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[发明专利]芯片上的光相干接收器-CN202180043731.2在审
发明人： M·N·萨基布;廖培城;R·库玛尔;黄端倪;荣海生;H·弗里希;J·赫克;马超璇;李昊;G·巴拉穆鲁汉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H04B10/61 文献下载
摘要：本文描述的实施例可涉及与相干光接收器相关的设备、过程和技术，包括具有集成全硅波导光电检测器和在CMOS技术内实现的可调谐本地振荡器的相干接收器。实施例还涉及具有用于控制波长的集成温度传感器的可调谐硅混合激光器。实施例还涉及光混合和嵌套I/Q调制器的后处理相位校正。实施例还涉及基于多个微环的解复用光电检测器。在实施例中，所有部件都可以在硅衬底上实现。可描述和/或要求保护其他实施例。
芯片相干接收器

[发明专利]通过双柱面透镜的光子集成电路到玻璃衬底的对准-CN202210973776.6在审
发明人：刘昌华;P·塔达勇;J·赫克;S·奈卡恩蒂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种电子设备包括光子集成电路(PIC)，该PIC包括至少一个光学信号源、被设置在PIC上以在基本上与PIC的第一表面平行的方向上引导由至少一个光学信号源发射的光的发射透镜、以及被设置在PIC上并且具有四分之一圆柱形状的弯曲表面的光学元件，该弯曲表面被配置为在基本上与PIC的第一表面正交的方向上引导从发射透镜发射的光。
通过柱面透镜光子集成电路玻璃衬底对准

[发明专利]通过集成柱面透镜和波导结构将光子集成电路与玻璃衬底对准-CN202210972537.9在审
发明人：刘昌华;P·塔达永;J·赫克;E·莫雷特;T·伊布拉欣;张志超;J·D·埃顿 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本公开的发明名称是：“通过集成柱面透镜和波导结构将光子集成电路与玻璃衬底对准”。一种电子装置包括：光子集成电路（PIC），其包括至少一个波导；发射透镜，其设置在PIC上以在基本平行于PIC的第一表面的方向上发射来自至少一个波导的光；以及光学元件，其设置在PIC上并具有反射表面，该光学元件被配置成在远离PIC的第一表面的方向上引导从发射透镜发射的光。
通过集成柱面透镜波导结构光子集成电路玻璃衬底对准

[发明专利]光学ISO调制器-CN201780046699.7有效
发明人： W·金;J·赫克;H·荣;J·B·德里斯科尔;K·N·阮 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：此处公开了与光学iso调制器相关联的装置、方法以及存储介质。在实施例中，一种装置可以包括形成在诸如隔离层和处理层的一个或多个层上的光波导。调制器驱动器可以耦合到一个或多个层的第一侧。磁光(MO)管芯可以耦合到一个或多个层的与第一侧相对的第二侧。可以公开和/或要求保护其它实施例。
光学 iso 调制器

[发明专利]多层硅光子装置-CN202110848545.8在审
发明人： H·马哈林加姆;H·弗里希;S·麦克卡加尔;J·基纳;S·耶基斯;J·赫克;L·廖 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及低数值孔径(NA)光学耦合器或光斑尺寸转换器，其包括横向锥形体区段和/或垂直绝热锥形体区段。在实施例中，光学耦合器可以定位在衬底内的V形槽附近的硅衬底上，以包含自对准并且与光学耦合器耦合的光纤。可以描述和/或要求保护其他实施例。本公开涉及多层硅光子装置。
多层光子装置

[发明专利]集成光子收发器-CN202011505288.X在审
发明人： J·赫克;贺丽娜;S·朴;O·I·多孙穆;H·弗里希;K·C·马格鲁德;S·M·斯莱文;钱伟;刘安胜;N·高塔姆;M·艾森贝格尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：实施例可以涉及一种波分复用(WDM)收发器，其具有与氮化硅波导层耦合的硅波导层。在一些实施例中，硅波导层可以包括与氮化硅波导层耦合的锥形部分。在一些实施例中，硅波导层可以与具有第一z高度的第一氧化物层耦合，并且氮化硅波导层可以与具有大于第一z高度的第二z高度的第二氧化物层耦合。可以描述或主张其他实施例。
集成光子收发

