未被栅极结构覆盖的鳍结构上方形成再结晶层。去除未再结晶的剩余的非晶层。在再结晶层上方形成源极和漏极电极层。本发明还提供一种半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]生长多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构的方法-CN201610538707.7在审
发明人：吕耀安 -专利权人：无锡宏纳科技有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长多晶硅栅过分刻蚀的P型MOS管结构的方法，包括以下步骤：在p型的硅片上生长5um的p型外延层，并形成n阱；在n阱之上沉积隔离氧化层，生长氮化硅；之后刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽；在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽；对所沉积的氧化硅进行抛光；去除氮化硅；形成耗尽层；在多晶硅栅的下凹槽上生长栅氧化层，并在栅氧化层之上生长多晶硅栅；形成侧墙。注入磷离子，以形成源极和漏极。本发明公开了一种特殊结构的P型MOS管，为了使得其适应大多数IC电路的使用规律，将其制作成为了耗尽型MOS管，以适应栅极加正极电压的情况。
生长多晶过分刻蚀 mos 结构方法

[发明专利]一种利于封装的新型背接触电池装置-CN201610696199.5在审
发明人：张杰 -专利权人：四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种利于封装的新型背接触电池装置，包括硅片基体，硅片基体的背面设有用于形成P型发射极的P型掺杂层，P型掺杂层的外表面设有用于形成N型背场的N型非晶硅层，N型非晶硅层上覆盖有氮化硅钝化膜，P型掺杂层上覆盖有氮化硅钝化膜，硅片基体的背面还印刷有金属栅线；所述硅片基体的正面覆盖有氮化硅膜，所述N型非晶硅层的外表面依次层叠设有EVA膜、导电薄膜、玻璃基体，EVA膜与导电薄膜之间设有导电胶体，导电胶层通过设置在其上通孔与硅片基体的背面接触。本技术方案所述新型背接触电池，其结构简单，便于制作，在一定程度上降低了成本。
一种利于封装新型接触电池装置

[发明专利]一种稀土掺杂的晶体硅、其制备方法及太阳能电池-CN201610719064.6在审
发明人：肖贵云;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂的晶体硅，其特征在于，所述晶体硅为N型晶体硅或P型晶体硅；所述稀土元素为铒、钍、铈、镱和铥中的一种或几种；所述稀土元素的掺杂量为0.01ppba～1000ppba。本发明通过在P型或N型晶体硅中掺杂一定量的稀土元素，能够有效提高晶体硅的光谱吸收限，将晶体硅的吸收光谱由400～1100nm左右提高至1100nm以上的波长，增加太阳光的吸收率，从而提高了太阳能电池的光电转化效率。实验结果表明，本发明中的稀土掺杂的晶体硅制成的太阳能电池的光电转化效率提升了0.1％。本发明还提供了一种稀土掺杂的晶体硅的制备方法和太阳能电池。
一种稀土掺杂晶体制备方法太阳能电池

[发明专利]一种背接触太阳能电池组件及其制备方法和系统-CN201610682687.0在审
发明人：林建伟;刘志锋;孙玉海;季根华;王建明;朱桂祥;刘勇;张育政 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种背接触太阳能电池组件及其制备方法和系统。本发明的一种背接触太阳能电池组件，包括多块太阳能电池片，太阳能电池片的背表面的p+掺杂区域上设置p+电极，n+掺杂区域上设置n+电极，p+电极通过导电胶与p+焊带电连接，n+电极通过导电胶与n+焊带电连接，太阳能电池片与p+焊带和n+焊带之间设置有孔状绝缘层。其有益效果是：在焊带与电池金属电极之间设置孔状绝缘层，孔状绝缘层可以实现焊带与一种电极之间的电绝缘，同时又能透过具有流动性的导电胶，实现焊带与另一种极性的金属电极之间的电导通，无需额外设置绝缘层，就实现了焊带与正负电极之间的选择性电绝缘与电导通，极大简化了背接触太阳能电池组件的制作工艺。
一种接触太阳能电池组件及其制备方法系统

[发明专利]高功率异面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法-CN201610565310.7在审
发明人：郭辉;张晨旭;张玉明;杨佳奇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率异面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法。该光导开关，包括掺钒碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中掺钒碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；该掺钒碳化硅衬底(1)的上表面和斜边表面淀积有上氮化硅层(7)，掺钒碳化硅衬底(1)的下表面淀积下氮化硅层(8)，用于减少入射光在表面的反射，增加器件的耐压能力；该掺钒碳化硅衬底(1)的上部开有上凹槽(3)，掺钒碳化硅衬底(1)的下部开有下凹槽(4)，一对欧姆接触电极(5,6)分别嵌在这两个凹槽中。本发明具有边缘击穿少，载流子收集率高等优点，可用于高功率脉冲系统中。
功率电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法

[发明专利]高功率同面电极嵌入式台面型光导开关-CN201610565474.X在审
发明人：郭辉;杨佳奇;张玉明;张晨旭 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率同面电极嵌入式台面型光导开关及其制作方法，主要解决现有技术中光在器件中光程较短的问题。该光导开关包括半绝缘碳化硅衬底(1)和一对欧姆接触电极(5,6)，其中半绝缘碳化硅衬底(1)的一边为45°±2°的斜边，作为倾斜入射台面(2)；该半绝缘碳化硅衬底的上表面和斜边表面淀积氮化硅层(7)，用于减少入射光在表面的反射，同时增加器件的耐压能力；该半绝缘碳化硅衬底上部两端开有两个凹槽(3,4)，凹槽自表面上的氮化硅层(7)到半绝缘碳化硅衬底(1)的深度为3～5μm，一对欧姆接触电极(5,6)嵌在这两个凹槽(3,4)中。本发明在相同的电压条件下耐压能力更高，可用于高功率脉冲系统中。
功率电极嵌入式台面型光导开关

[发明专利]一种光伏组件及其制备工艺-CN201610575352.9在审
发明人：张鑫;勾宪芳;范维涛;黄青松;周肃;周袁 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏组件，包括若干个太阳能电池片切片，所述太阳能电池片切片由太阳能电池片沿平行于主栅线方向切割形成；同时公开了其制备工艺，包括对太阳能电池片进行焊接处理，沿平行于太阳能电池片主栅线方向进行激光划片形成切割道，按照切割道进行裂片；叠层，层压，装边框，装接线盒，测试。本发明克服现有太阳能领域的技术瓶颈和偏见，开创性地将太阳能切片方向设计在沿主栅线平行的方向，能够实现切片组件在线生产，减少了碎片，其产能较常规半电池组件产能有大幅度提升。
一种组件及其制备工艺

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