[发明专利]晶片顶升装置及其顶升方法

摘要

一种晶片顶升装置及其顶升方法，利用第一顶升组件完成第一顶升阶段，微型气缸驱动顶杆组件上升顶起晶片，使晶片与静电吸盘分离，利用第二顶升组件完成第二顶升阶段，气缸进一步驱动微型气缸和顶杆组件将晶片顶升至设定距离。本发明采用微型气缸来实现第一阶段顶升过程，利用微型气缸来调节顶杆的顶升高度和顶升速度，获得相同的顶升时间和顶升力，微型气缸的行程短，合理控制微型气缸的进气量可以实现轻柔稳定的顶升过程，防止晶片受损，微型气缸的体积小，节省了空间，采用多个微型气缸实现第一阶段顶升，而利用一个气缸实现第二阶段顶升，更加灵活，且降低了成本，不需要采用氦气，避免了晶片被污染的风险。

主权项

1.一种晶片顶升装置，设置在等离子体刻蚀腔体内，刻蚀腔体内设置有设备盘(3)、设备盘(3)上设置静电吸盘(2)，静电吸盘(2)和设备盘(3)上都具有若干通孔，晶片吸附在静电吸盘(2)上，设备盘(3)上的通孔与静电吸盘(2)上的通孔形成导向通道(21)，其特征在于，该晶片顶升装置包含：若干第一顶升组件，其穿过导向通道(21)设置在晶片下方，用于完成第一顶升阶段，将晶片顶升至与静电吸盘分离；第二顶升组件，其与所有的第一顶升组件机械连接，用于完成第二顶升阶段，继续将晶片顶升至设定距离；所述的第一顶升组件包含：微型气缸(101)以及与微型气缸(101)连接的顶杆组件，微型气缸(101)通过活塞(102)驱动顶杆组件上升顶起晶片；所述的第二顶升组件包含：气缸(201)以及连接气缸(201)和微型气缸(101)的若干连接组件，气缸(201)利用气缸活塞(202)通过连接组件进一步驱动微型气缸(101)和顶杆组件将晶片顶升至设定距离。