[发明专利]反馈控制的闭环片上隔离器-CN201780040073.5有效
发明人： W·金;H·容;J·赫克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本文的实施例涉及一种光子集成电路(PIC)，其具有片上光学隔离器。PIC可以包括：激光器、波导以及通过波导耦合到激光器的闭环共振器。磁光层在波导和闭环共振器上方并且与波导和闭环共振器直接接触。闭环共振器可以包括第一偏振旋转器(PR)和第二PR。通过波导的处于横向电(TE)模式的来自激光器的光在第一PR中旋转为处于横向磁(TM)模式的光，并且处于TM模式的光在第二PR中旋转为处于TE模式的光。隔离器可以包括：微加热器，其在波导上方或沿波导的一侧，并且与闭环共振器分离；以及反馈控制回路，其连接到闭环共振器和微加热器。
反馈控制闭环隔离器

[发明专利]用于对半导体光子器件进行折射指数调整的机构-CN202010591816.1在审
发明人： H·贾亚蒂勒卡;H·弗里希;R·库马尔;H·荣;J·赫克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：实施例包括包括具有设置在基板上方的波导的半导体光子器件的装置、方法和系统。波导具有包括具有第一折射指数的非晶硅的第一区段，以及包括具有不同于第一折射指数的第二折射指数的晶体硅的第二区段。半导体光子器件还包括波导的第一区段附近的加热元件。加热元件被布置成产生热量，以将波导的第一区段的非晶硅转化成具有第三折射指数的部分或完全结晶的晶体硅。第一区段中的非晶硅可以形成有由注入到第一区段中的元素引起的硅晶格缺陷。还可以描述和要求保护其他实施例。
用于对半导体光子器件进行折射指数调整机构

[发明专利]包括掩埋式光波导和输出耦合器的光学器件-CN202010214674.7在审
发明人： J·赫克;H·弗里希;R·德弗里斯;G·A·吉乌尔卡恩;H·马哈林加姆;P·西迪吉安 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本公开的实施例针对用于光耦合器的技术和构造，该光耦合器包括用于将光导引至光纤的光波导。在实施例中，光波导包括锥形段，以将所接收的光传播到光纤。在实施例中，锥形段被掩埋在半导体衬底的表面下方，以将半导体衬底内的所接收的光从第一光模式转变为第二光模式，以减少在所接收的光从光波导到光纤的传播期间的光损失。在实施例中，半导体衬底的表面包括硅光子芯片的底部平面表面，其包括无源或有源光子部件中的至少一个或多个。可以描述和/或要求保护其他实施例。
包括掩埋波导输出耦合器光学器件

[发明专利]光机械惯性传感器-CN201480062522.2有效
发明人： S·布拉姆哈瓦;D·N·哈基森;J·赫克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01P15/093 文献下载
摘要：本公开的实施例针对微机电系统(MEMS)感应装置，包括配置为产生光束的激光器设置，配置为接收和输出光束的第一波导，和与第一波导端面对齐的第二波导。第二波导可配置为借助通过对齐的端面的光耦合从第一波导接收至少部分光束。第一或第二波导可配置为在响应于装置惯性改变时是可移动的，其中第一或第二波导的移动引起该部分光束相应光强度的改变，光强度的改变表明惯性改变的量。其他实施例可具体描述和/或声明。
机械惯性传感器

[发明专利]单块物理可移位光波导-CN201380080655.8有效
发明人： D·N·哈奇森;H·荣;J·赫克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：在光子集成电路(PIC)芯片内侧向延伸的光波导的一部分至少部分地摆脱基板而允许释放的波导端相对于基板以及相对于也制作在基板中的相邻的光子器件的物理移位。释放的波导端可以移位以调制光子器件与波导所传播的光模态之间的相互作用。在光子器件是光耦合器的实施例中，采用例如中阶梯光栅或阵列化波导光栅(AWG)，通过耦合器的模态传播可以经由释放的波导端的物理移位来调制。在一个这样的实施例中，通过以抵消光耦合器的温度相关性的方式使释放的波导端相对于耦合器移位，来降低集成光波分复用器(WDM)的热敏感度。
物理移位波导

