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[发明专利]双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法-CN201810135800.2有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：双极器件位移损伤引起的性能退化的等效评价方法，涉及在轨双极器件的性能退化评价技术，为了满足针对不同类型辐照源的双极器件辐射损伤进行等效评价的需求。基于地面异种粒子辐照源，确定位移损伤引起的性能退化与位移吸收剂量的函数关系曲线；针对特定轨道和任务要求计算该轨道下的电离吸收剂量DI和位移吸收剂量DD，当双极器件以位移损伤为主时，根据函数关系曲线找到该位移吸收剂量DD所对应的性能退化情况，完成在轨双极器件的性能退化评价。本发明适用于等效评价在轨双极器件的性能退化情况。
器件位移损伤引起性能退化等效评价方法

[发明专利]一种计算带电粒子防护层后能谱的方法-CN201810136597.0有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：一种计算带电粒子防护层后能谱的方法，本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢，计算时间长，以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短，造成巨大损失的问题。过程为：确定轨道入射粒子的微分能谱；确定防护材料及防护材料厚度；确定入射粒子的入射角度；若入射粒子为电子，计算E′1与射程及防护材料厚度的关系；若入射粒子为质子或离子，计算E′2、E′3、E′4和E′5分别与射程及防护材料厚度的关系；计算入射粒子与防护材料的非弹性截面；分别计算电子、质子和离子防护层后的微分能谱。本发明用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
一种计算带电粒子防护层后能谱方法

[发明专利]基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法-CN201810135790.2有效
发明人：李兴冀;刘超铭;魏轶聃;杨剑群;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G16C20/20 文献下载
摘要：基于密度泛函和杂化泛函计算Si的缺陷移动的方法，本发明涉及计算Si的缺陷移动的方法。本发明目的是为了解决现有采用密度泛函方法获得Si的缺陷移动能量的准确率低的问题。过程为：得到Si的晶格参数；得到Si能量最低点的晶格参数；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；使用密度泛函和CLNEB方法计算双空位分离过程中能量的变化，以及得出Si原子不同带电量下的原子结构，并根据这些结构采用杂化泛函方法计算双空位分离过程中能量的变化。本发明用于计算Si的缺陷移动的领域。
基于密度杂化泛函计算 si 缺陷移动方法

[发明专利]一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法-CN201810134768.6有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3log[(Id+Dd)/Dd]5，产生稳定的电离缺陷和位移缺陷；log[(Id+Dd)/Dd]3，产生稳定的位移缺陷；log[(Id+Dd)/Dd]5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
一种研究电离缺陷位移直接交互作用试验方法

[发明专利]一种加速度计-CN202011238916.2在审
发明人：李兴冀;杨剑群;关恩昊;邢朝洋;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种加速度计，涉及微机电系统领域。所述加速度计包括：上基板和敏感层，所述上基板包括衬底和介质层，所述介质层设置在所述衬底上且靠近所述敏感层，所述介质层与所述敏感层之间设置有间隔层，所述间隔层的厚度大于所述介质层的厚度，小于所述敏感层的厚度。这样，通过在介质层和敏感层之间设置有间隔层，且将间隔层的厚度设置为大于所述介质层的厚度，小于所述敏感层的厚度，使得在一定程度上能够加大了介质层和敏感层之间的间距，从而可以降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷因库伦作用对敏感层电容的影响，增大了加速度计的抗辐照加固性能。
一种加速度计

[发明专利]一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器-CN202010735178.6在审
发明人：李兴冀;杨剑群;董尚利;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H03F3/42 文献下载
摘要：本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器、电荷灵敏前置放大子电路和电荷灵敏后置放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏前置放大子电路的输入端电连接，电荷灵敏后置放大子电路与电荷灵敏前置放大子电路级联组成电荷灵敏放大子电路，成倍提高了电荷灵敏放大子电路的放大倍率，提升了电荷灵敏放大子电路的信号放大能力，在冲击传感器处于空闲状态下，利用输入电容，测试电荷灵敏放大子电路与冲击传感器适配，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，以免输入电容对冲击传感器产生信号干扰。
一种微弱脉冲信号放大电路微尘探测器

[发明专利]一种确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法-CN201810128665.9有效
发明人：杨剑群;李兴冀;刘超铭;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应的方法，它涉及一种双极晶体管器件的辐照效应评价，尤其涉及异种辐照源等效评价试验方法。本发明的目的要解决现有方法不能精确的判断出导致双极器件电性能下降由于电离效应、位移效应或电离/位移协同效应的问题。方法：一、开帽得到开帽的双极型晶体管；二、氢气浸泡得到氢气浸泡双极型晶体管；三、辐照，并进行原位测试；四、电性能进行分析对比；判断产生辐射效应属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。优点：能够快速判定辐照源产生属于位移效应、电离效应或电离/位移协同效应。本发明主要用于基于氢气处理快速确定辐照源在双极晶体管中产生辐射效应。
一种确定辐照双极晶体管产生辐射效应方法

