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[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202010883424.2有效
发明人： 许宗珂;袁彬;耿静静;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器包括衬底、堆叠结构、沟道结构和虚设沟道结构。所述衬底定义核心区和台阶区。所述堆叠结构包括多个栅极层和多个绝缘层，其交替地堆叠在所述核心区上，且在所述台阶区上堆叠形成多个台阶。所述沟道结构布置在所述核心区上并穿过所述堆叠结构。所述虚设沟道结构布置在所述台阶区上且穿过所述堆叠结构，所述虚设沟道结构在所述衬底的延伸方向上的横截面包括相互重叠的第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形为圆或椭圆。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202310732541.2在审
发明人： 许宗珂;袁彬;王香凝;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：提供了一种三维(3D)存储器件。在示例中，该3D存储器件包括阶梯和穿过阶梯的多个支撑结构组。多个支撑结构组被布置在第一方向上，并且支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器结构及其制备方法-CN202110171089.8有效
发明人： 许宗珂;袁彬;张强威;王香凝 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供定义有交界区的半导体衬底，在交界区形成预制凹槽并填充形成底部补偿结构，形成叠层结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的虚拟沟道孔结构，并填充形成应力缓冲结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的栅线分割槽，其中，栅线分割槽与应力缓冲结构间的交界面位于底部补偿结构对应的区域。本发明在栅线分割槽(GLC)与虚拟沟道孔结构(DCH)交界的地方预先制作底部补偿结构，可以基于底部补偿结构有效避免栅线分割槽尖角的问题，另外，基于底部补偿结构还可以进一步增大栅线分割槽与虚拟沟道孔结构结合的工艺窗口。
三维存储器结构及其制备方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202180000824.7有效
发明人： 许宗珂;袁彬;王香凝;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：提供了一种三维(3D)存储器件。在示例中，该3D存储器件包括阶梯和穿过阶梯的多个支撑结构组。多个支撑结构组被布置在第一方向上，并且支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202180001184.1有效
发明人：张强威;许宗珂;袁彬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件及其形成方法。在某些方面中，一种3D存储器件包括：衬底；在衬底上横向形成的并且具有中心区域和阶梯区域的堆叠结构；在中心区域中垂直延伸的多个沟道结构；在阶梯区域中垂直延伸的多个虚设沟道结构；以及在阶梯区域中形成的并且电连接至该堆叠结构的多个接触插塞。虚设沟道结构中的至少一个在衬底的横向表面上的垂直投影包括具有方向性的二维形状。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202180022275.3在审
发明人：郭振;袁彬;许宗珂;吴佳佳;李贝贝;王香凝;杨竹;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：在衬底的一侧形成包括堆叠的伪栅极层和层间绝缘层的叠层结构，各个相邻的所述伪栅极层和所述层间绝缘层形成多个阶梯台阶，其中暴露每个所述阶梯台阶的所述层间绝缘层的至少一部分；形成覆盖所述阶梯台阶的缓冲层；去除所述缓冲层的、覆盖所述阶梯台阶的侧壁的部分以形成多个间隔槽；形成填充所述间隔槽并覆盖所述阶梯台阶的介质层；以及形成贯穿所述介质层、所述缓冲层并延伸至最远离所述衬底的所述伪栅极层的接触孔。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统-CN202211095424.1在审
发明人：江力;吴佳佳;许宗珂;袁彬;徐伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器装置、存储器系统，其中，所述半导体结构的制作方法包括：提供第一堆叠结构；第一堆叠结构包括若干交替堆叠设置的绝缘层和牺牲层，第一堆叠结构的至少一侧形成有第一阶梯结构，第一阶梯结构的每层阶梯的顶面为牺牲层；形成覆盖第一阶梯结构的增厚层，增厚层包括依次层叠设置的第一增厚层及第二增厚层；在每层阶梯上均形成贯穿部分第二增厚层的第一凹槽；基于第一凹槽，进一步形成贯穿第一增厚层和第二增厚层的第二凹槽；去除牺牲层及剩余的增厚层形成栅极及栅极增厚层，并在每层阶梯上均形成栅极接触；其中，第二凹槽使得相邻两层阶梯顶面上的栅极增厚层彼此电隔离。
半导体结构及其制作方法存储器装置系统

[发明专利]一种三维存储器及其制作方法-CN202110067317.7有效
发明人：张强威;许宗珂;袁彬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器，包括堆叠结构、第一栅线切口、第二栅线切口、第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构，其中，堆叠结构在水平方向上划分为核心区域与台阶区域；第一栅线切口与第二栅线切口平行排列并往第一水平方向延伸，第一虚设结构、接触结构及第二虚设结构位于台阶区域并在第二水平方向上依次排列。本发明中，虚设结构采用长条沟槽型设计，虚设结构之间的空间较小，可以保证虚设结构稳固的支撑功能。虚设结构与接触结构上下错开，以及虚设结构面对接触结构的区域采用缩进渐变设计，可以同时增加接触结构与虚设结构在两个方向上的对准偏移窗口。直线排列的虚设结构避免了之字形排列对栅线切口的影响，有利于降低栅线切口的工艺难度。
一种三维存储器及其制作方法

