“龙吟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果315个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种排除电性噪声干扰的方法-CN201510716961.7在审
发明人：王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种应用于半导体器件电性测试工艺的排除电性噪声干扰的方法，在半导体器件可接受测试(WAT)前，针对微小电流测试，以聚焦电子束做预处理，利用器件各组成部分形成的单一P型/N型结构，利用表面电荷积累形成的电势差使材料内无序电荷在电场作用下向一端聚集并释放，以排除电性干扰对测试的影响，从而使得后续的电性测试获得稳定准确的测试结果。
一种排除噪声干扰方法

[发明专利]一种利用真空吸盘固定晶圆的系统及方法-CN201510663041.3在审
发明人：王洲男;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺改良领域，尤其涉及一种利用真空吸盘固定晶圆的系统及方法，通过非晶边接触的晶背真空吸盘吸附固定方式取代原有的晶边接触式固定方式，并连接传动装置实现匀速运转，在保证了工艺技术要求的同时，也避免了晶边接触受力的问题，从而降低了由于晶边受力不均匀造成的破片现象。
一种利用真空吸盘固定系统方法

[发明专利]解决双型有源区图形晶圆上硬掩膜层氮化硅残留的方法-CN201510435919.8在审
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种解决双型有源区图形晶圆上硬掩膜层氮化硅残留的方法，包括：在晶圆衬底上依次生长不同的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；通过光刻和刻蚀工艺形成所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的图案，并且在所述晶圆衬底中形成第一类凹槽和第二类凹槽；涂覆光阻，使得所述光阻覆盖所述第一类凹槽，并暴露所述第二类凹槽；进一步刻蚀被所述光阻暴露的所述第二类凹槽，以使得所述第二类凹槽在所述晶圆衬底中的深度加深，从而使得所述第二类凹槽在所述晶圆衬底中的深度大于所述第一类凹槽在所述晶圆衬底中的深度；去除所述光阻；去除所述第二硬掩膜层。
解决有源图形晶圆上硬掩膜层氮化残留方法

[发明专利]一种避免晶边铝剥落缺陷源头的方法及装置-CN201510430121.4在审
发明人：范荣伟;龙吟;王恺;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免晶边铝剥落缺陷源头的方法及装置，通过在工艺腔中设置一掩蔽罩，对沉积有铝薄膜的晶圆表面中间区域进行掩蔽保护，并应用物理气相沉积方法在晶圆边缘沉积铝薄膜刻蚀阻挡层，从而避免了后续晶边铝薄膜被刻蚀而产生剥落源头，可从根本上消除剥落缺陷源头，为在线缺陷去除提供保障，并为大批量晶圆生成提供良率保障。
一种避免晶边铝剥落缺陷源头方法装置

[发明专利]避免晶圆边缘剥落缺陷的方法-CN201510375659.X在审
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免晶圆边缘剥落缺陷的方法，包括：第一步骤，其中在晶圆上沉积金属薄膜；第二步骤，其中对晶圆上沉积的金属薄膜进行研磨，从而去除晶圆边缘上的铝薄膜，而仅仅留下晶圆正面的金属薄膜；第三步骤，其中对金属薄膜执行刻蚀工艺。本发明在刻蚀金属薄膜之前研磨消除了晶圆侧部边缘处的金属薄膜，由此提供了一种可以去除剥落缺陷源头的方法，从而根本上控制剥落缺陷，为良率提升做出贡献。通过应用本发明，可以从根本上消除剥落缺陷源头，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。
避免边缘剥落缺陷方法

[发明专利]氧化硅层清洗工艺及改善阱注入前光刻残留的方法-CN201510271954.0在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅层清洗工艺及改善阱注入前光刻残留的方法，所述方法将氧化硅层表面的残留氨盐去除，消除了残留的氨盐对后续的阱离子注入的影响，所述清洗工艺包括；利用氢氟酸溶液对所述氧化硅层进行厚度调整，去除部分氧化硅层；利用氨水与双氧水的溶液对厚度调整之后的氧化硅层的表面进行颗粒物去除步骤。其中，在所述颗粒物去除步骤之后进行清洗步骤，将所述去除步骤中在氧化硅层表面形成的氨盐去除。
氧化清洗工艺改善注入光刻残留方法

[发明专利]栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法-CN201510144171.6在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法，在半导体衬底上形成栅氧层之后包括：以栅氧层为阻挡层对半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测半导体衬底受到刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；基于半导体衬底的损失来分析栅氧层的缺陷。通过检测出半导体衬底的损耗缺陷来分析栅氧层的缺陷，实现了对栅氧层缺陷和器件漏电的准确和实时监测，及时发现漏电问题，克服了现有的发现缺陷问题滞后以及难以检测的问题，并且节约了时间和成本。
栅氧层缺陷检测方法器件失效定位

[实用新型]一种数字化的电网相位和频率检测装置-CN201520090427.5有效
发明人：龙吟;廖志贤 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G01R25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种数字化的电网相位和频率检测装置，包括检测装置，所述检测装置由采样模块、过零检测模块、滤波器和数字锁相环模块构成；采样模块的输入端与电网相连，采样模块的输出端分为两路，一路经滤波器与数字锁相环模块相连，一路经过零检测模块与数字锁相环模块相连，数字锁相环模块的输出端连接跟踪同步控制模块。本实用新型通过过零检测模块与滤波器相配合，将检测过程中的谐波污染信号滤除，且装置具有很大的相位裕量，属于闭环稳定系统。
一种数字化电网相位频率检测装置

