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[发明专利]一种铸造材料扫描电镜图像缺陷识别与量化方法-CN202310818185.6在审
发明人：黄诗尧;丁佳俊;蒲亮兮;杨雨童;王秋锋;赵海龙;黄理;陈秋任;包祖国;韩维建 -专利权人：长三角先进材料研究院
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造材料扫描电镜图像缺陷识别与量化方法，首先对铸造材料拉伸断口的扫面电镜图片比例尺进行检测识别；根据比例尺大小分别采用数字图像处理方法和深度学习图像识别方法对缺陷进行检测识别；将识别后的缺陷通过降噪、膨胀等方法进行后处理；根据识别出来的比例尺，对处理后的缺陷进行量化统计。本方法对铸造材料扫描电镜图片中的缺陷进行准确快速识别，实现全自动化；在深度学习模型中基于待识别缺陷的特点进行了针对性的改进和调优，提高模型性能；能够准确地对缺陷进行量化，相比人工标注计算极大地提升了处理速度，十分高效的解决了定量统计方面的问题。
一种铸造材料扫描电镜图像缺陷识别量化方法

[发明专利]一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法-CN202311205921.7在审
发明人：喻超;彭云武;彭一弘 -专利权人：成都电科星拓科技有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种用于芯片框架开发新产品的成分分析方法，包括：获取芯片框架样品；对芯片框架样品做横断面处理；将横断面处理后的芯片框架样品放入扫描电镜与能谱仪，进行N次能谱映射后，获得芯片框架样品的成分分析粗略结果；其中，所述N次能谱映射包括至少一次对芯片框架样品的整体进行能谱映射以及至少一次对芯片框架样品的局部进行能谱映射；对芯片框架样品的成分分析粗略结果进行筛选，得到芯片框架样品的成分分析精确结果。本发明结合横断面处理和多次能谱映射实现了用于芯片框架开发新产品的成分分析，对未知芯片框架成分分析调研有很重要的作用，能够帮助研发新产品时确定调研的芯片框架的成分信息。
一种用于芯片框架开发新产品成分分析方法

[发明专利]一种原状黄土增湿样的扫描电镜观测装置及方法-CN201811594086.X有效
发明人：张晓周;李鑫;郭雯;卢阳春;李环环;郑策;卢玉东;李晓军 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种原状黄土增湿样的扫描电镜观测装置及方法，包括外壳、透水石、推拉杆和橡胶塞；外壳为透明外壳，透水石水平置于外壳内壁中，橡胶塞一端与透水石点连接，另一端连接推拉杆；橡胶塞连接推拉杆的一端与外壳内壁密封连接；推拉杆远离橡胶塞的一端伸出外壳内部；橡胶塞能在推拉杆的推拉下在外壳内部上下移动；橡胶塞与外壳的连接位置与透水石与外壳的连接位置之间的外壳上开设排水孔。装置结构简单，制样方便，成本较低，土样扰动小，制样期间无需注胶，可快速的批量制样，工作效率高，样品易于携带。本发明方法能够得到同一土样同一位置的多次观测影像，能够直观的对比分析同一土样、同一位置在多次浸水增湿过程中的微观结构变化。
一种原状黄土增湿样扫描电镜观测装置方法

[发明专利]一种致密油气储层孔隙演化过程分析方法-CN202310899695.0在审
发明人：林良彪;郑见超;余瑜;南凡驰;刘冯斌;唐顺成;王剑超;苏加亮;刘思雨;邓小亮 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明属于孔隙演化领域，并公开了一种致密油气储层孔隙演化过程分析方法，包括：获取待测致密油气储层区域的储层岩石，对储层岩石进行分析，得到储层岩石特征数据；通过电子扫描电镜法对所述储层岩石进行孔隙分析，得到储层岩石的孔隙图像数据；基于岩石特征数据对所述储层岩石进行孔隙度测量，得到储层岩石的孔隙结构数据；对孔隙结构数据和所述孔隙图像数据进行结合分析得到所述储层岩石的孔隙度数据；对所述孔隙度数据和所述储层岩石特征数据进行分析，得到储层岩石的孔隙度损失数据，基于所述孔隙度损失数据进行岩石孔隙结构演化分析。本发明技术方案综合考虑了成岩过程中的各种主要影响因素，能够准确判断致密油气储层的成岩演化过程。
一种致密油气孔隙演化过程分析方法

