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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法-CN201310264748.8有效
发明人：范荣伟;倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法，包括：将晶圆流片至在硅片上形成了氮化硅薄膜的步骤；将表面形成有氮化硅薄膜的多个晶圆分别置于多个不同真空度的真空环境中预定时间；将标准大气压分别除以所述多个不同真空度的气压，得到多个不同比值作为所述多个不同真空度的真空度系数；针对所述多个晶圆，采用需要检测的光阻原材料进行光刻工艺，并在光刻后检查光阻显影不足缺陷，识别出所述多个晶圆中没有缺陷的无缺陷晶圆和有缺陷的缺陷晶圆；将光阻与氮化硅薄膜之间的契合度确定为：大于或等于无缺陷晶圆所处的真空环境中的最大的真空度系数，并小于缺陷晶圆所处的真空环境中的最小的真空度系数。
应用真空环境检测氮化薄膜契合方法

[发明专利]检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法-CN201310286389.6有效
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，包括：实现N阱中布置PMOS器件的结构；在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中进行填充；利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，去除通孔蚀刻光罩；去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料；执行蚀刻，直到蚀刻透阻挡层。
检测蚀刻不足缺失缺陷方法

[发明专利]测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法-CN201310256841.4有效
发明人：范荣伟;刘飞珏;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的利用N型源结构测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法，包括：在半导体衬底上建立测试模块矩阵；对测试模块矩阵中的各个测试模块区域进行离子注入，使各个测试模块的结构均形成NMOS/P型阱区结构；经光刻和刻蚀工艺，在各个测试模块上形成接触孔；平坦化接触孔后，采用电子束缺陷扫描仪在正负载条件下对接触孔进行缺陷检测，得到漏电影像特征图；根据漏电影像特征图测算栅极间的接触孔与多晶硅栅极的对准偏差值。本发明的方法不仅可以统计到接触孔和多晶硅栅极的对准偏差的缺陷分布图和严重程度，还可以为在线监控提供理论基础，为半导体器件的在线制造与良率提升提供保障。
测算接触多晶栅极对准偏差方法

[发明专利]测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法-CN201310256206.6有效
发明人：范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的利用P型源结构测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法，包括：在半导体衬底上建立测试模块矩阵；对测试模块矩阵中的各个测试模块区域进行离子注入，使各个测试模块的结构均形成PMOS/N型阱区结构；经光刻和刻蚀工艺，在各个测试模块上形成接触孔；平坦化接触孔后，采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对接触孔进行缺陷检测，得到漏电影像特征图；根据漏电影像特征图测算栅极间的接触孔与多晶硅栅极的对准偏差值。本发明的方法不仅可以统计到接触孔和多晶硅栅极的对准偏差的缺陷分布图和严重程度，还可以为在线监控提供理论基础，为半导体器件的在线制造与良率提升提供保障。
测算接触多晶栅极对准偏差方法

[发明专利]检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法-CN201310264880.9在审
发明人：范荣伟;倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法，方法包括以下步骤：提供一检测晶圆；采用第一类型离子对所述检测晶圆进行阱区离子注入工艺，以在所述检测晶圆中形成同一类型的阱区；继续采用第二类型离子对所述检测晶圆进行有源区离子注入工艺，以在所述检测晶圆中形成同一类型的有源区；于形成有阱区和有源区的检测晶圆上制备栅极结构和接触孔后，对将所述检测晶圆进行接触孔平坦化工艺，并继续对该检测晶圆进行检测工艺，以确定漏电的接触孔位置；根据所述漏电的接触孔位置检测所述多晶硅栅极与所述接触孔对准度；其中，所述第一类型离子与所述第二类型的离子的类型相反。
检测多晶栅极接触对准方法

[发明专利]改善晶圆边缘光滑度的装置及方法-CN201310264683.7在审
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造工艺中，具体涉及一种改善晶圆边缘光滑度的装置及方法，包括一可旋转的平台，平台上下方分别设置有至少一根清洗管，每根清洗管与平台之间的角度为40～60°；将一边缘具有膜材的晶圆放置吸附在平台上，平台可带动晶圆进行旋转，然后利用清洗管喷射出湿法清洗液对晶圆边缘表面进行湿法清洗，以去除晶圆边缘的多余的膜材或其他介质层，进而提高了晶圆边缘表面的光滑度，避免在后续的工艺中由于晶圆边缘的膜材脱落进而影响生成工艺。
改善边缘光滑装置方法

[发明专利]一种可按照工艺晶圆数量负载动态调整的缺陷抽检方法-CN201310264843.8有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种可按照工艺晶圆数量负载动态调整的缺陷抽检方法，采用如下步骤：预设一缺陷检测数据服务器；将正常生产时缺陷检测站点的基准抽检频率和不同缺陷检测程序的作业速率输入保存到所述缺陷检测数据服务器中；所述缺陷检测数据服务器根据所述缺陷检测站点中每台缺陷检测设备的实时状态计算所述缺陷检测站点的实时产能，并自动更新所述缺陷检测站点的基准抽检频率。采用本发明涉及的方法有效避免了由于缺陷检测产能的动态变化而导致生产速度的变慢和生产成本上升的问题，根据工艺晶圆数量负载动态变化调整缺陷抽检的频率，有效地提高了集成电路生产的速度，缩短了生产周期的，并最终降低了生产成本。
一种按照工艺数量负载动态调整缺陷抽检方法

