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[发明专利]具有离散金属堆叠图案的堆叠电感器-CN202280017822.3在审
发明人： 金钟海;C·H·芸;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电感器包括第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括第二金属化层多匝迹线，该第二金属化层多匝迹线通过至少一个第一过孔被耦合至第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括多个离散的第三金属化层迹线段，该多个离散的第三金属化层迹线段通过多个第二过孔耦合至第二金属化层多匝迹线。
具有离散金属堆叠图案电感器

[发明专利]用于无源组件与裸片关键距离减少的封装结构-CN202180067660.X在审
发明人： A·帕蒂尔;金钟海;卫洪博 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了一种封装及其制造方法。封装包括：衬底，其具有包括数目为N的金属化层的第一区域和包括数目为M的金属化层的第二区域，其中M小于N；位于衬底的第一表面上的第二区域内的无源组件；以及位于衬底的第二表面上的第二区域内的裸片，衬底的第二表面与衬底的第一表面相对，裸片通过第二区域内的数目为M的金属化层中的至少一个金属化层电耦合到无源组件。
用于无源组件关键距离减少封装结构

[发明专利]混合玻璃上无源(POG)声学滤波器-CN201780077210.2有效
发明人： D·F·伯迪;C·H·芸;古仕群;N·S·穆达卡特;M·F·维勒兹;左丞杰;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：一种集成射频(RF)电路组合无源器件和声学滤波器的互补特征，并且包括第一裸片、第二裸片和第三裸片。第一裸片包括具有一个或多个无源器件的衬底。第二裸片包括第一声学滤波器。第二裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。第三裸片包括第二声学滤波器。第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。
混合玻璃无源 pog 声学滤波器

[发明专利]包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底-CN202180057254.5在审
发明人： 金钟海;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种衬底(202)，包括包封层(203)、第一声学谐振器(205)、第二声学谐振器(207)、至少一个第一电介质层(240)、多个第一互连件(244)、至少一个第二电介质层(260)和多个第二互连件(264)。该第一声学谐振器(205)位于该包封层中。该第一声学谐振器(205)包括第一压电衬底(250)，该第一压电衬底(250)包括第一厚度。该第二声学滤波器(207)位于该包封层(203)中。该第二声学谐振器(207)包括第二压电衬底(270)，该第二压电衬底(270)包括不同于该第一厚度的第二厚度。该至少一个第一电介质层耦合到该包封层的第一表面。该多个第一互连件耦合到该包封层的该第一表面。该多个第一互连件至少位于该至少一个第一电介质层中。
包括配置至少一个声学滤波器谐振器衬底

[发明专利]具有围绕凸块的共形管芯边缘图案的电容器内插层（CIL）小芯片设计-CN202180052823.7在审
发明人： J-H·兰;金钟海;J·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：集成电路(IC)封装包括芯片。芯片具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。芯片的前侧表面包括多个凸块位点。集成电路封装也包括多个管芯。多个管芯中的每个管芯由集成无源器件构成。多个管芯具有共形管芯边缘图案，以使得能够将多个管芯中的每个管芯的前侧表面放置在芯片前侧表面上的多个凸块位点的预定部分上。
具有围绕管芯边缘图案电容器内插 cil 芯片设计

[发明专利]具有用于改善连接性的重组裸片中介层的集成电路以及相关制造方法-CN202180052629.9在审
发明人： 金钟海;A·帕蒂尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/10 文献下载
摘要：一种具有用于改善连接性的重组裸片中介层的集成电路(IC)，具有安装在外部上表面上的至少一个器件或组件，该外部上表面耦合到封装内的中介层中的裸片。中介层可以具有互连结构，其中第一互连结构具有第一节距的过孔，并且第二互连结构具有大于第一节距的第二节距的过孔。以这种方式，中介层充当一种器件，该器件能够允许具有这些节距的其他器件的导电耦合以支持这些器件与中介层内的其他器件之间的互连。
具有用于改善连接重组中介集成电路以及相关制造方法