[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储器系统-CN202211225959.6在审
发明人：李贝贝;袁彬;许宗珂;王香凝 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法、存储器系统，所述三维存储器的制作方法包括：形成由多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的初始堆叠结构；所述初始堆叠结构包括在第一方向并列排布的初始核心区和初始台阶区，所述初始台阶区中设置有初始台阶结构，所述初始台阶结构包括沿第二方向并列排布的第一部分以及第二部分；所述第一方向与所述第二方向相互垂直且均与第三方向垂直；对所述第二部分沿所述第三方向进行第一刻蚀，使所述第二部分的台阶沿所述第三方向的最高高度不高于所述第一部分的台阶沿所述第三方向的最低高度；所述第三方向与所述层叠方向平行。
三维存储器及其制作方法系统

[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储器系统-CN202211326009.2在审
发明人：李贝贝;徐伟;袁彬;许宗珂;薛磊;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；所述半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域，所述第一方向垂直于所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上形成多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的堆叠结构；在所述第一区域上形成多个贯穿所述堆叠结构的沟道结构；在所述第二区域上形成贯穿所述堆叠结构且沿所述第一方向延伸的第一栅缝隙；通过所述第一栅缝隙去除所述第二区域上的部分牺牲层；在所述第一区域上形成贯穿所述堆叠结构且沿所述第一方向延伸的第二栅缝隙，所述第一栅缝隙与所述第二栅缝隙连通；通过所述第二栅缝隙去除所述第一区域上的牺牲层。
三维存储器及其制作方法系统

[发明专利]半导体器件及其制备方法和存储系统-CN202211324858.4在审
发明人：李贝贝;徐伟;袁彬;许宗珂;杨竹;王香凝;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，一种半导体器件，包括：叠层结构，包括多层交叠设置的栅极绝缘层和栅极层；多个接触部，沿所述叠层结构的堆叠方向，各所述接触部分别贯穿至不同的所述栅极层；多个所述接触部包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部在所述堆叠方向上的投影面积大于所述第二接触部在所述堆叠方向上的投影面积。通过第一接触部和第二接触部在堆叠方向上的投影面积大小不同的设计，可以在有限的空间内比较紧凑地排布更多的接触部，进而可以压缩台阶区的空间，减小半导体器件的尺寸。
半导体器件及其制备方法存储系统

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统-CN202211198016.9在审
发明人：李贝贝;徐伟;袁彬;许宗珂;吴佳佳;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，以提高半导体结构的可靠性。半导体结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的第一介电层和栅极层；栅线隔离结构，贯穿所述堆叠结构，并沿第一方向延伸；接触结构，所述接触结构贯穿至少部分所述堆叠结构，并与所述栅线隔离结构间隔设置；所述接触结构包括导电结构和介质层，所述导电结构与所述栅极层连接，所述介质层位于所述导电结构与所述堆叠结构之间，且所述介质层包括与所述栅线隔离结构相同的材料。
一种半导体结构及其制备方法三维存储器存储系统

[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储器系统-CN202211212011.7在审
发明人：李贝贝;徐伟;袁彬;许宗珂;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法，包括：提供半导体层；半导体层包括沿第一方向排布的第一区域、第二区域、第三区域；第一方向垂直于第二方向，第二方向为半导体层的厚度方向；在半导体层上形成包括绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；形成贯穿堆叠结构且从第一区域上的堆叠结构延伸至第三区域上的堆叠结构的栅缝隙；第二区域上的栅缝隙在第三方向的尺寸大于第一区域以及第三区域上的栅缝隙在第三方向的尺寸，第三方向与第一方向以及第二方向均垂直；在栅缝隙中填充牺牲材料，形成牺牲结构；去除第二区域上的牺牲材料，形成第一凹槽；在第一凹槽中填充第一材料层；分别去除第一区域上的牺牲材料以及第三区域上的牺牲材料。
三维存储器及其制作方法系统

[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储系统-CN202210607265.2在审
发明人：武俞刚;袁彬;许宗珂;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统。制备三维存储器的方法包括：形成叠层结构，其中，所述叠层结构包括核心区和台阶区；形成分别贯穿所述核心区内叠层结构和所述台阶区内叠层结构的沟道结构；去除所述台阶区内未被所述沟道结构贯穿的叠层结构的至少部分形成台阶结构，其中，所述台阶区贯穿有所述沟道结构的叠层结构形成连接结构，位于所述台阶区的沟道结构包括沿所述连接结构延伸方向延伸的第一沟道结构；以及形成贯穿所述台阶结构的虚设沟道结构。
三维存储器及其制备方法存储系统

[发明专利]半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统-CN202210562511.7在审
发明人：王攀;李兆松;孔翠翠;许宗珂 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：在一基底上交替层叠牺牲层和绝缘层而形成堆叠层，且堆叠层包括位于远离基底一侧的顶部选择栅叠层；于堆叠层中形成台阶区，台阶区包括多个台阶，各台阶具有台阶顶面层与台阶纵面，台阶区设有第一凹槽，第一凹槽至少部分穿过台阶顶面层；于各台阶顶面层中靠近台阶纵面处形成第二凹槽；于顶部选择栅叠层中形成顶部选择栅切槽；其中，顶部选择栅切槽与第二凹槽在台阶顶面层上的投影至少部分交叠。通过在堆叠层中形成第二凹槽，以改善在后续形成顶部选择栅切槽时聚合物的聚集，优化形成顶部选择栅切槽的工艺过程，提高器件的良率和可靠性。
半导体器件制作方法三维存储器存储系统

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