[发明专利]同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法-CN201810136626.3有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供了同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的辐照粒子能量选择方法其应用对象包括各类航天器用关键材料和器件，基于Monte Carlo计算方法，在特定材料状态条件下，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，即可确定入射粒子的能量，保证其同时产生稳定的电离和位移缺陷。
同时产生电离位移缺陷辐照粒子能量选择方法

[实用新型]一种用于分离式霍普金森杆实验的试件低温控制装置-CN201920788652.4有效
发明人：吕钢;董尚利;耿洪滨;刘勇;刘海 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型属于霍普金森杆实验装置技术领域，具体涉及一种用于分离式霍普金森杆实验的试件低温控制装置，包括氮气源和保温壳，保温壳通过保温管道与氮气源连接；设有氮气控制机构；保温壳的两端分别开有通孔用于霍普金森杆穿过；还包括保温气囊，保温气囊套在保温壳外部，保温气囊有三个口，其中两个为端部口，另外为顶口；所述的顶口边缘密封固定在保温壳上，并且保温管道从顶口内穿过；所述的端部口分别密封固定在套环上，所述的套环密封固定在霍普金森杆上，并位于保温壳外部。本实用新型通过保温气囊，得到一个密封的实验环境，在密封区域内温度各处相差不大，可以准确的控制试件的低温条件。
保温壳保温气囊霍普金森杆本实用新型保温管道密封固定氮气源端部口顶口试件套环分离式霍普金森杆氮气控制机构低温控制装置穿过边缘密封低温条件密封区域实验环境实验装置外部套在通孔密封

[发明专利]一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜-CN201810130004.X有效
发明人：李兴冀;杨剑群;李红霞;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G21F1/02 文献下载
摘要：一种多功能的梯度结构柔性防护薄膜，它涉及空间环境中电子器件防护领域，特别是一种抗空间带电粒子辐射以及具有优异导电导热性能的纳米薄膜防护金属膜柔性聚合物多层梯度结构功能防护材料。本发明是要解决现有抗空间辐射防护材料存在质量重、非柔性、成本高及易于产生二次粒子的问题。多功能的梯度结构柔性防护薄膜为三层结构，所述三层结构分别为纳米管薄膜、微纳米单质层和柔性聚合物；所述纳米管薄膜为石墨烯薄膜、氮化硼纳米管或碳纳米管薄膜；微纳米单质层中所述单质为铝、镍、钛、铜或银；所述柔性聚合物为低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超高分子量聚乙烯或微纳米粒子掺杂聚合物。本发明用于电子器件防护。
梯度结构柔性聚合物柔性防护单质薄膜纳米管薄膜电子器件防护材料三层结构微纳米超高分子量聚乙烯防护氮化硼纳米管导电导热性能低密度聚乙烯高密度聚乙烯空间带电粒子碳纳米管薄膜石墨烯薄膜微纳米粒子二次粒子防护领域空间辐射空间环境纳米薄膜聚合物非柔性金属膜多层掺杂辐射

[发明专利]基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法-CN201810136600.9在审
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;吕钢;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维位移吸收剂量深度分布的材料，并将其移吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各个区域中的材料种类和每种材料的厚度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的位移吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位位移吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的位移吸收剂量。
吸收剂量辐射敏感分布计算敏感部位应用技术领域复杂结构技术辐射空间环境快速评估一维位移航天器可用转化耗时

[发明专利]一种抑制双极晶体管电离缺陷形成的方法-CN201810136610.2在审
发明人：杨剑群;李兴冀;赵金宇;董尚利 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及电离辐射缺陷的形成及演化机制，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明是为了解决现有的技术中对于降低低剂量率辐射损伤增强效应缺乏有效手段的缺点而提出的，包括：将晶体管放入密闭容器中，并抽真空或填充保护性气体；所述晶体管为双极晶体管；使用电炉对晶体管进行加热，并进行保温；保温结束后，将晶体管降温至室温。本发明适用于航天器舱内电子系统中的元器件的抗辐射处理。
晶体管双极晶体管保温应用技术领域保护性气体电离辐射电子系统航天器舱空间环境密闭容器演化机制有效手段抽真空低剂量抗辐射电离电炉元器件放入加热填充损伤辐射

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