[发明专利]一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法-CN201310264809.0有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法，包括如下步骤：提供一用于确认光刻工艺窗口的晶圆；设定所述晶圆中的基准芯片；将所述晶圆中的非基准芯片按照光刻能量与焦距的矩阵分布排列；先后对所述基准芯片、所述非基准芯片进行曝光；先后对所述曝光后的基准芯片、所述曝光后的非基准芯片进行缺陷检测；将所述曝光后的基准芯片的缺陷检测结果与所述曝光后的非基准芯片的缺陷检测结果进行比对，以得到确认的光刻工艺窗口；其中，所述基准芯片为确定基准光刻工艺条件的芯片。本发明可以对光刻工艺进行准确的定量分析，得到的光刻工艺窗口确认数据，具有非常好的精确性和容易理解的高可读性。
一种准确定量缺陷检测确认光刻工艺窗口方法

[发明专利]一种芯片缺陷检测方法-CN201310264833.4有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片缺陷检测方法，方法包括以下步骤：提供一表面制备有多个相同芯片的晶圆，且该多个相同芯片在所述晶圆上呈矩阵式排列；选定一待测芯片，并根据该待测芯片选择至少两个对比芯片，由所述待测芯片和全部的所述对比芯片构成的一芯片组，该芯片组中的芯片均等间距的分布于同一直线上；获取所述待检测芯片和所述对比芯片的数据图像；将每个所述对比芯片的数据图像分别与所述待测芯片的数据图像进行一一对比后，若发现异常，则该待测芯片具有缺陷；其中，所述芯片组中相邻的芯片之间的间距值为N，且N为正整数。
一种芯片缺陷检测方法

[发明专利]芯片缺陷的高精度检测方法和扫描方法-CN201310264649.X有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及芯片缺陷的扫描方法，所述方法包括以下步骤：提供一制备有多个芯片的待测晶圆；在所述待测晶圆上选取位于同一直线上的若干芯片，采用第一入射光源对所述同一直线上的若干芯片进行第一次扫描，得到第一缺陷检测结果；采用第二入射光源对所述同一直线上的若干芯片进行第二次扫描，得到第二缺陷检测结果；对所述第一缺陷检测结果和所述第二缺陷检测结果进行整合，得到完整的缺陷检测结果；其中，所述第一次扫描与所述第二次扫描的方向相反。
芯片缺陷高精度检测方法扫描

[发明专利]一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法-CN201310264774.0有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法，包括如下步骤：选取所述芯片设计电路图形中的特征电路图形；将缺陷检测设备扫描得到的缺陷位置文件输入到所述服务器中，所述服务器将所述缺陷位置文件转换为带有所述特征电路图形的缺陷文件；将所述缺陷文件导入到电子显微镜中；所述电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置。利用本发明的技术，采用电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置并进行拍照，节省了不断地在相邻芯片进行拍照的步骤，大大提高了设备的有效运作效率，同时也可以避免相邻芯片重复缺陷捕捉失败。
一种按照电路图形进行缺陷检测电子显微镜分析方法

[发明专利]检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法-CN201310264868.8有效
发明人：范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法，通过薄膜沉积工艺后，对采用不同条件光刻工艺制备的光刻胶，进行真空处理后，检测光刻胶上有没有缺陷，进而判断出该光刻工艺与之前的薄膜沉积工艺之间的契合度的范围，以对该光刻工艺进行工艺窗口的优化，进而提高产品的形成和良率。
检测光刻工艺薄膜沉积契合方法

[发明专利]检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法-CN201310264726.1有效
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测多晶硅栅极与接触孔对准度的方法，所述方法包括以下步骤：提供一待检测的晶圆，所述待检测的晶圆上包括多晶硅栅极和接触孔；采用电子束缺陷扫描仪在正负载条件下对所述晶圆进行漏电缺陷检测，获取若干第一漏电接触孔的位置；采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对所述晶圆进行漏电缺陷检测，获取若干第二漏电接触孔的位置；在若干第一漏电接触孔与若干第二漏电接触孔中获取由多晶硅所连接的第一漏电接触孔和第二漏电接触孔，所述第一漏电接触孔与所述第二漏电接触孔与其底部的所述多晶硅存在对准偏差。
检测多晶栅极接触对准方法

[发明专利]检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法-CN201310262927.8有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测接触孔与多晶硅栅极对准度的方法，包括：准备检测待检测晶圆，将待检测晶圆流片到阱区离子注入步骤，跳过N阱离子注入步骤，并将P阱离子注入改为无光阻离子注入，使晶圆基底全部成为P离子区；将待检测晶圆继续流片到有源区离子注入，跳过P有源区离子注入步骤，将N源区离子注入改为无光阻离子注入；将晶圆流片到接触孔平坦化制程，并在接触孔平坦化制程后应用电子束缺陷扫描仪对待检测晶圆进行漏电缺陷检测。
检测接触多晶栅极对准方法

[实用新型]一种无人航拍飞机飞行控制系统-CN201220647826.3有效
发明人：龙吟;王家云;龙宇 -专利权人：贵州新视界航拍科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： B64C13/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无人航拍飞机飞行控制系统，它包括GPS定位仪、飞行控制器、动力控制装置和姿态控制装置，GPS定位仪与飞行控制器电连接，飞行控制器与动力控制装置和姿态控制装置电连接，空速管与飞行控制器电连接；解决了GPS定位仪由于天气和空气密度等外界影响，会产生丢心现象，导致无人航拍飞机定位速度偏高或偏低影响飞行安全等问题。
一种无人航拍飞机飞行控制系统

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