[发明专利]采用顶侧接触件和背侧接触件用于FET的功率信号和逻辑信号的顶侧布线和背侧布线的场效应晶体管（FET）电路以及相关的互补金属氧化物半导体（CMOS）电路-CN202180054719.1在审
发明人： S·S·宋;D·沙玛;B·查瓦;H·利姆;P·冯;康相赫;金钟海;P·奇达姆巴拉姆;K·雷姆;G·纳拉帕蒂;V·宝娜帕里;F·旺 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：场效应晶体管(FET)电路采用顶侧接触件和背侧接触件，用于FET的功率信号和逻辑信号的顶侧布线和背侧布线。提供了一种包括FET的FET电路，该FET包括导电沟道、源极、漏极和栅极。该FET电路还包括顶侧金属接触件，该顶侧金属接触件与该FET的源极、该漏极和该栅极中的至少一者电耦合。该FET电路还包括背侧金属接触件，该背侧金属接触件与该FET的该源极、该漏极和该栅极中的至少一者电耦合。该FET电路还包括顶侧金属线和背侧金属线，该顶侧金属线和背侧金属线相应电耦合到该顶侧金属接触件和该背侧金属接触件，以向该FET提供功率布线和信号布线。还提供了包括PFET和NFET的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，PFET和NFET各自包括用于功率布线和信号布线的顶侧接触件和背侧接触件。
采用接触用于 fet 功率信号逻辑布线场效应晶体管电路以及相关互补金属

[发明专利]与封装电压调节器集成的堆叠式管芯-CN202180053732.5在审
发明人： B·查瓦;S·S·宋;A·罗伊;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：描述了一种集成电路(IC)封装件。IC封装件包括第一管芯，在第一管芯上具有第一功率递送网络。IC封装件还包括第二管芯，在第二管芯上具有第二功率递送网络。第一管芯被堆叠在第二管芯上。IC封装件还包括在集成电路封装的封装核心内与第一管芯和/或第二管芯集成并且耦合到第一管芯和/或第二管芯的封装电压调节器。
封装电压调节器集成堆叠管芯

[发明专利]包括位于包封层中的电感器和电容器的衬底-CN202180046921.X在审
发明人： 金钟海;M·沙;P·奇达姆巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种封装，包括功率放大器和被耦合到功率放大器的衬底。衬底包括包封层、位于包封层中的电容器器件、位于包封层中的电感器、被耦合到包封层的第一表面的至少一个第一电介质层，以及被耦合到包封层的第一表面的多个第一互连。多个第一互连至少位于至少一个第一电介质层中。多个第一互连被耦合到电容器器件和电感器。电感器和电容器器件被配置为被电耦合在一起，以作为功率放大器的匹配网络的元件来操作。电容器器件被配置为被耦合到地。
包括位于包封层中的电感器电容器衬底

[发明专利]使用砷化镓的高性能可调谐滤波器-CN202180045970.1在审
发明人： J-H·兰;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：公开了一种砷化镓(GaAs)使能的可调谐滤波器，用于例如6GHz Wi‑Fi RF前端，具有集成的高性能变容器、金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和3D螺线管电感器。可调谐滤波器包括具有高电容调谐比的超突变可变电容器(120)(变容器)。可调谐滤波器还包括GaAs衬底，其中形成有GaAs通孔(160)(TGV)。变容器与MIM电容器和3D电感器(142)一起形成在GaAs衬底的上表面上的上部导电结构(150)中。包括下部导体的下部导电结构(170)形成在GaAs衬底的下表面上。下部导电结构与上部导电结构之间的电耦合由TGV提供。可调谐滤波器可以与射频前端(RFFE)器件集成。
使用砷化镓性能调谐滤波器

