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[发明专利]一种集成电路缺陷的分析方法-CN201410163560.9在审
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路缺陷的分析方法，通过光学缺陷检测设备得出晶圆缺陷分布文件以及晶圆缺陷总分布图，并对不同种类的缺陷特征信号抽样生成缺陷预分析分布图，并通过电子显微镜对缺陷预分析分布图进行真假缺陷的快速分析，然后在此基础上对晶圆上的所有缺陷的形貌分析数量进行针对性选取，最终得到一个更加符合实际的缺陷种类分布图。
一种集成电路缺陷分析方法

[发明专利]去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法-CN201410217630.4在审
发明人：王洲男;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法，其包括：在半导体器件衬底上涂覆光刻胶；经光刻工艺，图案化光刻胶；经刻蚀工艺，刻蚀半导体器件衬底；去除光刻胶；采用有机药液和水对半导体器件衬底进行第一清洗过程；采用低浓度氢氟酸溶液对半导体器件衬底进行第二清洗过程。通过采用有机药液和低浓度氢氟酸相结合的清洗方式，即经现有的清洗过程之后，再增加一道采用低浓度氢氟酸的清洗过程，从而有效地去除了刻蚀工艺后半导体器件衬底上的聚合物残留，避免了后续工艺中聚合物覆盖在半导体器件衬底表面而形成的金属层大面积缺失的现象，提高了工艺质量。
去除大马士革工艺聚合物残留方法

[发明专利]一种检测机台机械臂出现异常的方法-CN201410164078.7在审
发明人：朱陆君;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测机台机械臂出现异常的方法，涉及半导体领域。该方法为：步骤1.采用晶圆边缘检测机台对晶圆控片的边缘进行检测，获取第一图像；步骤2.通过待检测机台的在机械臂对所述晶圆控片进行重复传送测试，判断所述机械臂是否出现异常，若是，则停止传送测试；若否，则执行步骤3；步骤3.采用晶圆边缘检测机台对经重复传送测试后的晶圆控片的边缘进行检测，获取第二图像；步骤4.根据所述第一图像与所述第二图像获取所述机械臂是否出现异常。本发明能够实时有效的监测机械臂的工作状态，如果监测到机械臂出现异常变化，可以及时有效地对机械臂进行进一步的检查，从而保证了产品的良率。
一种检测机台机械出现异常方法

[发明专利]一种晶圆批次中重复位置缺陷的检测方法-CN201410163835.9在审
发明人：倪棋梁;范荣伟;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆批次中重复位置缺陷的检测方法，该方法包括：提供一批需要进行缺陷检测的晶圆，并在每个所述晶圆上均建立相同的坐标系；获取每个所述晶圆上的所有缺陷位置，并根据所述坐标系得到对应的缺陷坐标；将任意一个所述晶圆上的缺陷坐标与其他每个所述晶圆上的缺陷坐标进行比较，以将至少重复一次的缺陷坐标均标记为重复缺陷坐标；根据所有的所述重复缺陷坐标，生成一模拟缺陷分布图。通过该方法可以实现对重复性的电路缺陷的形象的识别，大大的降低了工程判断错误的可能性。
一种批次重复位置缺陷检测方法

[发明专利]一种快速退火装置的监控方法-CN201410164077.2有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种快速退火装置的监控方法，包括：提供一晶圆衬底；于所述晶圆衬底的形成若干有源区结构，且相邻的所述有源区结构之间通过沟槽隔开；继续于所述沟槽中填充氧化物，并进行平坦化工艺；由于负载效应，所述有源区结构的部分侧壁暴露；将有源区结构部分表面暴露的晶圆衬底放入快速退火装置，以进行快速退火处理；继续对完成所述快速退火工艺的晶圆衬底进行缺陷检测，根据缺陷检测的结果监控所述快速退火装置的加热效果。利用本发明技术，通过有源区损伤的缺陷分布来确定快速退火装置加热效果发生衰减的区域，从而能及时地进行更换，进而避免对后续制备的产品造成影响。
一种快速退火装置监控方法

[发明专利]监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法-CN201410253190.8在审
发明人：范荣伟;王洲男;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，包括：在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。
监控消除尺寸缺陷导致后续工艺扩散方法

[发明专利]通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法-CN201410217928.5在审
发明人：范荣伟;王恺;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留；在去除光阻残留后进行光刻工艺。通过应用本发明，可以有效地去除剥落缺陷的源头，从而根本上避免剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。
通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合剥落缺陷方法

[发明专利]提前监控并预防连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法-CN201410216681.5在审
发明人：范荣伟;袁增艺;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种提前监控并预防连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，包括：利用晶边扫描机台进行晶边光阻宽度检测处理，以便在有源区光刻工艺后对晶圆的光阻洗边情况进行监控；根据晶边扫描机台的扫描结果跟踪建立光阻洗边情况与剥落缺陷之间的关系，得出能够产生剥落缺陷的阈值光阻残留宽度；持续在线监控晶圆上的光阻的洗边情况，并将光阻残留宽度超过阈值光阻残留宽度的晶圆作为洗边不合格晶圆进行返工操作。通过应用本发明，可以有效地提前监控剥落缺陷，并通过适当的返工避免后续工艺中剥落缺陷的发生，为在线缺陷去除提供保障，为大批量晶圆生成提供良率保障。
提前监控预防连接孔钨栓粘合剥落缺陷方法

