专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于光学相位阵列的激光雷达收发天线及测距方法-CN201710687687.4有效
  • 张忠祥;杨丁宁;吴康达;杨洪强 - 深圳力策科技有限公司
  • 2017-08-11 - 2023-09-29 - G01S7/481
  • 本案公开一种基于光学相位阵列的激光雷达收发天线及测距方法,包括基于单点收发器的测距模块、信号处理模块、中央控制器和激光驱动模块,激光驱动模块和信号处理模块均与中央控制器连接;测距模块包括单点发射单元和单点接收单元,激光驱动模块驱动单点发射单元发射出一束光线,并控制该光束的光信号发射方向,单点接收单元接收被探测物反射的光信号并发送至信号处理模块进行处理,计算出探测物的位移。单点发射单元和单点接收单元可以为透射型光学相位阵列也可以为反射型光学相位阵列,发射光和接收光的中心点可以在同一个光轴,也可以在不同的两个光轴,使得激光雷达系统的收发天线设计实现成像扫描固态化,具有低成本、高信噪比等优点。
  • 一种基于光学相位阵列激光雷达收发天线测距方法
  • [发明专利]一种新型场板技术-CN202310962822.7在审
  • 程骏骥;刘家平;郭新凯;孙燕;杨洪强 - 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
  • 2023-08-02 - 2023-09-15 - H01L29/40
  • 发明属于半导体功率器件领域,涉及横向耐压结构,具体提供了一种新型场板技术,应用于硅基、碳化硅基、氮化镓基或者氧化镓基的横向半导体功率器件或者纵向半导体功率器件的结边缘终端。本发明通过弧形嵌入式源极场板来吸引耗尽区中正电荷发出的电力线,从而缓解栅极或者主结处的电场集中效应。相对包含传统矩形嵌入式源极场板和传统栅极场板在内的传统场板技术,本发明中场板末端的弧形形态更加优化了场板末端的电场分布,取得优于传统技术的电场调制效果以及抑制栅漏电容效果。同时,通过一道版图和一次腐蚀工艺,可在本发明弧形嵌入式源极场板的末端同时设置多个深度及间距可变的弧形嵌入式浮空场板,进一步优化器件的表面电场分布。
  • 一种新型技术
  • [发明专利]确定电梯到达楼层的方法、装置、介质、设备及配送系统-CN202210142817.7在审
  • 郭梦然;程波;杨洪强 - 北京三快在线科技有限公司
  • 2022-02-16 - 2023-08-25 - B66B1/34
  • 本公开涉及一种确定电梯到达楼层的方法、装置、介质、设备及配送系统,该方法应用于安装在电梯轿厢的轿厢装置,轿厢装置配置有第一金属膜,包括:接收配送机器人的呼叫信息,呼叫信息用于确定配送机器人所在的上乘楼层以及去往的目的楼层;确定电梯轿厢的运行方向,在第一金属膜感应到第二金属膜的情况下,确定第一金属膜与第二金属膜之间的电容值,第二金属膜安装于电梯井的每一楼层;在电容值达到预设阈值的情况下,根据运行方向对电梯轿厢的楼层数执行加减楼层操作,并在执行加减楼层操作后的楼层与呼叫信息中的楼层一致的情况下,确定电梯轿厢到达,并向配送机器人发送到达信息。可以提高确定电梯到达楼层的稳定性和抗干扰性。
  • 确定电梯到达楼层方法装置介质设备配送系统
  • [发明专利]确定电梯停靠楼层的方法、装置、介质及电子设备-CN202210101145.5在审
  • 杨洪强;郭梦然 - 北京三快在线科技有限公司
  • 2022-01-27 - 2023-08-08 - B66B5/00
  • 本公开涉及一种确定电梯停靠楼层的方法、装置、介质及电子设备,包括:通过采集装置采集电梯轿厢从本次加速到本次停靠途经的电梯井的墙壁特征;将墙壁特征与预先采集的参考墙壁特征进行比对,根据比对结果确定电梯轿厢的当前停靠楼层;若当前停靠楼层与机器人的呼叫信息中的楼层一致,则向机器人发送到达信息。相较于长距离确定距离楼顶或者地面的距离从而确定电梯到达的楼层,通过将从本次加速到本次停靠途经的电梯井的墙壁特征与预先采集的墙壁特征进行比对,确定电梯轿厢的当前停靠楼层,可以降低误差以及电梯井干扰的影响,提高了确定电梯停靠楼层的准确性,进而提高机器人上下电梯的准确性。
  • 确定电梯停靠楼层方法装置介质电子设备
  • [发明专利]一种磁选机及磁选方法-CN202310735340.8在审
  • 杨洪强;刘法春;宿俊强 - 临朐鼎工磁电科技有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-07-25 - B03C1/12
  • 本发明公开了一种磁选机及磁选方法,包括安装有料斗和冲洗机构的机架,料斗内设有旋转驱动总成驱动的磁滚筒,旋转驱动总成内插装有相对转动、并贯穿磁滚筒的支撑轴,支撑轴上设有靠近磁滚筒内壁布置的磁鄂板,支撑轴的一端延伸至料斗的外部、并与机架之间设有磁鄂板调节机构;机架上设有靠近磁滚筒顶部布置、并位于磁滚筒一侧的均布式进料机构,磁滚筒另一侧的机架上设有精矿箱,料斗的底部设有尾矿出料口;机架与精矿箱之间设有刮料机构。实现了矿浆与磁滚筒直接接触式吸附选矿、且矿浆均布性和均匀性高,不仅提升了铁矿的吸取效果和精矿回收率,而且无需重复磁选,选矿效率大幅提升;同时,磁鄂板的布置范围大大减小,降低了制造成本。
  • 一种磁选方法
