“V·科伦科”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]可扩展的电压源-CN202111000142.4在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种可扩展的电压源，具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层和n吸收层；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠；光在上侧处入射到堆叠，并且在堆叠上侧的照射面的尺寸基本上是所述堆叠在上侧处的面的尺寸；在300K的情况下，只要所述第一堆叠被具有特定波长的光子流照射，则第一堆叠具有大于3伏特的电源电压，在从所述堆叠的上侧向着堆叠下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
扩展电压

[发明专利]光电耦合器-CN201610405239.6有效
发明人： W·古特;D·富尔曼;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种光电耦合器，具有发送器部件和接收器部件，其中，发送器部件和接收器部件互相电流隔离并且互相光学耦合，并且这两个部件集成在共同的壳体中，接收器部件包括电压源，其中，电压源包括数量为N的互相串联连接的部分电压源，所述部分电压源构造为半导体二极管，其中，这些部分电压源中的每一个具有一个半导体二极管，所述半导体二极管具有p‑n结，各个部分电压源的部分电源电压互相具有小于20％的偏差，在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起，并且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠，部分电压源的数量N大于等于3，光在上侧处入射到堆叠上，并且在堆叠上侧处的照射面的尺寸基本上是所述堆叠在上侧处的面的尺寸，第一堆叠具有小于12μm的总厚度，在300K的情况下，只要第一堆叠被具有确定波长的光子流照射，则第一堆叠具有大于3伏的电源电压，其中，在从堆叠的上侧向所述堆叠的下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
光电耦合器

[发明专利]堆叠状半导体结构-CN201711147759.2在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：一种堆叠状半导体结构具有：N个相互串联连接的半导体二极管，每个半导体二极管具有一个p‑n结，在各两个彼此相继的半导体二极管之间构造隧道二极管，半导体二极管和隧道二极管一起单片式地集成并且共同形成具有上侧和下侧的堆叠，半导体二极管的数目N大于等于2，在以光照射堆叠的情况下堆叠在300K的情况下具有大于2V的源电压，以及在从第一堆叠的上侧朝堆叠的下侧，半导体二极管的p型和n型吸收层的总厚度从最上面的二极管朝最下面的二极管增加，半导体二极管具有相同的带隙，堆叠构造在衬底上，在堆叠的下侧附近构造有环绕的、凸肩状的主级，主级具有出口面，堆叠借助下侧布置在衬底上，衬底包括半导体材料。
半导体二极管堆叠二极管衬底半导体结构堆叠状主级半导体材料隧道二极管堆叠构造构造隧道出口面单片式光照射吸收层源电压带隙凸肩环绕

[发明专利]太阳能电池接收装置-CN201280017058.6有效
发明人： R·席林;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：太阳能电池接收装置，具有一半导体本体，所述半导体本体具有前侧面、背侧面、多个侧向面和两个电接口，所述前侧面带有一构造在所述前侧面上的太阳能电池；一用于接收所述半导体本体的承载件，其中，所述半导体本体的背侧面固定在所述承载件上；一光学元件，所述光学元件用于将光线集束到所述半导体本体的所述前侧面上，所述光学元件具有一下侧面，所述下侧面部分地面朝所述半导体本体的上侧面，其中，所述光学元件在所述下侧面上具有带第一表面的一第一成形部，所述第一表面支承在所述半导体本体的所述前侧面上并且所述光学元件具有一第二表面，所述第二表面支承在所述承载件上并且所述成形部构造为空腔或构造为缺口。
太阳能电池接收装置

[发明专利]太阳能电池单元-CN201380040564.1有效
发明人： V·科伦科;I·兹林扎克 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种具有构造为太阳能电池的半导体本体(20)并且具有载体(30)的太阳能电池单元(10)，其中所述半导体本体具有正侧和背侧以及构造在正侧与背侧之间的侧面，所述正侧具有第一电连接部，所述背侧具有第二电连接部，所述载体具有上侧和下侧，其中所述载体在上侧上具有构造为所述载体的一部分的第一印制导线区域并且所述第一电连接与所述第一印制导线区域电连接，并且所述载体在所述上侧上具有构造为所述载体的一部分的第二印制导线区域并且所述第二电连接部与所述第二印制导线区域电连接。二次光学元件(22)具有下侧并且将光引导到所述半导体本体的正侧上。所述光学元件在整个下侧上具有平的表面。所述平的表面的一部分设置在所述半导体本体的上侧上方并且所述光学元件的下侧的一部分具有与所述下侧材料锁合连接的第一增附剂层(25)。至少在增附剂层和半导体本体的正侧之间构造聚合物粘合剂层(60)。
太阳能电池单元

[发明专利]可扩展的电压源-CN201610322917.2在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种可扩展的电压源，具有相互串联连接的部分电压源，其中的每一个具有一个半导体二极管，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层，p吸收层被p掺杂的钝化层钝化，p掺杂的钝化层具有比p吸收层的带隙更大的带隙，半导体二极管具有n吸收层，n吸收层被n掺杂的钝化层钝化，n掺杂的钝化层具有比n吸收层的带隙更大的带隙；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，其具有多个半导体层，所述半导体层具有比p/n吸收层的带隙更大的带隙；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起且共同构成第一堆叠，在从堆叠的上侧向着下侧的光入射方向上，半导体二极管的p吸收层和n吸收层的总厚度从最上面的二极管向着最下面的二极管增加。
扩展电压

1
共 6 条