[发明专利]延长测试晶圆使用寿命的方法-CN201410714879.6在审
发明人：范荣伟;柳祚钺;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了延长测试晶圆使用寿命的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法应用于电子束缺陷扫描仪抓取率检测中，包括：提供一已被电子束缺陷扫描仪扫描后的测试晶圆，所述测试晶圆的表面形成有亚稳态的化学键；采用离子溶液去除所述亚稳态的化学键，所述离子溶液的PH值为：PH>8.5或PH<5.5。本发明通过将测试晶圆与离子溶液充分接触，以修复由于电子束扫描对测试晶圆造成损坏，使测试晶圆够长期有效的监控电子束缺陷扫描仪抓取率，避免更换检测晶圆带来的多余的数据收集工作以及抓取率长期数据产生偏差，进而保证在线缺陷数据的可靠性与稳定性，为大批量晶圆生成提供良率保障达到了提高晶圆使用寿命的目的。
延长测试使用寿命方法

[发明专利]源漏极离子注入偏差的监控结构和监控方法-CN201410692944.X在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;王恺 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种源漏极离子注入偏差的监控结构和监控方法，通过在产品硅片的非功能区域中设置监控结构，并在该监控结构中的有源区中部分注入P型源漏离子，从而在监控结构中的部分区域形成P型源漏区，通过该P型源漏区中的接触孔与该P型源漏区外的接触孔在电子束扫描影像中的明暗的不同，从而当P型源漏离子工艺发生偏移导致P型源漏区的平面图形发生变化时，能够精确的通过接触孔的明暗的变化来确定离子注入工艺的偏差量。
源漏极离子注入偏差监控结构方法

[实用新型]鱼缸自动喂食换水器-CN201420618819.X有效
发明人：王咏梅;李向丽;李兆田;何晓婷;龙吟;马丽静;焦文丽 -专利权人：郑州大学;王咏梅;李向丽;李兆田;何晓婷;龙吟;马丽静;焦文丽
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： A01K61/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鱼缸自动喂食换水器，包括垂直设置在鱼缸内的绝缘导向棒，嵌装在所述绝缘导向棒上部和下部的上水位感应环和下水位感应环；绝缘导向棒上间隙套装有感应开关浮环，所述感应开关浮环的感应信号输出端与单片机的信号输入端连接；所述单片机的控制输出端分别与鱼缸抽水泵、鱼缸注水泵、喂食步进电机的控制输入端连接；所述喂食步进电机的电机轴垂直向下与设置在喂食桶内的阀板固定连接，所述喂食桶的底壁开设有喂食孔，所述阀板上开设有导料孔。本实用新型优点在于实现对观赏鱼缸的自动定时换水、喂食，解决了人们对观赏鱼喂食、换水的不便，尤其是对于经常出差的人员本实用新型优点更为突出。
鱼缸自动喂食换水器

[发明专利]一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法-CN201410441475.4在审
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过调用一光学缺陷检测设备获取晶圆中的静态存储器设计电路的两不同方向的图形数据，并根据光学缺陷检测设备中预先设定的方向转换关系对其中一种方向图形向另一种方向图形进行方向转换，并进行缺陷检测；因此本发明技术方案可以按照预先设定的检测方向可以实现对不同方向重复结构的静态存储器设计电路实现一次性扫描检测，大大提升了缺陷检测精度的同时降低了缺陷检测的成本。
一种不同方向集成电路版图缺陷检测方法

[发明专利]晶圆缺陷检测方法-CN201410377444.7在审
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆缺陷检测方法，通过将掩模版缺陷检测结果转移到晶圆缺陷检测设备中，并提高掩模版上缺陷对应位置周围的检测灵敏度，以检测实际晶圆上的缺陷，可以对在掩模版检测中发现的缺陷，在生产中验证其对实际电路的影响，从而实现掩模版缺陷检测在生产中晶圆缺陷检测的联动，对晶圆缺陷检测中难以捕捉的缺陷提高灵敏度，进而提高晶圆缺陷检测的查全率。
缺陷检测方法

[发明专利]一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备-CN201410357115.6在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;王恺 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备，用于在晶圆进行连接孔刻蚀后、进行清洗之前，对晶圆进行净化处理，通过在晶圆净化设备的腔体内按不同的方向分别设置喷射枪，可同时向旋转的晶圆支撑台上的晶圆喷射净化气体，并通过腔体上方穹顶形状的内壁中心的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，还可通过喷射枪设有的气体搅动装置或喷嘴，来进一步增强净化的效果，因此，应用本发明的晶圆净化设备既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。
一种消除连接刻蚀副产物凝结缺陷净化设备

[发明专利]一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔-CN201410357204.0在审
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳;郭浩 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化腔，用于在晶圆进行刻蚀后、清洗前，对晶圆进行前置净化处理，通过在净化腔的腔体内环绕腔体竖直中心设置的若干顶部喷射枪和若干侧壁喷射枪，可从不同方向及可调整的角度和距离同时向晶圆支撑台上旋转的晶圆喷射净化气体，并通过腔体上方的抽气管将腔体内的净化后气体及其携带的刻蚀副产物抽出，应用本发明的净化腔既可避免对晶圆、特别是对CD造成损伤，又可实现去除晶圆粘附的刻蚀副产物，从而消除了刻蚀副产物在等待清洗过程中与水反应产生的凝结物缺陷。
一种改善刻蚀副产物凝结缺陷净化