[发明专利]用于分析三维特征部的方法及系统-CN202210330501.0在审
发明人：吴冰星;钟祯新;刘春晓 -专利权人： FEI公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：基于第一表面的第一样品图像和第二表面的第二样品图像来分析样品中的多个特征部。所述第一表面包括所述多个特征部的横截面，并且所述第二表面包括所述多个特征部在相对于所述第一表面的不同样品深度处的横截面。所述第二表面是通过铣削所述样品以去除所述第一表面的至少一部分而形成。通过将所述第二图像中多个特征部的所述横截面和所述第一图像中所述多个特征部的对应横截面进行比较来构建所述多个特征部的3D模型。
用于分析三维特征方法系统

[发明专利]一种监控topcon电池背面钝化效果的方法-CN202310748427.9在审
发明人：安萍;张双玉;李蕊怡;张楠楠;陈如龙;杨阳 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控topcon电池背面钝化效果的方法：包括如下步骤：S1、提供待测样品；S2、配制腐蚀溶液；S3、将所述待测样品浸渍于所述腐蚀溶液中进行碱腐蚀，以去除所述待测样品上的poly层；S4、腐蚀后取出所述待测样品，然后清洗，吹干，用扫描电子显微镜测试形貌；S5、根据扫描电子显微镜的形貌测试结果得出topcon电池背面针孔的密度，进而推测出topcon电池背面钝化效果的好坏；其中：所述针孔的密度越均匀，表示钝化效果越好；反之则表示钝化效果差。本发明的方法工艺过程简单并且能够直接观察得到针孔的密度，使得topcon电池背面钝化效果好/坏的判定能够更为直观；本发明的方法简单且效率更高。
一种监控 topcon 电池背面钝化效果方法

[发明专利]一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法-CN202310866482.8在审
发明人：陈奕文;李钰环;罗迷;刘建党;张宏俊;叶邦角 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及用于正电子湮没多普勒展宽测量的多普勒谱仪的技术领域，具体为一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法。包括高纯锗探测器、放大器、反符合模块和数据采集处理模块，高纯锗探测器用于接收正负电子湮没产生的湮没光子并沉积能量；放大器对负指数核脉冲信号进行放大和高斯成型处理，得到高斯脉冲信号；高速数字示波器的一路采集反符合脉冲信号，另一路采集放大器的高斯脉冲信号；计算机得到高速数字示波器的双通道信号进行反符合逻辑判断，得到多普勒展宽谱并计算其S‑W参数，获得薄膜样品内缺陷信息。本发明采用反符合模块对湮没光子位置进行判断，实现了用于微米级薄膜测试的数字化反符合多普勒谱仪。
一种用于微米薄膜测试数字化正电子湮没多普勒展宽及其方法

[发明专利]一种带电粒子束扫描成像设备实际像素尺寸的获取方法-CN202111413852.X有效
发明人：刘骊松 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种带电粒子束扫描成像设备实际像素尺寸的获取方法，包括:规划晶圆上实际像素尺寸测量的工作区域；将全部待测像素对应的放大倍率区分为第一放大倍率和更高的第二放大倍率；当获取第一放大倍率的实际像素尺寸时，提取满足预设条件的模板，模板包括一或多个子模板，子模板包括子图像和/或独立特征点；当获取第二放大倍率的实际像素尺寸时，提取基于曲线的图像类模板或曲线类模板；依次获得各放大倍率对应的实际像素尺寸，其步骤均包括：移动晶圆采集目标图像，用模板在目标图像中进行匹配，获取模板的位置和匹配位置之间的目标位移，根据晶圆实际位移和目标位移获得实际像素尺寸。本发明可改进成功率、测量精度及时间成本。
一种带电粒子束扫描成像设备实际像素尺寸获取方法

[发明专利]一种等轴钛铝枝晶微观组织形貌的直接显示方法-CN202010529025.6有效
发明人：陈焕铭;吴芳芳;马晓波 -专利权人：宁夏大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种等轴钛铝枝晶微观组织形貌的直接显示新方法。该方法避免了传统等轴枝晶微观组织形貌显示需用抛光与腐蚀、或者偏光的基本过程，直接将该方法生长的等轴钛铝枝晶放置于扫描电子显微镜下进行非破坏性观察，获得具有三维立体形态的等轴枝晶微观组织形貌，充分展示等轴钛铝枝晶微观组织形貌形成的生长过程特性。本发明提供一种等轴钛铝枝晶微观组织形貌的直接显示新方法，其显示尺度为微观层次，所得组织形貌图像生动、逼真，具有非破坏、非损伤的技术特点与优势。
一种轴钛铝枝晶微观组织形貌直接显示方法

