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[发明专利]冷却管组件、冷却装置和等离子体处理设备-CN201911174960.9有效
发明人： 龚岳俊;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有释放静电功能的冷却装置及冷却管组件。所述冷却装置包括基板、射频屏蔽板、冷却管连接器、高电阻冷却管及金属冷却管。基板中设置有冷却通道。射频屏蔽板设置在基板的下方。冷却管连接器设置在射频屏蔽板中，在射频屏蔽板的上表面和下表面分别具有冷却管连接器的第一端和第二端。高电阻冷却管的一端与基板中的冷却通道连接，高电阻冷却管的另一端与冷却管连接器的第一端连接。金属冷却管的一端与冷却管连接器的第二端连接，金属冷却管的另一端接地。本发明通过高电阻冷却管的高电阻特性避免因静电电荷而产生电弧现象，另一方面通过冷却管接地而将静电电荷导走，从而降低静电吸盘失效的机率，并提高晶圆移动的安全性。
冷却管组件冷却装置等离子体处理设备

[发明专利]一种气相沉积装置及基片处理方法-CN202310582413.4有效
发明人：许灿;龚岳俊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种气相沉积装置及基片处理方法。气相沉积装置包括：反应腔；基座组件，设置于反应腔的底部，包括用于承载基片的中心区域和环绕中心区域的边缘区域，基座组件可在一高位和一低位之间移动；气体喷淋头，与基座组件相对设置于反应腔的顶部，用于通入多种制程气体，气体喷淋头的下表面与基座组件的中心区域的上表面之间为一反应空间；设置基座组件位于高位，基座组件的边缘区域与气体喷淋头的下表面形成围绕反应空间的第一抽气通道；以及，第二抽气通道，其围绕第一抽气通道，第二抽气通道的流导大于第一抽气通道的流导，使制程气体经过第一抽气通道、第二抽气通道两级阻碍后排出。本发明能够改变抽气流导，平衡气体分布和清洁效率。
一种沉积装置处理方法

[发明专利]加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法-CN202111581323.0在审
发明人： 龚岳俊;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法，用于化学气相沉积设备，所述加热装置包括：加热器底座，所加热器底座上可用于承载一待处理基片。固定边环，其套设在加热器底座上，一缓冲腔和一间隙位于固定边环与加热器底座之间。间隙包括水平间隙和倾斜间隙，水平间隙的一端与缓冲腔连通，另一端与倾斜间隙连通，倾斜间隙的一端开口朝向基片边缘。若干个中空的气塞，其环绕加热器底座边缘周向间隔设置在加热器底座内。每一气塞中设有通孔用于向缓冲腔中通气。本发明能够提高对基片边缘吹扫均匀性。
加热装置化学沉积设备方法

[发明专利]腔室监控系统及化学气相沉积设备-CN202111357149.1在审
发明人：陶珩;姜勇;龚岳俊;马诗阳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室监控系统，应用于化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备的反应腔的腔壁设有一探测通道，所述探测通道的顶端开有一连通所述反应腔内部的窗口；所述腔室监控系统包括：透明的石英管，其具有封闭的第一端和开放的第二端，所述第一端伸入所述探测通道，所述石英管的外侧壁与所述反应腔的腔壁之间形成密封；内窥镜，包括一摄像头，所述摄像头由所述第二端伸入所述石英管中并移动至所述窗口处，用于监控所述反应腔的内部。相应的，本发明还提供一种化学气相沉积设备，安装有上述的腔室监控系统。本发明能够反应腔室内部状态的实时监控，同时也能保证反应腔密封性，防止泄漏。
监控系统化学沉积设备

[发明专利]一种化学气相沉积设备及其气体混合装置-CN202111435929.3在审
发明人： 龚岳俊;李雪子 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种化学气相沉积设备及其气体混合装置，化学气相沉积设备包含反应腔和位于反应腔内部上方的气体喷淋头，位于气体喷淋头上方的气体混合装置包含：具有主气体通道和第二气体通道的主体结构，以及设置在主气体通道内的气流塞。主气体通道的进气端连接至第一反应气体源，出气端朝向气体喷淋头，第二气体通道的进气端连接至第二反应气体源，出气端连接至所述主气体通道。气流塞具有柱状的弹身部，弹身部包括第一端和第二端，第一端朝向主气体通道进气端，第二端朝向主气体通道出气端，第二端包括一呈锥状结构的气体导流部。本发明能够实现较高的气体混合均匀度，从而降低了气体喷淋头的工艺复杂度，进一步降低了设备成本。
一种化学沉积设备及其气体混合装置