[发明专利]包括用于将辐射施加到靶的辐射发射器的装置和相关方法-CN201880017282.2在审
发明人： J·赫克;D·莱昂哈特;D·斯普拉克;M·派尔;J·迪特里希 -专利权人：贺利氏特种光源美国有限责任公司;贺利氏特种光源有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G02B19/00 文献下载
摘要：提供了一种用于将辐射施加到靶的装置。所述装置包括：辐射发射器，所述辐射发射器发射峰值发射波长在10nm至1mm的范围内的电磁辐射；以及第一反射器，所述第一反射器在长度方向上延伸并且具有凹横截面。所述第一反射器界定具有周界的空腔区域，并且包括用于所述空腔区域的所述周界的至少50％的内向反射边界。向所述空腔区域提供具有强度分布I和最大强度I_max的辐射。所述空腔区域包括由归一化强度I/I_max大于0.2的所有点界定的聚焦区域。所述聚焦区域的宽度是所述空腔区域的宽度的0.0001倍至0.5倍。
空腔区域辐射发射器反射器聚焦区域界定周界辐射施加峰值发射波长电磁辐射凹横截面强度分布归一化反射发射延伸

[发明专利]采用超颖表面采集透镜的光接收器-CN201910128732.1在审
发明人： J·赫克;H·弗里希;P·R·韦斯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：公开了一种光电子装置。在实施例中，光电子装置可以包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底；设置在衬底的第一侧上的光检测器，光检测器用于将光信号转换成电信号；以及被刻蚀到衬底的第二侧中的电介质超颖表面透镜，电介质超颖表面透镜用于采集入射光，并且将入射光通过所述衬底聚焦到光检测器上。
衬底光检测器电介质光电子装置表面透镜入射光采集透镜光信号转换光接收器刻蚀聚焦

[发明专利]模块化构造的LED辐射器单元及其应用-CN201680040938.3在审
发明人： S·迈尔;J·赫克;J·迪特里希;M·霍夫曼 -专利权人：贺利氏特种光源有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： F26B3/28 文献下载
摘要：在已知的多射束LED辐射器单元中，多个LED辐射器模块被组合起来，它们各配有至少一个LED，其用于发射波长低于430nm的UV辐射或波长高于780nm的IR辐射。用于维护和安装的费用随着LED辐射器模块的数量而增加。为了由此出发提供一种易于维护和安装并且最佳地利用可供使用的结构空间的LED辐射器单元，根据本发明建议，每个LED辐射器模块具有配备了辐射出射窗口的壳体并且被实施成对于对接站的插入式组件，其中，对接站具有至少一个用于建立与壳体的形锁合的机械连接的连接部件和电插拔连接的插接元件，而壳体具有壳体背面，该壳体背面具有与连接部件对应的机械配对件以及与电插拔连接的插接元件对应的配对元件，其中，对接站的连接部件和壳体背面的对应的机械配对件被布置成，使得形锁合的机械连接的建立也导致在插接元件和配对元件之间建立电连接。
模块化构造 led 辐射器单元及其应用

[外观设计]透析装置-CN201630307935.4有效
发明人： J·赫克;K·沃尔夫;U·拉普;U·韦伯;F·雷佐尼可 -专利权人：弗雷森纽斯医疗护理德国有限责任公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：本外观设计产品的名称为透析装置。该外观设计产品用途是用于给患者进行体外血液治疗。本外观设计的设计要点在于产品形状。本外观设计专利申请包括两组相似外观设计，指定设计1为基本设计。由于设计1的底面无设计要点，故省略设计1的仰视图。由于设计2的顶部和底面无设计要点，故省略设计2的俯视图和仰视图。指定设计1主视图为最可体现设计要点的视图并用于出版专利公报。
透析装置

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