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[发明专利]结合车标的行李箱开关模块-CN201510994083.5在审
发明人：姜官希;朴重彦 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;旲烔
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01H13/14 文献下载
摘要：一种结合车标的行李箱开关模块，其中，通过安装用于接通和断开位于车标的上端上的用于打开行李箱的行李箱开关的轻触开关的推动式按钮并安装用于装饰位于车标的下端上的行李箱锁的前表面的推动和旋转式推盖，行李箱锁和行李箱开关与车标结合为一体。
结合标的行李箱开关模块

[发明专利]真空分接开关-CN201610358806.7在审
发明人：史伟峰 -专利权人：宁波安德奥电力设备有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：一种真空分接开关，在有载分接开关的基础上，增加了真空管和杠杆机构，并且在绝缘筒内部安装有多个滚轮，杠杆的前端设置有梯形块，所述梯形块在随着主轴转动时，与滚轮配合。通过杠杆机构来控制真空管的打开和闭合，并且所述滚轮和杠杆前端梯形块的配合时间，和分接开关的主动触头、副动触头与静触头的配合时间相匹配，保证主动触头、副动触头与静触头接触之后，所对应的真空开关再闭合，在主动触头、副动触头与静触头分离之前，所对应的真空开关提前断开，将可能产生电弧的位置移到真空管内部，灭弧效果显著，延长了分接开关的使用寿命。
真空开关

[发明专利]一种基于环向聚能射流的爆炸开关-CN201610614956.X在审
发明人：马宏昊;杨明;沈兆武;催宇 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01H39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于环向聚能射流的爆炸开关，该爆炸开关属于一种爆炸式常闭开关，为一次性开关。它主要包括，一个绝缘圆筒形外壳，二个焊接在一起的金属圆管和一个聚能装药包。本发明采用了聚能装药结构，充分利用了爆炸能量，有效的降低了炸药的使用量。由于爆炸有做功能量强，做功速度快特点，所以本开关具有断开速度快的优点，同时，通过合理的结构设计使得本开关具有断开后二端距离远的特点，从而特别适合一些大型电路和大功率电路。此外，本发明还具有结构简单，可靠性高、价格便宜等优点。
一种基于射流爆炸开关

[发明专利]一种防爆电磁开关-CN201610627810.9在审
发明人：顾真源 -专利权人：太仓美宅姬娱乐传媒有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01H50/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种防爆电磁开关，包括壳体、上部件和下部件，上部件被容置在壳体内，下部件被容置在壳体内且与上部件的下部相连通，壳体包括一顶板、侧板Ⅰ和侧板Ⅱ，侧板Ⅰ和侧板Ⅱ的一端被折弯且对称设置形成一下侧开口的结构，下侧开口处的壳体内设置有下部件包含的固定芯子且开口端被后盖密封，壳体内壁与上部件之间、壳体内壁与下部件之间分别设置有上防爆界面和下防爆界面。本发明结构优化，在电磁开关的壳体内壁与上部件、下部件之间分别增设上防爆界面和下防爆界面，即使电磁开关的壳体爆裂，上、下防爆界面仍能对上部件和下部件起到保护作用，使得电磁开关内的部件不被损坏实现循环再利用，降低资源浪费，显著缩小成本。
一种防爆电磁开关

[发明专利]断路器横杆组件-CN201610341165.4在审
发明人： C.M.巴贝拉;S.C.丰塞卡;L.Y.雅各布斯;D.K.蒂瓦里;N.V.图穆 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01H71/10 文献下载
摘要：本发明公开一种断路器横杆组件，所述断路器横杆组件包括具有第一区段和第二区段的横杆，所述第一区段和所述第二区段各自可操作地联接到相应的可移动接触臂组件。还包括设置在所述第一区段与所述第二区段之间的联接区段，所述横杆和所述联接区段可围绕轴线旋转。进一步包括可操作地联接到所述联接区段的至少一个支撑组件。所述支撑组件包括衬套，所述衬套联接到所述联接区段并且可与所述横杆和所述联接区段一起旋转。所述支撑组件还包括支撑支架，所述支撑支架配置用于附接到固定式结构并且设置成与所述衬套相邻，所述衬套可相对于所述支撑支架旋转。所述支撑组件进一步包括固定支架，所述固定支架与所述支撑支架接合并且设置成与所述衬套相邻，所述衬套可相对于所述固定支架旋转。
断路器横杆组件