[发明专利]一种气体分配件、气体输送装置及其薄膜处理装置-CN202211231507.9有效
发明人：李雪子;周宁;龚岳俊;许灿 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体分配件、气体输送装置及其薄膜处理装置，该气体分配件包括相对设置的第一表面和第二表面，气体分配件内设置有气体扩散通道，其包括底面凸出于第二表面的凹陷部，凹陷部将第二表面下方区域分割为内部区域和外围区域，凹陷部包括环绕内部区域的第一侧壁和环绕第一侧壁的第二侧壁，第一侧壁包括第一气体通道，第二侧壁包括第二气体通道，气体扩散通道内的气体分别经第一气体通道和第二气体通道进入内部区域和外围区域。其优点是：该气体分配件通过第一气体通道和第二气体通道朝不同区域输出工艺气体，基于流动对流和扩散的原理实现工艺气体的均匀分布同时还可使工艺气体保持较高的流速，有助于提升晶圆薄膜沉积的良品率和产量。
一种气体配件输送装置及其薄膜处理

[发明专利]基片承载组件、化学气相沉积设备及吹扫方法-CN202110345652.9在审
发明人： 龚岳俊;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片承载组件、化学气相沉积设备及吹扫方法，所述基片承载组件包括：遮挡盖，与化学气相沉积设备设有的安装开口边缘连接；支撑基座，支撑基座包括轴结构和基片托盘；遮挡盖上设有与轴结构相匹配的轴孔，使轴结构穿过轴孔；轴结构的顶端与基片托盘连接，轴结构的底端贯穿轴孔设置在一升降机底座上遮挡盖的轴孔孔壁与轴结构外侧壁之间的缝隙构成气体通路。本发明能够提高对基片托盘的底部吹扫均匀性。
承载组件化学沉积设备方法

[实用新型]一种集成有气体输送系统的等离子体刻蚀设备-CN202120903501.6有效
发明人： 龚岳俊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成有气体输送系统的等离子体刻蚀设备，其包含：设备箱体、设于设备箱体内的若干个反应腔、集成于设备箱体内的气体输送系统；其中，气体输送系统包含：用于通入反应腔内的第一气体源，第一气体源包含腐蚀性气体；气体输送系统与反应腔相邻，以实现通入反应腔内的气体的快速切换。本实用新型将储存有腐蚀性气体的气体输送系统集成到刻蚀设备的设备箱体内，可满足特殊的TSV工艺中刻蚀步骤和沉积步骤需要快速交替的要求。
一种集成气体输送系统等离子体刻蚀设备

[发明专利]真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法-CN201911379900.0在审
发明人： 龚岳俊;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法，该基台的驱动装置包括用于承载所述基台的支撑部件和至少两个驱动单元，所述驱动单元的驱动端与所述支撑部件连接，各所述驱动单元的驱动端与所述支撑部件的连接位置相对所述支撑部件的竖向中心线对称设置，以驱动所述支撑部件沿竖向升降。该驱动装置的结构设计能够提高晶片在真空处理系统的真空腔室竖直升降的可靠性，降低升降过程中偏斜的机率，精确控制晶片与喷头之间的间隙。
真空处理系统驱动装置及其控制方法

[发明专利]一种等离子体处理装置及其气体喷嘴、气体喷嘴组件-CN201911368559.9在审
发明人： 龚岳俊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体处理装置及其气体喷嘴、气体喷嘴组件，该气体喷嘴的本体具有喷嘴内腔及向处理装置的处理腔内输送工艺气体的喷气孔，所述喷嘴内腔包括进气分布腔和出气缓冲腔；所述进气分布腔和出气缓冲腔的容积V≤1/4V1，其中，V1为所述气体喷嘴的本体体积。本方案基于气体喷嘴的结构改进，可规避喷嘴腔内的等离子体点燃风险，有效提升安全可靠性。
一种等离子体处理装置及其气体喷嘴组件

[发明专利]一种半导体加工设备-CN201510735219.0有效
发明人： 龚岳俊;何乃明;吴狄;倪图强 -专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体加工设备，包含：反应腔；圆柱形陶瓷窗，圆柱形陶瓷窗为中空结构，其一端与反应腔联通；承载窗，设置在反应腔与圆柱形陶瓷窗之间，承载窗设有通孔，连通反应腔与圆柱形陶瓷窗；进气环，与承载窗相对，设置在圆柱形陶瓷窗的另一端；上盖，与圆柱形陶瓷窗相对设置在进气环的另一侧；法拉第屏蔽装置，套设在圆柱形陶瓷窗的外侧，且设置在承载窗与进气环之间；线圈组件，套设在法拉第屏蔽装置的外侧，且设置在承载窗与进气环之间；导向环，设置在圆柱形陶瓷窗内，且与进气环的底表面连接。本发明通过在进气环的底表面设置导向环，有效改变刻蚀气体的进气路径，提高射频耦合的均一性，有效提高刻蚀气体的解离程度。
一种半导体加工设备

