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[发明专利]全氢聚硅氮烷组合物和用于使用其形成氮化物膜的方法-CN202210565731.5有效
发明人：安东尼奥·桑切斯;根纳迪·伊多;马尼什·坎德尔沃;科尔·里特;张鹏;让-马克·吉拉尔;宛志文;格伦·库肯贝塞尔;大卫·奥尔班;肖恩·克里根;里诺·佩萨雷西;马修·达米安·斯蒂芬斯;王洋;纪尧姆·哈森;格里戈里·尼基福罗夫 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种含Si膜形成组合物，包含催化剂和/或聚硅烷以及不含N‑H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷，该全氢聚硅氮烷具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有式[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]的不含N‑H的重复单元，其中x＝0、1或2并且y＝0、1或2，并且x+y＝2；并且x＝0、1或2，并且y＝1、2或3，并且x+y＝3。还披露了合成方法和使用其的应用。
全氢聚硅氮烷组合用于使用形成氮化物方法

[发明专利]有机硅组合物及其应用-CN202211462774.7有效
发明人：杨敏;陈德义;宛志文;陆平;茅炳荣;袁磊 -专利权人：江苏南大光电材料股份有限公司;南大光电半导体材料有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机硅组合物，其包含：二乙氧基甲基硅烷；第一浓度的溶解的残留无机氯和有机氯；第二浓度的乙醇；以及第三浓度的副产物（杂质）；其中第一浓度定义为所述有机硅组合物在全消解情况下获得的所有存在的氯元素的浓度的总和。本发明的有机硅组合物，引进了副产物（杂质）的概念，对产品的品质管控有关键作用，同时无机氯和有机氯及乙醇的残留很低，尤其是无机氯的残留极少，因而二乙氧基甲基硅烷的品质稳定，当应用于半导体器件中，例如在制备各类低介电常数薄膜时，该低介电常数薄膜的介电常数小于或等于3.5，性能稳定可控，优于现有的有机硅组合物。
有机硅组合及其应用

[发明专利]一种用以检测金属杂质的含大分子聚合物有机溶液的预处理方法-CN202211723211.9在审
发明人：毛金丽;宛志文 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用以检测金属杂质的含大分子聚合物有机溶液的预处理方法，包括步骤100：将大分子聚合物和金属杂质从有机溶液中分离形成固体析出物；步骤200：将固体析出物溶解形成无机溶液；步骤210：使用浓H2SO4和H2O2混合液溶解固体析出物，形成含H2SO4的溶液，步骤220：向含H2SO4的溶液中加入无机溶剂以形成无机溶液，形成待测样品；所述聚合物分子量在2000以上。具有有益效果：将有机溶液预处理为无机溶液，大大降低ICP‑MS设备维护成本和进样系统的要求，有利于提高ICP‑MS设备的利用率。
一种用以检测金属杂质大分子聚合物有机溶液预处理方法

[发明专利]一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法-CN202211462930.X有效
发明人：范光华;宛志文;蒋寅斌;陈德义;陆平;茅炳荣;袁磊;杨敏 -专利权人：江苏南大光电材料股份有限公司;南大光电半导体材料有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法，所述组合物包含烷氧基硅烷和氯化物，其中当烷氧基硅烷包含多个烷氧基时，这些烷氧基相同；所述方法包括：1）将烷氧基硅烷组合物与醇混合，得到混合物，其中所述醇的烷基与所述烷氧基硅烷的烷氧基中的烷基相同，优选具有C1至C10烷基；2）使混合物反应，以将所述组合物中所含的有机氯化物转化为氯化氢；3）将混合物与惰性气体相接触，去除氯化氢，得到经纯化的烷氧基硅烷组合物。本发明的纯化方法便捷，能够充分地除去烷氧基硅烷组合物中的无机氯，并且不会给原有体系引入额外杂质。
一种烷氧基硅烷组合纯化方法

[发明专利]全氢聚硅氮烷组合物和用于使用其形成氮化物膜的方法-CN201980022629.7有效
发明人：安东尼奥·桑切斯;根纳迪·伊多;马尼什·坎德尔沃;科尔·里特;张鹏;让-马克·吉拉尔;宛志文;格伦·库肯贝塞尔;大卫·奥尔班;肖恩·克里根;里诺·佩萨雷西;马修·达米安·斯蒂芬斯;王洋;纪尧姆·哈森;格里戈里·尼基福罗夫 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：一种含Si膜形成组合物，包含催化剂和/或聚硅烷以及不含N‑H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷，该全氢聚硅氮烷具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有式[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]的不含N‑H的重复单元，其中x＝0、1或2并且y＝0、1或2，并且x+y＝2；并且x＝0、1或2，并且y＝1、2或3，并且x+y＝3。还披露了合成方法和使用其的应用。
全氢聚硅氮烷组合用于使用形成氮化物方法

[发明专利]在550℃或更高的温度下使用ALD沉积含Si膜的前体和工艺-CN201980080819.4在审
发明人：野田直人;中川尚久;让-马克·吉拉尔;宛志文 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：用于在基底上形成含Si膜的方法包括：将该基底加热至高于550℃的温度，将该基底暴露于包括形成含Si膜的组合物的蒸气，该组合物含有具有下式的含Si前体：SiR1yR24‑x‑y(NH‑SiR’3)x，其中x＝2、3、4；y＝0、1、2，R1和R2各自独立地选自H、卤素(Cl、Br、I)、C1‑C4烷基、异氰酸酯、C1‑C4烷氧基、或–NR3R4基团，其中R3和R4各自独立地选自H、C1‑C4烷基，前提是如果R3＝H，R4C1；每个R’独立地选自H、卤素(Cl、Br、I)、或C1‑C4烷基，以及通过ALD工艺将该含Si前体沉积到该基底上以在该基底上形成该含Si膜。该含Si前体可以选自SiH2(NH‑Si(CH3)3)2、SiHCl(NH‑Si(CH3)3)2、SiCl2(NH‑Si(CH3)3)2、SiH(NH‑Si(CH3)3)3、SiCl(NH‑Si(CH3)3)3、或Si(NH‑Si(CH3)3)4。
550 更高温度使用 ald 沉积 si 工艺

[发明专利]全氢聚硅氮烷组合物和用于使用其形成氧化物膜的方法-CN201980021089.0在审
发明人：安东尼奥·桑切斯;根纳迪·伊多;马尼什·坎德尔沃;科尔·里特;张鹏;让-马克·吉拉尔;宛志文;格伦·库肯贝塞尔;大卫·奥尔班;肖恩·克里根;里诺·佩萨雷西;马修·达米安·斯蒂芬斯;王洋;纪尧姆·哈森;格里戈里·尼基福罗夫 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：一种含Si膜形成组合物，包含催化剂和/或聚硅烷以及不含N‑H、不含C且富含Si的全氢聚硅氮烷，该全氢聚硅氮烷具有在从大约332道尔顿至大约100,000道尔顿范围内的分子量并且包含具有式[‑N(SiH3)x(SiH2‑)y]的不含N‑H的重复单元，其中x＝0、1或2并且y＝0、1或2，并且x+y＝2；并且x＝0、1或2，并且y＝1、2或3，并且x+y＝3。还披露了合成方法和使用其的应用。
全氢聚硅氮烷组合用于使用形成氧化物方法

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