[发明专利]具有气腔结构的玻璃上天线-CN202180040831.X在审
发明人： J-H·兰;朴相俊;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：公开了一种玻璃上天线(AOG)设备，其具有至少部分地形成在光敏玻璃基板中的气腔。气腔结构至少部分地包围该气腔并且其中该气腔结构至少部分地由该光敏玻璃基板形成。天线由顶部导电层的一部分形成，该顶部导电层设置在该气腔结构的顶部表面上方并且至少部分地与该气腔重叠。提供了一种金属化结构，该金属化结构具有底部导电层，该底部导电层设置在该气腔结构的底部表面上，其中该底部导电层通过穿过该光敏玻璃基板设置的导电柱电耦接到该顶部金属层。此外，该AOG设备可以集成一个或多个MIM电容器和/或电感器，该一个或多个MIM电容器和/或电感器允许用于RF滤波和阻抗匹配。
有气结构玻璃天线

[发明专利]用于传输（TX）路径中的高功率处理滤波器的带有薄膜散热器（TF-HS）层的先进集成无源器件（IPD）-CN202180040615.5在审
发明人： J-H·兰;金钟海;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：描述了一种半导体封装件。该半导体封装件包括无源衬底和无源衬底上的第一层间介电(ILD)层中的第一集成无源器件(IPD)。半导体封装件还包括在第一ILD层上的第二ILD层。该半导体封装件进一步包括在第二ILD层上的第三ILD层中的第二IPD。该半导体封装件还包括在第二IPD的电感元件上的热缓解结构。
用于传输 tx 路径中的功率处理滤波器带有薄膜散热器 tf hs 先进集成无源

[发明专利]包括具有共享衬底盖的堆叠的滤波器的封装件-CN202180030964.9在审
发明人： 金钟海;J-H·兰;R·达塔;M·沙;P·奇达巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：一种封装件，包括：包括第一聚合物框架(318)的第一滤波器(312)、衬底盖(320)、包括第二聚合物框架(338)的第二滤波器(332)、至少一个互连件(340)、包封层(450)和多个贯穿包封过孔(452)。该衬底盖耦合到该第一聚合物框架，使得在该衬底盖和该第一滤波器之间形成第一空隙(321)。该第二聚合物框架耦合到该衬底盖，使得在该衬底盖和该第二滤波器之间形成第二空隙(323)。该至少一个互连件耦合到该第一滤波器和该第二滤波器。该包封层包封该第一滤波器、该衬底盖、该第二滤波器和该至少一个互连件。该多个贯穿包封过孔耦合到该第一滤波器。
包括具有共享衬底堆叠滤波器封装

[发明专利]具有单晶声学谐振器/滤波器的异质集成宽带高电子迁移率晶体管功率放大器-CN202180028660.9在审
发明人： J-H·兰;R·达塔;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：描述了一种3D集成电路(3D IC)芯片(400)。该3D IC芯片包括具有化合物半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件(410)的管芯(440)。该化合物半导体HEMT有源器件由单晶化合物半导体层上的化合物半导体层(420)组成。该3D IC芯片还包括集成在该单晶化合物半导体层中的声学器件(430)。该3D IC芯片还包括无源器件，该无源器件集成在该单晶化合物半导体层上的该管芯的后段制程层(450)中。
具有声学谐振器滤波器集成宽带电子迁移率晶体管功率放大器

[发明专利]具有被划分到多个电耦合基板的混合三维电感器的滤波器封装件-CN202180019168.5在审
发明人： 金钟海;M·沙;P·奇达姆巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：一种用于诸如5G无线通信等高频的改进的滤波器，可以包括具有混合3D电感器集成的电感器Q值改进和减小的管芯尺寸。在一些示例中，可以使用IPD和扇出封装件来形成电感器。第一多层基板(IPD)包括使用各种层(例如M1和M2)形成的多个金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器以及3D电感器中的每个的第一部分(在M3和M4中)，并且第二多层基板(FO‑PKG)包括3D电感器中的每个的至少第二部分(在Cu柱和RDL中)，其中这两个部分组合以形成3D电感器的线圈。3D电感器电耦合到MIM电容器以形成至少一个滤波器网络。第一基板相对于第二基板面朝下进行布置。IPD还可以包括平面电感器。电容器被形成在第一基板的下部铺设金属层中，并且在堆叠方向上竖直地在3D电感器上方。
具有分到多个电耦合混合三维电感器滤波器封装

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