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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相变存储器-CN200910006775.9无效
发明人：许世玄;江培嘉;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变存储器，其中包括：一相变存储单元、一电流调节晶体管、以及一控制电路。电流调节晶体管具有一第一端耦接一电压源、一第二端耦接该相变存储单元、以及一控制端接收控制电路所输出的一控制信号。控制电路将以该控制信号操作该电流调节晶体管于一线性区间。
相变存储器

[发明专利]相位变化存储器阵列的验证电路及方法-CN200910007575.5无效
发明人：林文斌;许世玄;江培嘉 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：一种验证电路，适用于一相位变化存储器阵列。验证电路包括一感测单元、一比较器、一控制单元、一运算单元及一调整单元。感测单元根据一使能信号从相位变化存储器阵列的一存储单元感测出一感测电压。比较器根据感测电压以及一参考电压而产生一比较信号，以便指示存储单元是否为重置状态。控制单元根据使能信号而产生一控制信号。运算单元根据控制信号而产生一第一信号，以便指示比较器是否运作。调整单元提供一写入电流至存储单元，并根据控制信号调整写入电流的大小直到比较信号指示存储单元为重置状态。
相位变化存储器阵列验证电路方法

[发明专利]相变化存储器-CN200910007576.X无效
发明人：许世玄;江培嘉;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变化存储器；其中包括：分流切换电路、相变化储存单元、位选取开关、脉冲产生模块、以及计数模块。分流切换电路包括多个开关，用以耦接多个分流路径至基准电流源的输出端。位选取开关负责导通相变化储存单元与该基准电流源的该输出端。脉冲产生模块负责输出脉冲信号。计数模块于致能时计数该脉冲信号的脉冲；其计数结果为一组数字信号，耦接上述分流切换电路控制上述开关。
相变存储器

[发明专利]存储器与存储器写入方法-CN200810108494.X有效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器及存储器写入方法。此存储器包括一储存单元、一阻值判断器以及一写入电流脉冲产生器。该阻值判断器负责判断该储存单元的电阻值范围。该写入电流脉冲产生器负责产生一写入电流脉冲输入该储存单元以改变该储存单元的电阻值。其中，该写入电流脉冲产生器根据该储存单元的电阻值范围决定该写入电流脉冲的脉冲宽度、或振幅、或脉冲宽度与振幅。
存储器写入方法

[发明专利]存储器与抑制存储器漏电流能量损耗的方法-CN200810004868.3无效
发明人：林文斌;许世玄;林烈萩;江培嘉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器，包括一电流发生器、一位线、一存储器单元、以及一漏电流抑制电路。该电流发生器负责产生一控制电流。该位线耦接该电流发生器与该存储器单元，由一位线选取器控制其导通状态。该存储器单元包括串接的一晶体管与一存储元件。该晶体管的导通状态由一字线上的信号控制。该晶体管导通时，该控制电流负责决定该存储元件的组态。该漏电流抑制电路将于该存储器不作用时令该晶体管上的一电压趋近零。
存储器抑制漏电能量损耗方法

[发明专利]相变存储器与相变存储器的控制方法-CN200710159854.4无效
发明人：林烈萩;许世玄;江培嘉;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器技术，其中令多个相变储存单元串联以共享一电流源，并且以多个开关控制该电流源所提供的一输入电流的电流路径。本发明通过控制所述开关与该输入电流设定所述相变储存单元的电阻值以储存数据，其中，不同数据储存于所述相变储存单元时，所述相变储存单元具有不同的电阻和。
相变存储器控制方法

[发明专利]数据编程电路以及存储器编程方法-CN200710199743.6有效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种数据编程电路以及存储器编程方法。该数据编程电路，用以将写入数据储存至存储单元。一控制电路根据写入数据而产生控制信号。一电流产生电路根据控制信号而提供流经存储单元的写入电流以改变存储单元的结晶状态，其中写入电流具有对应于写入数据的脉冲宽度，且结晶状态对应于写入数据。
数据编程电路以及存储器方法

[发明专利]相变存储器的写入系统与方法-CN200710197139.X无效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明的一实施例为一种相变存储器的写入系统，包括一第一写入电路、一验证电路、一第一相变存储单元与一第二相变存储单元。该第一写入电路，执行一写入程序，接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元。该验证电路，执行一验证程序，包括一处理单元以及一第二写入电路。该处理单元，读取并比较该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据。该第二写入电路，当该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据并不符合时，将该第二数据再次写入该第二相变存储单元。
相变存储器写入系统方法

[发明专利]相变存储单元控制装置及增加相变存储单元可靠度的方法-CN200710162589.5无效
发明人： 江培嘉;许世玄;林烈萩;林文斌 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储单元控制技术，以令彼此间具有工艺误差的多个相变存储单元在设定模式下具有相同的电阻值。
相变存储单元控制装置增加可靠方法

[发明专利]相变存储器的感测电路-CN200710141615.6无效
发明人：林烈萩;许世玄;江培嘉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种相变存储器的感测电路，该感测电路包括一数据电流源与一参考电流源、一数据存储元件与一参考存储元件、一数据开关与一参考开关、一辅助电流源以及一比较器，该数据存储元件与该参考存储元件的第一端分别耦接至该数据电流源与该参考电流源，该数据开关与该参考开关分别耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第二端，该辅助电流源动态地耦接至该数据存储元件或该参考存储元件的第一端，该比较器耦接至该数据存储元件与该参考存储元件的第一端。
相变存储器电路

[发明专利]相变存储器的感测电路及方法-CN200710142311.1无效
发明人：林烈萩;许世玄;江培嘉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种相变存储器的感测电路，该感测电路包括一储存电容与一参考电容、一储存存储元件与一参考存储元件、一储存放电开关与一参考放电开关以及一判断装置，该储存电容与该参考电容的第一端分别通过一第一开关耦接至一预充电压，该储存存储元件与该参考存储元件的第一端分别通过一第二开关耦接至该储存电容与该参考电容的该第一端，该储存放电开关与该参考放电开关分别耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的第二端，该判断装置耦接至该储存存储元件与该参考存储元件的该第一端，并提供一输出作为该储存存储元件存储状态的读取结果。
相变存储器电路方法

[发明专利]相变存储器的写入电路-CN200710128067.3无效
发明人： 江培嘉;许世玄;林烈萩 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器的写入电路，包括一驱动电流产生电路，用以提供一写入电流；一第一开关装置，耦接该驱动电流产生电路；一第一存储单元，耦接该第一开关装置；以及一第二开关装置，耦接该第一存储单元与一地电平。当该驱动电流产生电路输出该写入电流至该第一存储单元时，该第二开关装置在该第一开关装置导通后的一第一预定时间后导通。
相变存储器写入电路

[发明专利]补偿电路与具有该补偿电路的存储器-CN200710100841.X无效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种补偿电路，适用在串联式操作组件，包括写入驱动电路、距离检测电路、操作组件以及辅助驱动电路。该写入驱动电路，提供写入电流至写入路径(writing path)。该距离检测电路，耦接该写入路径，检测该写入电流流经的路径长度，并输出控制信号。该操作组件，耦接该写入路径。该辅助驱动电路，根据该控制信号，用以提供辅助电流至该写入路径。
补偿电路具有存储器

[发明专利]相变化存储器写入的驱动方法与系统-CN200710086370.1无效
发明人：许世玄;林烈萩;江培嘉;王文翰 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器写入的驱动方法，包括计数一相变化存储器的一存取次数以及当该存取次数大于一预定次数时，对该相变化存储器进行数据刷新操作。
相变存储器写入驱动方法系统

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