专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种栅氧层的制备方法-CN201610854700.6有效
  • 范荣伟;张红伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-09-27 - 2019-10-22 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种栅氧层的制备方法,首先在硅衬底表面采用第一O2分压来快速生长初始栅氧层,然后,在初始栅氧层表面采用第二O2分压且降低生长速率来生长新栅氧层,初始栅氧层的厚度与新栅氧层的厚度总和为目标厚度,快速生长初始栅氧层,得到一定厚度的初始栅氧层,降低生长速率来生长新栅氧层,可以在初始栅氧层表面得到均匀的且不易分解的新栅氧层,这是因为,降低栅氧层的生长速率,即是降低O与Si的反应速率,从而可以确保O与Si的反应充分来生成SiO2,同时避免SiO2与Si生成2SiO造成初始栅氧层以及新栅氧层的缺失,进一步得到均匀的栅氧层。
  • 一种栅氧层制备方法
  • [发明专利]图形光罩连接孔缺陷检查测试结构及方法-CN201710225567.2有效
  • 范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-04-07 - 2019-09-17 - H01L21/66
  • 本发明提供一种图形光罩连接孔缺陷检查测试结构及方法,在衬底上进行阱离子、源漏离子注入后,沉积金属硅化物层,并且光刻形成孔或者沟槽,在孔或者沟槽内沉积金属硅化物阻止层,在金属硅化物层上沉积金属层,在金属硅化物阻止层上沉积第一介电质层,然后在上述结构上沉积第二介电质层,在该第二介电质层形成连接孔,该测试结构上的连接孔就是用被测试的图形光罩光刻形成的,然后对该连接孔进行沉积金属形成金属栓,对其扫描电子束,也即扫描电镜下每个连接孔的亮度来确定该连接孔是否存在了缺陷,就可以找出图形光罩上该连接孔图案是否具有缺陷。这种测试结构排除连接孔被沟槽干扰的问题,能够单纯地找出仅由图形光罩连接孔图案造成的缺陷。
  • 图形连接缺陷检查测试结构方法
  • [发明专利]量测群组设备及量测方法-CN201410377345.9有效
  • 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-08-01 - 2019-08-06 - H01L21/67
  • 本发明提供一种量测群组设备及量测方法,包括:分析模块和运输模块,通过分析模块控制待量测产品在量测群组设备和后续工艺设备之间的分配、以及控制运输模块将待量测产品运输到后续设备;运输模块,与分析模块相连,用于向后续设备中搬运待量测产品。本发明的量测方法,包括:在量测群组设备的分析模块中设定量测群组设备的最大量测数量;分析模块判断待量测产品的数量是否超过量测群组设备的最大量测数量;判断结果为是,则分析模块开始分析所述后续工艺设备的生产能力;后续工艺设备出现闲置情况,则分析模块向所述运输模块发送跳站指令;运输模块接收到跳站指令,将待量测产品搬运到后续工艺设备中,从而加快产品流通。
  • 量测群组设备方法
  • [发明专利]静态存储器的在线失效分析方法及在线电子束检测设备-CN201410377359.0有效
  • 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-08-01 - 2019-07-09 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种静态存储器的在线失效分析方法和在线电子束检测设备,包括:将不同类型的探针安装到在线电子束检测设备的腔体中;将晶圆置于在线电子束检测设备的腔体中;利用在线电子束检测设备对接触孔进行扫描并获得静态存储器中接触孔的图像信息;根据接触孔的图像信息找出产生缺陷的接触孔;根据产生缺陷的接触孔的类型来选择与之相对应的探针;在线电子束检测设备控制所选择的探针与相应的产生缺陷的接触孔相接触,并进行电性能检测;根据产生缺陷的接触孔在静态存储器单元中的功能,在线电子束检测设备将探针进行组合来检测功能并进行失效分析;检测到功能失效,则产生缺陷的接触孔是导致静态存储器失效的原因。
  • 静态存储器在线失效分析方法电子束检测设备
  • [发明专利]一种产品通孔刻蚀缺陷的检测方法-CN201410377465.9有效
  • 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-08-01 - 2019-06-21 - H01L21/66
  • 一种产品通孔刻蚀缺陷的检测方法,首先建立被检测产品的通孔导电层测试模块,在该测试模块上沉积有相互连通的且参考被检测产品的图形结构通孔布局尺寸设计的金属线;在建立测试模块的硬掩膜刻蚀工艺中,产品中各通孔在硬掩膜层的各投影所在各区域之间有光阻进行隔离,原来连接各通孔的沟槽结构改进为不连续的沟槽结构或者通孔结构;然后进行绝缘层通孔刻蚀并在通孔中填铜和平坦化;最后应用电子束缺陷扫描仪进行检测;该方法能避免在检测刻蚀不足缺陷时的法拉第杯的影响,同时也克服了在铜平坦化后不能检测到所有通孔缺陷的问题,从而提高了通孔缺陷检测的成功率,以为工艺窗口的优化提供数据参考,为半导体在线制造与良率的提升提供保障。
  • 一种产品刻蚀缺陷检测方法
  • [发明专利]消除电子束扫描导致的缺陷的方法-CN201611087812.X有效
  • 范荣伟;陈宏璘;龙吟;蔡坤 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-11-30 - 2019-05-31 - H01L21/26
  • 本发明提供一种消除电子束扫描导致的缺陷的方法,提供一晶圆,所述晶圆进行过第一次电子束扫描工艺;对经过第一次电子束扫描工艺的晶圆进行表面处理工艺,直至将位于所述晶圆表面的残留电荷消除,具体地,这种表面处理工艺包括将晶圆进行第二次电子束扫描、放入真空腔体静置,然后对晶圆进行热处理和使用离子溶液对晶圆表面进行清洗这两种工艺的至少一种。使用上述方法能够使晶圆表面的残留电荷被消除或者使电荷重新有序排列,不用破坏晶圆的结构,简单方便,能有效提高晶圆的良率。
  • 消除电子束扫描导致缺陷方法
  • [发明专利]一种连接孔图形光罩缺点的检测方法-CN201610884418.2有效
  • 范荣伟;袁增艺;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-10-10 - 2019-05-14 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种连接孔图形光罩缺点的检测方法,通过设计连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构,并应用“三步法”进行光罩缺点确认,第一步在第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上实现准光罩缺点的甄别,第二步通过在第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上进行定点观察,实现准光罩缺点的可重复性确认,第三步通过对确认有准光罩缺点的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆,在连接孔填充平坦化后进行缺陷观察,实现光罩缺点的最终确认。对连接孔光罩缺点,应用本发明无论信号强弱均能有效地检测出来,为光罩缺点修复和光刻工艺窗口的优化提供了数据指标,并能够排除工艺本身存在的潜在问题,为先进工艺产品研发缩短了时间。
  • 一种连接图形缺点检测方法

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