[发明专利]行波管热量储藏装置-CN201610758625.3在审
发明人：陈涛;高翔;邱葆荣;陈燕;王曙光;杨钢 -专利权人：成都国光电气股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01J23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种行波管热量储藏装置，所述行波管热量储藏装置包括相变材料、基座和盖板，所述基座设有容纳相变材料的储存腔体、设置于储存腔体顶部的装配上端面、设置于储存腔体顶部内壁四周的基座待焊接壁、注入孔、密封孔、与行波管底板相接触的装配下端面、置于基座底部且与行波管收集极紧密契合的散热面、用于密封注入孔和密封孔的密封螺钉；所述盖板包括与装配上端面相接触的盖板底面、与基座待焊接壁进行焊接的盖板待焊接壁。采用该行波管热量储藏装置，使行波管在规定工作时间内，储藏件吸收热量后最高温度不超过150℃，相变材料密封效果良好，有效保证行波管的正常使用。
行波热量储藏装置

[发明专利]行波管热量储藏装置-CN201610758636.1在审
发明人：陈涛;高翔;邱葆荣;陈燕;王曙光;杨钢 -专利权人：成都国光电气股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01J23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种行波管热量储藏装置，所述行波管热量储藏装置包括相变材料、基座、盖板和散热片，所述基座设有容纳相变材料的储存腔体、设置于储存腔体顶部的装配上端面、设置于储存腔体顶部内壁四周的基座待焊接壁、注入孔、密封孔、与行波管底板相接触的装配下端面、置于基座底部且与行波管收集极紧密契合的散热面、用于密封注入孔和密封孔的密封螺钉；所述盖板包括与装配上端面相接触的盖板底面、与基座待焊接壁进行焊接的盖板待焊接壁；所述散热片与基座为一体式结构，且所述散热片与相变材料相接触；采用本发明后，增加了连续工作时间不长或者空间体积较大的无散热行波管的使用寿命，增加相变材料的有效填充量，即增加了储热件的储热能力。
行波热量储藏装置

[发明专利]行波管热量储藏装置-CN201610759486.6在审
发明人：陈涛;高翔;邱葆荣;陈燕;王曙光;杨钢 -专利权人：成都国光电气股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01J23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种行波管热量储藏装置，所述行波管热量储藏装置包括相变材料、基座、盖板和散热片，所述基座设有容纳相变材料的储存腔体、设置于储存腔体顶部的装配上端面、设置于储存腔体顶部内壁四周的基座待焊接壁、注入孔、密封孔、与行波管底板相接触的装配下端面、置于基座底部且与行波管收集极紧密契合的散热面、用于密封注入孔和密封孔的密封螺钉；所述散热片与相变材料和基座相接触且置于基座中。采用本发明技术方案，相变材料密封效果良好，有效保证行波管的正常使用，而散热片的应用，能够快速将行波管螺旋线、收集极电极等发热器件产生的热量快速传导给相变材料，降低行波管螺旋线、收集极电极的工作温度。
行波热量储藏装置

[发明专利]一种输出渐变放大高功率微波的慢波结构微波振荡器-CN201610722295.2在审
发明人：刘凯;邓永峰;印长豹 -专利权人：合肥博雷电气有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01J23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种输出渐变放大高功率微波的慢波结构微波振荡器，包括振荡器本体，所述振荡器本体的外侧套设有引导磁体，所述振荡器本体的内壁上连接有慢波结构，且慢波结构为锥台型结构，所述慢波结构上设有锥台型孔，且慢波结构的两侧分别与振荡器本体的内壁相连接，所述锥台型孔的内壁上设有多个慢波结构腔，且慢波结构腔均匀分布在锥台型孔的内壁上，所述振荡器本体的一侧转动连接有转动圆盘，且转动圆盘远离振荡器本体的一侧设有第一固定圆孔，所述第一固定圆孔的内壁上设有第一螺纹。本发明的结构简单，经济实用，且慢波结构微波振荡器中的阴极和内导体输出结构之间的距离可以根据人们的需要进行调节。
一种输出渐变放大功率微波结构振荡器

