“A·亚库宁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于由羧酸合成聚合物前体的过程和微生物-CN202211268774.3在审
发明人： A·亚库宁;A·库什努特诺瓦;J·陈洲;R·马哈德文 -专利权人：多伦多大学管理委员会
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C12P7/44 文献下载
摘要：提供了一种由羧酸生物合成聚合物前体的方法，所述聚合物前体包括己二酸、1,6‑己二醇、6‑羟基己酸和6‑氨基己酸。提供了一种通过用酶处理由具有a,β‑烯酸酯还原酶活性的六碳二元羧酸生物合成己二酸的方法。描述了使用新型羧酸酯还原酶、醛还原酶和氨基转移酶将脂肪族和羟基羧酸生物催化转化为对应的醛、醇和胺。还提供了用于生物合成过程的遗传工程化微生物。
用于羧酸合成聚合物过程微生物

[发明专利]用于由羧酸合成聚合物前体的过程和微生物-CN201680042118.8有效
发明人： A·亚库宁;A·库什努特诺瓦;J·陈洲;R·马哈德文 -专利权人：多伦多大学管理委员会
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C12N1/21 文献下载
摘要：提供了一种由羧酸生物合成聚合物前体的方法，所述聚合物前体包括己二酸、1,6‑己二醇、6‑羟基己酸和6‑氨基己酸。提供了一种通过用酶处理由具有a,β‑烯酸酯还原酶活性的六碳二元羧酸生物合成己二酸的方法。描述了使用新型羧酸酯还原酶、醛还原酶和氨基转移酶将脂肪族和羟基羧酸生物催化转化为对应的醛、醇和胺。还提供了用于生物合成过程的遗传工程化微生物。
用于羧酸合成聚合物过程微生物

[发明专利]抗蚀剂材料、光刻图案化方法和氧化物的用途-CN201810445598.3有效
发明人： S·伍伊斯特尔;A·亚库宁;V·克里夫特苏恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种抗蚀剂材料、光刻图案化方法以及氧化物的用途，所述抗蚀剂材料包括氧化物，所述氧化物包括选自由下列元素构成的组中的至少一种元素：Ta、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn，其中，所述抗蚀剂材料对于具有小于11nm的波长的EUV光具有敏感性。
抗蚀剂材料光刻图案方法氧化物用途

[发明专利]多层反射镜-CN201710699731.3有效
发明人： A·亚库宁;V·班尼恩;E·鲁普斯特拉;H·范德斯库特;L·史蒂文斯;M·范卡朋 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层反射镜，所述多层反射镜包括作为最外层的石墨烯。
多层反射

[发明专利]光谱纯度滤光片-CN201610210083.6有效
发明人： A·亚库宁;V·班尼恩;E·鲁普斯特拉;H·范德斯库特;L·史蒂文斯;M·范卡朋 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光谱纯度滤光片，所述光谱纯度滤光片包括石墨烯。
光谱纯度滤光

[发明专利]光刻图案化过程和其中使用的抗蚀剂-CN201280033742.3有效
发明人： S·伍伊斯特尔;A·亚库宁;V·克里夫特苏恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光刻过程包括在用于EUV光刻过程的抗蚀剂材料中使用含硅聚合物和/或包括选自由下列元素构成的组中的至少一个元素的化合物：Ta、W、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn。在该过程中使用的EUV光波长小于11nm，例如6.5‑6.9nm。本发明还涉及新的含硅聚合物。
含硅聚合物抗蚀剂材料光刻过程光刻图案光波长抗蚀剂自由

[发明专利]用于EUV掩模版的表膜和多层反射镜-CN201410077948.7有效
发明人： A·亚库宁;V·班尼恩;E·鲁普斯特拉;H·范德斯库特;L·史蒂文斯;M·范卡朋 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于EUV掩模版的表膜、多层反射镜和光刻设备，该光刻设备包括辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜（44）配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒（54）通过隔膜的管道。颗粒捕获结构（52）配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒（58）从腔内部到达腔外部。
用于 euv 模版多层反射