[发明专利]基于瞬发伽马光谱的人体组织密度和元素组成重建算法-CN202011222491.6有效
发明人：汪金龙 -专利权人：汪金龙
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2255 文献下载
摘要：本发明系统研究了不同元素的光谱组成，从理论上推出了组织密度和元素重建的新算法，解决了氢元素的非线性问题。并验证了三种常见碳氢氧不同组合材料的元素组成和密度，它们是聚甲基丙烯酸甲酯,戊二醇和乙二醇。分子的伽马光谱结构可以分解成其组成元素的伽马光谱的线性和非线性的组合，其组合参数可以通过伽马计数的峰值通过最小二乘法求解，进而确定元素组成以及其密度。
基于瞬发伽马光谱人体组织密度元素组成重建算法

[发明专利]一种原位力学性能测试设备用热电偶固定装置-CN201710291437.9有效
发明人：庞建超;邱宇;杨恩娜;张哲峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位力学性能测试设备用热电偶固定装置，属于高温原位装置技术领域。该装置包括热电偶夹持件和粗牙型螺栓；所述热电偶夹持件包括一体成形的夹头和细牙型螺栓，所述细牙型螺栓内设有贯穿型柱状空腔，热电偶能够穿入夹头和细牙型螺栓内的贯穿型柱状空腔中；所述粗牙型螺栓能够套装于热电偶夹持件外部，并通过压迫热电偶夹持件的夹头实现对热电偶的夹紧固定。使用时，带有陶瓷套管的热电偶穿入热电偶夹持件，再拧入粗牙型螺栓，调节陶瓷套管露出夹头部分的长度，拧紧热电偶夹持件，夹紧陶瓷套管，最后将装置装入原位设备，实现对样品的精确实时测温。
一种原位力学性能测试备用热电偶固定装置

[发明专利]一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备及检测方法-CN202211546858.9在审
发明人：马信 -专利权人：苏州宜美哲自动化科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备及检测方法，涉及半导体器件技术领域；改善无法在检测前对其表面的灰尘进行处理的问题，而本发明包括底板和设置在底板上方的放置板，所述底板与放置板之间通过连接杆固定连接，所述底板与放置板之间设置有夹持机构，所述放置板的顶部通过连接杆固定连接有顶板，所述顶板的顶部开设有滑动槽，所述滑动槽的内表面滑动连接有滑动块，所述滑动块的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机输出轴的一端固定连接有第一齿轮；本发明通过第一电机的设置，带动扫描探头移动，从而对半导体器件进行扫描，同时第一电机带动清理机构转动，对半导体器件进行清理，保证检测时的检测精度。
一种半导体器件表面缺陷视觉检测设备方法

[发明专利]确定隐藏结构元素背景的深度-CN202310324375.2在审
发明人： L·阿克曼;V·库切克 -专利权人：应用材料以色列公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：一种用于确定对象的隐藏结构元素的深度的方法，所述方法可包括：(i)获得有关在(a)指示从隐藏结构元素发射的电子的隐藏结构元素检测信号与(b)指示从隐藏结构元素的周围环境发射的电子的周围环境检测信号之间的对比度的对比度信息；其中隐藏结构元素检测信号和周围环境检测信号是作为用照射电子束对对象的区域的扫描的结果检测到的；其中所述区域包括隐藏结构元素和周围环境；以及(ii)至少部分地基于对比度信息来确定隐藏结构元素的深度。
确定隐藏结构元素背景深度

[发明专利]基于扫描电子显微镜和声光的混合计量-CN202310373232.0在审
发明人： G·舒瓦茲;O·戈拉尼;I·沙尼;I·阿尔莫格 -专利权人：应用材料以色列公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本文公开了一种用于基于声光和扫描电子显微镜的非破坏性混合计量的方法。该方法包括：(i)获得样品上被检查结构的声光和扫描电子显微镜测量数据；(ii)处理测量数据，以分别提取与声光测量数据和扫描电子显微镜测量数据相对应的关键测量参数的值；以及(iii)通过将所提取的值输入到算法中来获得被检查结构的一个或多个结构参数的估计值，该算法被配置为联合处理所提取的值以输出一个或多个结构参数的估计值。
基于扫描电子显微镜声光混合计量

[发明专利]用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法-CN202011007390.7有效
发明人：刘明德 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：该发明公开了一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，包括提供半导体样片，所述半导体样片包括层叠设置的牺牲层、支撑层和贯穿所述牺牲层和所述支撑层以暴露底部金属层表面凹坑的凹槽；将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层；于去除所述牺牲层后的半导体样片的表面黏贴胶带；将所述胶带撕除以去除所述凹坑上方的所述支撑层，裸露出所述凹坑。所述制备方法方法简单，且大大减小了用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备时间。
用于显微镜刻蚀半导体样品制备方法

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