[发明专利]无极紫外线灯的激发方式-CN201610656087.7在审
发明人：朱卫国;陈彬;夏亦平 -专利权人：安徽中杰信息科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：无极紫外线灯的激发方式，它涉及紫外线灯技术领域；它包含如下步骤：一、在无极石英灯管的内壁内喷涂有固态汞；二、向无极石英灯管内注射惰性气体；三、将无极石英灯管放置在谐振腔内；四、谐振腔内同时设有微波发生器和高频电场；五、微波发生器和高频电场同时作用，将磁场和电场耦合到石英灯管中，固态汞蒸发，惰性气体被激发，产生紫外线；本发明所述的无极紫外线灯的激发方式，所得的紫外线波长短、辐射强、无溅射现象、使用寿命长，且具有结构简单、设置合理、制作成本低等优点。
无极紫外线激发方式

[发明专利]一种应力可控型硅基薄膜的制备方法-CN201610712335.5在审
发明人：周华芳 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应力可控型硅基薄膜的制备方法，包括使用单频PECVD设备通过化学气相沉积法使原料气体在衬底材料上沉积、生长，得到硅基薄膜，制备时在原料气体中通入He和N₂的过程，本发明过程简单，可控性高，能在单频射频源的PECVD设备中制备得到可在压应力与张应力之间大范围调整的、均匀性好、致密性高、成本低的硅基薄膜。
一种应力可控型硅基薄膜制备方法

[发明专利]一种异质结终端的碳化硅功率器件及其制备方法-CN201610541460.4在审
发明人：刘成;叶念慈;黄侯魁 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结终端的碳化硅功率器件，包括阴极电极、衬底层、N型SiC外延层及阳极电极，还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电极外围以构成异质结终端，有效避免了对N型SiC外延层掺杂特性的影响，可以获得高击穿电压及低器件开启电压的碳化硅器件。本发明还公开了其制作方法，大大减少了对高温复杂工艺的要求，制程简单，减少了制作成本。
一种异质结终端碳化硅功率器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法-CN201510768135.7在审
发明人：巫柏奇;张家玮;张国辉;赵益承 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。
半导体器件结构形成方法

[发明专利]用于调节薄膜中的残余应力的方法-CN201610300671.9在审
发明人：普鲁肖塔姆·库马尔;康胡;钱俊;阿德里安·拉瓦伊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及用于调节薄膜中的残余应力的方法。在半导体衬底上形成应力减小的介电膜的方法，其包括通过沉积具有厚度t_m和应力水平s_m的主要部分；以及沉积具有厚度t_l和应力水平s_l的低应力部分，其中s_l<s_m，从而沉积介电膜的第一应力减小的双层。双层的特征可以在于整体的应力水平s_tot<90％*(s_m*t_m+s_l*t_l)/(t_m+t_l)，在一些情况下，s_tot<s_l。在一些情况下，s_tot<90％*s_m，且对于每种单独的元素成分，在每单位体积5mol％的差数内，主要和低应力部分可有基本相同的化学组成。主要和低应力部分其特征可在于：相应的漏电流I_m和I_l，相应的击穿电压V_m和V_l，且双层的特征可在于整体漏电流I_tot和击穿电压V_tot使得s_tot<90％*s_m，且I_tot<90％*(I_m*t_m+I_l*t_l)/(t_m+t_l)或V_tot>110％*(V_m*t_m+V_l*t_l)/(t_m+t_l)或两者。
用于调节薄膜中的残余应力方法

[发明专利]自动晶圆保护层去除设备-CN201610737403.3在审
发明人：杨宗霖;萧腾蛟;蔡中维 -专利权人：振图科技股份有限公司;威达邦有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种自动晶圆保护层去除设备，包括：一晶圆乘载装置、一切割刀组、一分脱机组、一底座，并将前述装置组固设于该底座上；所述晶圆乘载装置具有一乘载平台及一旋转轴，并使晶圆设置于其上，该切割刀组径向伸入该晶圆与该保护层间，并使乘载平台对应该切割刀组旋转将该保护层部分拨离，所述分脱机组对应伸入该晶圆与该保护层间，并将两者完整分离，并将保护层移除，再次将该切割刀组径向伸入该晶圆与表面胶材之间，所述分脱机组对应伸入该晶圆与该胶材间，并将两者完整分离；通过本发明的自动晶圆保护层去除设备可缩短工时并降低制造成本。
自动保护层去除设备