[发明专利]一种均匀抽真空的双工位真空处理器-CN201611225147.6有效
发明人： 龚岳俊;左涛涛;倪图强;吴狄;周宁;陈国强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种均匀抽真空的双工位真空处理器，设置有可作为工艺处理反应室的两个真空处理腔，和连通这两个真空处理腔的共用的偏心抽气口及真空泵，其中每个真空处理腔内在靠近偏心抽气口的区域设有在竖直方向具有设定厚度的阻尼体，来降低对抽气口近端气体的抽气速率，来与抽气口远端气体的抽气速率平衡，改善腔体偏心对工艺处理均匀性的影响。本发明还可以在作为阻尼体的筋条内部进一步开设连通腔体外部大气环境的通道，方便腔内缆线管路与外界的连接。
抽气口偏心真空处理腔真空处理器工艺处理抽真空双工位阻尼体抽气外部大气环境缆线管路连通腔体速率平衡反应室均匀性真空泵筋条近端腔内腔体竖直远端连通

[发明专利]晶片顶升装置及其顶升方法-CN201511003533.6有效
发明人： 龚岳俊;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种晶片顶升装置及其顶升方法，利用第一顶升组件完成第一顶升阶段，微型气缸驱动顶杆组件上升顶起晶片，使晶片与静电吸盘分离，利用第二顶升组件完成第二顶升阶段，气缸进一步驱动微型气缸和顶杆组件将晶片顶升至设定距离。本发明采用微型气缸来实现第一阶段顶升过程，利用微型气缸来调节顶杆的顶升高度和顶升速度，获得相同的顶升时间和顶升力，微型气缸的行程短，合理控制微型气缸的进气量可以实现轻柔稳定的顶升过程，防止晶片受损，微型气缸的体积小，节省了空间，采用多个微型气缸实现第一阶段顶升，而利用一个气缸实现第二阶段顶升，更加灵活，且降低了成本，不需要采用氦气，避免了晶片被污染的风险。
晶片装置及其方法

[发明专利]一种电感耦合等离子处理器-CN201511012711.1有效
发明人： 龚岳俊;吴狄;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种电感耦合等离子处理器，包括：一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁以及反应腔侧壁顶部依次叠放的一气体聚焦环、一上盖环，上盖环上方的绝缘材料窗。所述气体聚焦环包括中心的开口部和外侧的环形部，外侧环形部的上下表面通过环形密封圈与反应腔侧壁顶部以及上盖环实现密封。其特征在于所述上盖环下表面包括多个凹进的空腔，空腔内包括：弹性部件提供向下压力，一顶推部件包括上端连接到弹性部件，所述顶推部件可在弹性部件的驱动下进行上下移动，一限位部件固定到空腔内壁，所述限位部件包括横向延展的阻挡部以限制顶推部件的移动范围。
一种电感耦合等离子处理器

[发明专利]一种感应耦合型等离子体处理装置-CN201510789610.9有效
发明人：倪图强;何乃明;吴狄;龚岳俊 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种感应耦合型等离子体处理装置，包含：底部与反应腔室顶部连通的套筒；连接射频源的感应耦合线圈，通过支撑组件环绕在法拉第屏蔽件外侧，使射频耦合通过法拉第屏蔽件的开口作用于其内侧的套筒。套筒的顶部和底部分别嵌入进气板外环部分和下支撑环，利用进气板外环部分的底部内侧、套筒的顶部外侧、法拉第屏蔽件的上凸缘顶部的装配间隙来设置第一密封圈，利用下支撑环的顶部内侧、套筒的底部外侧、法拉第屏蔽件的下凸缘底部之间形成的装配间隙来设置第二密封圈。本发明对于通过法拉第屏蔽件的射频耦合能够进行有选择的控制，在法拉第屏蔽件上设置对线圈校准及安装的支撑组件及实现对介电套筒的可靠密封，而避免对介电套筒的额外加工。
法拉第屏蔽件套筒密封圈感应耦合型等离子体处理装置介电套筒射频耦合下支撑环支撑组件装配间隙进气板感应耦合线圈反应腔室开口作用可靠密封上凸缘射频源下凸缘校准连通嵌入环绕加工

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