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[发明专利]气体传感器-CN202010144920.6在审
发明人： A·托里特沙诺夫;C·康萨尼;T·格里勒;P·伊尔西格勒;C·帕纳切尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本公开涉及气体传感器。根据一个实施例，一种气体传感器包括：具有腔体的基底，腔体用于为具有中心波长λ0的已滤波IR(IR＝红外)辐射与腔体中的目标气体的交互提供光学交互路径，其中腔体对于包含目标气体组分的环境气体；被布置用于发射宽带IR辐射的热发射器，其中热发射器光学耦合到腔体；被布置用于滤波由热发射器发射的宽带IR辐射并且用于在腔体中提供中心波长为λ0的已滤波IR辐射的波长选择结构，其中波长选择元件光学耦合在热发射器与腔体之间，或者其中波长选择元件被形成为腔体的结合结构；以及被布置为基于已经穿过腔体中的光学交互路径并且被IR检测器接收的已滤波IR辐射的信号强度来提供检测器输出信号的IR检测器。
气体传感器

[发明专利]用于处理衬底的方法以及电子器件-CN201710036371.9有效
发明人： M·米希兹;M·海恩里希;O·赫尔蒙德;P·伊尔西格勒;F·科勒纳;M·勒斯纳;M·施内甘斯;C·特拉范 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：根据各种实施例，一种用于处理衬底的方法可包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件；其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在器件区域中形成至衬底的凹部，其中凹部由衬底的凹部侧壁限定，其中凹部侧壁布置在器件区域中；在凹部中形成接触焊盘，以电连接至少一个电子部件，其中接触焊盘具有比凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在切割区域中切割衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。
用于处理衬底方法以及电子器件

[发明专利]模制化合物和具有模制化合物的半导体封装-CN201910307781.1在审
发明人： A·毛德;O·黑尔蒙德;P·伊尔西格勒;H·梅尔兹纳;S·米特哈纳;S·施密特;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：公开了一种模制化合物和一种具有模制化合物的半导体装置。模制化合物包括：基质；以及包括填充物颗粒的填充物。填充物颗粒均包括内核和电绝缘封盖，所述内核包括导电或者半导电材料。
模制化合物填充物颗粒内核半导电材料半导体封装半导体装置填充物电绝缘导电封盖基质

[发明专利]微机械结构及其制造方法-CN201610326879.8有效
发明人： U·施密德;G·德尼弗尔;T·弗里施穆斯;T·格里勒;U·赫德尼格;P·伊尔西格勒;M·卡恩;D·莫勒;M·施奈德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及微机械结构及其制造方法。微机械结构包括衬底和布置在该衬底上的功能结构。功能结构包括功能区域，该功能区域可响应于作用在该功能区域上的力而相对于衬底偏转。功能结构包括碳层构造，其中碳层构造的基体材料是碳材料。
微机结构及其制造方法

[发明专利]用于电容式温度计的系统和方法-CN201510261097.6有效
发明人： J·希尔瓦诺德索萨;T·弗里施穆斯;P·伊尔西格勒;U·施密德;T·格里勒;U·赫德尼格;S·菲格埃拉达西尔瓦 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G01K5/48 文献下载
摘要：提出了一种用于电容式温度计的系统和方法。本文所公开的各种实施例包括含有可偏转膜和传感电极的电容式温度计。该电容式温度计被配置为基于可偏转膜的温度调节电容值。
用于电容温度计系统方法

[发明专利]使用电化学蚀刻制造半导体器件的方法以及半导体器件-CN201410727194.5有效
发明人： H-J·舒尔策;P·伊尔西格勒;H·韦伯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在第一导电类型的台面之间的半导体衬底中形成沟槽。沟槽从加工表面延伸直至底平面。第二、互补的导电类型的半导体层被形成在沟槽的侧壁上。至少在台面中，垂直于加工表面的垂直的杂质浓度分布在加工表面和底平面之间是非恒定的。在此之后，凹进的半导体层的厚度反映在台面中的垂直杂质浓度分布。
使用电化学蚀刻制造半导体器件方法以及

[发明专利]光子晶体传感器结构及其制造方法-CN201510868278.5有效
发明人： J·希尔瓦诺德索萨;T·格里勒;U·赫德尼格;P·伊尔西格勒;T·奈德哈特;V·K·拉贾拉曼 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本申请涉及光子晶体传感器结构及其制造方法。公开了一种传感器以及制造传感器的方法。该传感器可以包括基底、光源、光学探测器、在基底中或者在基底之上的层结构中的多个光学空腔、以及处理电路，其中多个光学空腔可以被布置在光源和光学探测器之间的光学路径中，处理电路被耦合到光学探测器并且被配置为接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号。
光子晶体传感器结构及其制造方法