[发明专利]预防硅片破片的方法-CN201410216682.X在审
发明人：范荣伟;王洲男;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种预防硅片破片的方法，包括：第一步骤，从将要执行的所有硅片处理工艺中筛选出工艺过程中对将被处理的硅片产生的应力大于预定应力值的特定工艺；第二步骤，在所有特定工艺执行之前对将被处理的硅片进行晶边检查；第三步骤，将检测到存在缺角的硅片进行及时报废处理。通过应用本发明，可以有效预防在线破片的发生，避免由破片带来的机台停机与污染等损失。通过及时报废此类硅片有效避免了硅片破片带来的严重影响。
预防硅片破片方法

[发明专利]一种监控电子显微镜化学油污污染的方法-CN201410216685.3有效
发明人：范荣伟;瞿燕;龙吟;刘飞珏;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种监控电子显微镜化学油污污染的方法，包括：建立短流程工艺，短流程工艺至少包括依次执行的金属阻挡层生长步骤、金属填充步骤以及金属平坦化步骤；在电子显微镜进行添加润滑油之后，选用短流程硅片，对刚好执行完金属阻挡层生长步骤后的硅片进行缺陷观察动作；将被观察的硅片按照所建立的短流程工艺流片到执行完金属平坦化步骤；在金属平坦化步骤后对硅片进行缺陷检查以确定被观察的硅片是否存在金属损伤缺陷。如果被观察的硅片不存在金属损伤缺陷，确定不存在电子显微镜化学油污污染。如果被观察的硅片不存在金属损伤缺陷，确定不存在电子显微镜化学油污污染。本发明可监控电子显微镜是否受到化学物污染，避免污染在线产品，为良率提供保障。
一种监控电子显微镜化学油污污染方法

[发明专利]避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法-CN201410217833.3在审
发明人：范荣伟;何广智;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免离子注入层后光阻导致的薄膜中毒的方法，包括：在介质薄膜上直接形成离子注入层光阻层，并利用离子注入层光阻层执行离子注入；在离子注入之后执行去除离子注入层光阻层的工艺；在执行去除离子注入层光阻层的工艺之后，全部或部分地去除与离子注入层光阻层直接接触的介质薄膜；重新生长与介质薄膜材料相同的等效介质薄膜；以及在等效介质薄膜上沉积另一介质层。通过应用本发明，可以有效避免光阻导致的薄膜中毒问题，为良率提升做出贡献。
避免离子注入层后光阻导致薄膜中毒方法

[发明专利]采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法-CN201410060338.6有效
发明人：范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：建立电容测试结构；将所述测试结构放置于监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀；采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测，判断所述电容测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则电容测试结构不存在缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。
采用电容测试结构检测多晶栅极刻蚀缺陷方法

[发明专利]采用电容衬度测试结构检测多晶硅底部桥连缺陷的方法-CN201410106602.5有效
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了采用电容衬度测试结构检测多晶硅底部桥连缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：提供一用于前段工艺制程的掩膜板；将一测试硅片按照所述前段工艺制程进行流片；当所述前段工艺制程进行至多晶硅刻蚀工艺完成后，形成一电容衬度测试结构；将所述电容衬度测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置；采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容衬度测试结构进行电子束缺陷检测，判断所述电容衬度测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则所述电容衬度测试结构不存在缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。
采用电容测试结构检测多晶底部缺陷方法

[发明专利]一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法-CN201410106633.0有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法，涉及半导体检测工艺领域，适用于晶圆缺陷的光学检测程序，包括利用掩模板通过光刻的方法将电路图投影到晶圆上，所述掩模板上设有设定缺陷；通过所述光学显微镜检测到所述晶圆上的缺陷，并验证得出当层工艺缺陷检测的灵敏度。本发明的技术方案在设定缺陷检测程序的灵敏度时进行合理的各种参数的设置，避免由于检测程序灵敏设置的不合理，导致的后续生产过程中检测的风险。
一种验证缺陷检测程序灵敏度方法

[发明专利]位错缺陷的检测方法及其应用-CN201410126968.9在审
发明人：范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种位错缺陷的检测方法，包括以下步骤：建立应力分布不均且形成有多个晶体管的测试结构，测试结构的有源区中形成有多个应力集中程度不完全相同的应力集中区域；在测试结构上形成多个连接孔并在其中填充金属，所述多个连接孔至少连接所述应力集中区域；通过电子束扫描仪扫描所述测试结构以得到所述连接孔的影像特征图；根据所述影像特征图检测所述测试结构中由应力引起的位错缺陷。本发明还提供了一种应用该位错缺陷检测的热处理工艺窗口检查方法。本发明能够快速有效地检测应力引起的位错缺陷，并为热处理工艺优化提供参考。
缺陷检测方法及其应用