  • [发明专利]一种非平面GaN HEMT横向功率器件-CN202210022536.8在审
  • 程骏骥;王榷阳;杨洪强 - 电子科技大学
  • 2022-01-10 - 2023-07-18 - H01L29/04
  • 本发明属于功率半导体领域,涉及GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)横向功率器件,具体提供一种非平面GaN HEMT横向功率器件。本发明通过结构创新能够有效克服上述非平面GaN HEMT横向功率器件的设计难点,具体通过成熟的硅刻蚀技术,在硅(100)晶面、硅(001)晶面或硅(010)晶面上、沿[110]方向刻蚀形成V形槽,其侧壁(111)面之间的夹角为70.52°,然后在侧壁(111)面进行GaN的极性外延生长、以及AlGaN势垒层,形成非平面的器件结构,其中的2DEG通道由源极曲折到达漏极,那么在同等器件面积的条件下2DEG通道将显著增长,最终使器件Baliga优值显著增大、性能极限得到突破,并获得进一步的可靠性提升。
  • 一种平面ganhemt横向功率器件
  • [发明专利]充电系统以及方法-CN202310180388.7在审
  • 郭梦然;程波;杨洪强 - 北京三快在线科技有限公司
  • 2023-02-15 - 2023-05-30 - H02J7/00
  • 本公开涉及一种充电系统以及方法,该充电系统包括充电桩以及配送机器人,充电桩包括充电模块、第一通信模块、第一充电极片以及第一控制模块;第一充电极片用于与处于预设充电位上的目标配送机器人的第二充电极片连接,目标配送机器人是在接收到待配送订单时,确定的配送机器人自身实际电量不满足目标电量的配送机器人;第一控制模块,用于控制第一通信模块向第一充电极片发送侦测信号,以及在接收到目标配送机器人响应于侦测信号返回的目标应答信号的情况下,根据目标配送机器人的充电参数控制充电模块通过第一充电极片对目标配送机器人充电,其中,充电参数是根据目标应答信号确定的,采用该充电系统可以提高充电安全性。
  • 充电系统以及方法
  • [实用新型]砖体预制墙板-CN202222105806.X有效
  • 杨洪盛;仇俊成;胡彦明;杨洪强 - 天津恒鼎益装配式建材有限公司;天津速珀瑞节能建材科技有限公司
  • 2022-08-11 - 2023-05-30 - E04B2/16
  • 本实用新型提供砖体预制墙板,包括砖体、立筋和加强网,砖体堆砌灌注成预制墙体,预制墙体的水平面上等距设有立筋,立筋贯穿设置在砖体上的抗震吊装孔,立筋的顶端设有吊环,立筋的底端设有底托,加强网灌注在砖体砌筑的墙体的水平缝内。本实用新型的有益效果是砖体预制墙板使施工进度更加符合装配式建筑要求,减少施工现场的施工污染。采用墙体内纵向穿墙钢筋和水平缝玄武岩丝网连接技术替代现有墙压筋,有效的提高墙体的整体抗震性能,并彻底消除了外檐清水墙脱落隐患。本方案适合工厂化加工解决了施工现场高空作业所造成的墙面水平垂直度控制不稳定,外立面落灰污染等质量问题,使人工砌砖效率提高一倍以上,适合推广使用。
  • 预制
  • [发明专利]一种GaN/Si晶体管级异质集成方法-CN202310123578.5在审
  • 程骏骥;王榷阳;杨洪强 - 电子科技大学
  • 2023-02-16 - 2023-05-26 - H01L21/8232
  • 本发明属于半导体和集成电路领域,具体提供一种GaN/Si晶体管级异质集成方法,用以克服GaN/Si异质器件的衬底晶面存在分歧的难题,实现有良好性能的GaNHEMT与Si CMOS的单片异质集成。本发明首先,采用Si(100)晶圆作为衬底,通过窗口掩膜划分形成选区区域和非选区区域;然后,在选区区域中,于硅Si(100)晶面上沿[110]晶向刻蚀形成凹槽,凹槽内至少存在一个与硅Si(100)晶面的夹角为54.74°的Si(111)晶面的侧壁,基于Si(111)晶面制作GaN HEMT器件;在非选区区域中,基于硅Si(100)晶面制作Si CMOS;最后,将GaN HEMT器件与Si CMOS通过引线互连,实现同一晶圆上的、分别基于最适晶面衬底制作的GaNHEMT器件与Si CMOS器件的集成。
  • 一种gansi晶体管级异质集成方法
  • [实用新型]一种磁棒箱-CN202320173830.9有效
  • 杨洪强;刘法春;吴文涛;宿俊强;衣光明 - 临朐鼎工磁电科技有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-04-21 - B03C1/02
  • 本实用新型公开了一种磁棒箱,包括一侧设有落磁仓的磁选箱体和多根磁棒,磁棒滑动安装于磁选箱体和落磁仓内,磁棒分布为多层、且相邻两层的磁棒相错设置,每层的多根磁棒端部共同连接一由直线动力元件驱动的驱动板,每个驱动板上均设有磁棒旋转驱动机构;磁选箱体的顶部设有物料均布机构、底部设有与物料均布机构连通的回料机构;相邻两层磁棒之间的磁选箱体内设有导料机构;落磁仓内设有刮磁机构。刮磁机构来刮除磁棒上的磁体,避免了磨损;物料均布机构对原料分布、导料机构来对原料在每层磁棒之间导送、磁棒旋转驱动机构驱动磁棒旋转,提升了磁棒与原料的接触性,提高了磁选效果和磁体去除率,通过回料机构实现自动对原料的重复磁选。
  • 一种磁棒箱

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