[发明专利]用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置-CN201510325815.1有效
发明人： R·策尔扎赫尔;P·伊尔西格勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开涉及用于对衬底上的结构进行曝光的方法和装置。一种用于对衬底上的结构进行曝光的方法，包括将不变掩模版和可编程掩模版定位在光源和将被曝光于光的衬底上的层之间的光路中，以及通过使来自光源的光穿过不变掩模版和可编程掩模版来对衬底上的层进行曝光。
用于衬底结构进行曝光方法装置

[发明专利]用于制造多个麦克风结构的方法、麦克风和移动设备-CN201510067036.6有效
发明人： U·赫德尼格;D·莫勒;T·格里勒;P·伊尔西格勒;S·皮尔克;A·布罗克迈尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及用于制造多个麦克风结构的方法、麦克风和移动设备。在各个实施例中，提供了用于制造麦克风结构的方法。该方法可以包括：提供衬底，该衬底具有正侧和背侧，背侧背离正侧，并且该衬底具有内部区域和横向地围绕内部区域的外部区域，内部区域包括多个麦克风区域，每个麦克风区域设置用于该多个麦克风中的一个麦克风；在衬底的正侧在麦克风区域中形成用于该多个麦克风的多个层；从衬底的背侧形成凹槽，该凹槽与整个内部区域横向地重叠；在凹槽的底部中形成多个空腔，该多个空腔中的每个空腔形成在其中一个麦克风区域中；对层进行处理以形成多个麦克风结构，其中每个麦克风结构包括一个空腔和该多个层中的至少一个层；以及使该多个麦克风结构彼此分开。
用于制造麦克风结构方法移动设备

[发明专利]用于从晶体硅主体移除晶体原生颗粒的方法-CN201510116886.0有效
发明人： H-J·舒尔策;P·伊尔西格勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于从晶体硅主体中移除晶体原生颗粒的方法，该晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，该方法包括增加该第一表面和该第二表面中的至少一个的表面区域。该方法进一步包括在至少1000℃的温度下和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。
用于晶体主体原生颗粒方法

[发明专利]微机械结构及其制作方法-CN201510455584.6有效
发明人： U·施密德;T·弗里施穆斯;P·伊尔西格勒;T·格里勒;D·莫勒;U·赫德尼格;M·卡恩;G·德尼弗尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种微机械结构，其包括衬底和布置在衬底处的功能性结构。功能性结构包括功能性区域，功能性区域配置为响应于作用在功能性区域上的力而相对于衬底偏转。功能性结构包括传导性基础层并且功能性结构包括具有布置在传导性基础层处并且仅在功能性区域处部分地覆盖传导性基础层的固化结构材料的固化结构。固化结构材料包括硅材料以及至少碳材料。
微机结构及其制作方法

[发明专利]针对形貌的改进结构-CN201610617619.6在审
发明人： S·施密特;O·赫尔蒙德;P·伊尔西格勒;M·塞德-施密特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：在不同实施例中提供了掩模版。掩模版可以包括特征部。特征部可以包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。
针对形貌改进结构

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201410831980.X在审
发明人： P·伊尔西格勒;J·鲍姆加特尔;M·聪德尔;A·毛德;F·希尔勒;R·威斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件，该半导体器件通过形成以下项而形成：在具有主表面的半导体衬底中的晶体管；源极和漏极区域；和在源极区域和漏极区域之间的沟道区域和漂移区。源极区域和漏极区域被沿着平行于主表面的第一方向布置。栅极沟槽和栅极电极形成于栅极沟槽中。在主表面中形成的副沟槽在与第一方向相交的第二方向上延伸。使用经由副沟槽的侧壁引入掺杂物的掺杂方法形成源极区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于生产半导体器件的方法和场效应半导体器件-CN201310692651.7有效
发明人： P·伊尔西格勒;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产半导体器件的方法和场效应半导体器件。提供了一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括：提供包括主表面和硅层的晶片，该硅层布置在主表面处且具有至少大约3*1014cm-3的氮浓度；以及部分地向外扩散氮，以降低氮至少接近主表面的氮浓度。另外，提供了一种半导体器件。
用于生产半导体器件方法场效应

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