[发明专利]辐射源-CN201280042060.9有效
发明人： A·亚库宁;V·伊万诺夫;J·范斯库特;V·克里夫特苏恩;G·斯温克尔斯;V·梅德韦杰夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种辐射源（60），适于提供辐射束至光刻设备的照射器。辐射源包括：喷嘴，配置成沿轨迹（64）朝向等离子体形成位置（66）引导燃料液滴（62）的束流。辐射源配置成接收第一辐射量辐射（68）使得第一辐射量辐射入射到位于等离子体形成位置的燃料液滴（62a），并使得第一辐射量辐射传递能量进入燃料液滴以生成修改的燃料分布（70），修改的燃料分布具有表面。辐射源还配置成接收第二辐射量辐射（72）使得第二辐射量辐射入射到修改的燃料分布的表面（72a）的部分上，第二辐射量辐射具有相对于所述表面的部分的p偏振分量；并使得第二辐射量辐射传递能量至修改的燃料分布以生产辐射生成等离子体，辐射生成等离子体发射第三辐射量辐射（74）。辐射源还包括收集器（CO），配置成收集和引导第三辐射量辐射的至少部分。辐射源配置成使得第二辐射量辐射沿第一方向传播，第一方向不平行于修改的燃料分布的表面的部分的法线。
辐射源

[发明专利]掠入射反射器、光刻设备、掠入射反射器制造方法及器件制造方法-CN201280009855.X有效
发明人： A·亚库宁;V·班尼恩;O·弗里基恩斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于极紫外辐射的掠入射反射器(300)包括第一反射镜层(310)和在第一反射镜层下面的多层反射镜结构(320)。第一反射镜层至少部分地反射以在第一范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上的极紫外辐射，所述第一反射镜层透射在入射角的第二范围中的极紫外辐射，所述入射角的第二范围与入射角的第一范围重叠且延伸超出入射角的第一范围。多层反射镜结构反射极紫外辐射，所述极紫外辐射以在所述第二范围内的掠入射角入射到所述掠入射反射器上且穿透所述第一反射镜层。掠入射反射器可以用于光刻设备中和通过光刻过程制造器件中。
入射反射光刻设备制造方法器件

[发明专利]辐射源和光刻设备-CN201310166910.2有效
发明人： A·亚库宁;V·班尼恩;V·伊万诺夫;E·鲁普斯特拉;V·克里夫特苏恩;G·斯温克尔斯;D·兰贝特斯基 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射源及光刻设备。所述辐射源配置成生成极紫外辐射。所述辐射源包括等离子体形成部位，所述等离子体形成部位位于燃料将通过与辐射束接触而形成等离子体所在的位置；出口，所述出口配置成允许气体出离辐射源；和污染物阱，所述污染物阱至少部分地设置在辐射源的壁上。所述污染物阱配置成俘获由生成等离子体所产生的碎片粒子。
辐射源光刻设备

[发明专利]光刻设备和方法-CN201180031217.3有效
发明人： A·亚库宁;V·班尼恩;E·鲁普斯特拉;H·范德斯库特;L·史蒂文斯;M·范卡朋 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔外部。
光刻设备方法

[发明专利]多层反射镜-CN201180025900.6有效
发明人： V·季莫什科夫;A·亚库宁;E·欧苏瑞欧奥利弗罗斯;J·B·P·范斯库特;A·T·W·凯姆彭 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种多层反射镜(80)，包括第一材料层(84)和硅层(82)。第一材料层和硅层形成叠层。硅层的暴露区域包括布置用以改善硅的暴露区域的鲁棒性的改性部。
多层反射

[发明专利]用于去除污染物粒子的系统、光刻设备、用于去除污染物粒子的方法以及用于制造器件的方法-CN201180013373.7无效
发明人： V·伊万诺夫;P·安齐费罗夫;Y·西杰尔尼科夫;L·斯卡克卡巴拉兹;H·尼尔霍夫;A·亚库宁;埃里克·伦洛夫·卢布斯卓;V·Y·拜尼恩;R·J·布鲁尔斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于从EUV辐射束的路径去除污染物粒子的系统，其中提供至少第一AC电压至位于EUV辐射束的路径的相对侧上的一对电极作为电压机制的第一阶段，和提供DC电压至电极作为电压机制的第二阶段。
用于去除污染物粒子系统光刻设备方法以及制造器件

[发明专利]光谱纯度滤光片-CN201180020839.6有效
发明人： W·索尔;V·班尼恩;E·鲁普斯特拉;A·亚库宁;M·杰克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光谱纯度滤光片，包括：材料体，多个孔延伸通过所述材料体。孔布置成抑制具有第一波长的辐射并允许具有第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔。第二波长辐射比第一波长辐射短。所述材料体由具有对于第一波长的辐射基本上大于或等于70％的体反射率的材料形成。所述材料具有大于1000摄氏度的熔点。
光谱纯度滤光

[发明专利]光刻设备以及光谱纯度滤光片-CN201180015282.7无效
发明人： V·梅德韦杰夫;V·班尼恩;V·克里夫特苏恩;W·索尔;A·亚库宁 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-02-03 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层。多层反射镜结构和一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和一个或更多个附加层的厚度配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长的辐射干涉。
光刻设备以及光谱纯度滤光

1
2
下一页»
尾页
共 23 条