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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于微驱动器和微LED的底板结构和方法-CN201780011825.5有效
发明人： 胡馨华;崔在仁;J·E·佩德;I·比塔;唐海榕;许锦纬;S·查拉萨尼;陈之磊;康盛球;小野晋也;黃戎岩;蔡纶 -专利权人：苹果公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：描述了微LED和微驱动器芯片集成方案。在一个实施方案中，微驱动器芯片包括形成在所述微驱动器芯片的底表面中的多个沟槽，其中每个沟槽围绕在所述微驱动器芯片主体的底表面下方延伸的导电立柱。另外，描述了用于提供与导电端子触点和微LED的电连接的集成方案，所述导电端子触点和所述微LED键合到显示器衬底且与微驱动器芯片相邻。
用于驱动器 led 底板结构方法

[发明专利]具有嵌入式像素驱动器芯片的显示器-CN201980011226.2在审
发明人： E·惠特曼;V·帕特尔;T·诺塔;李夏;胡馨华 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：实施方案描述了一种显示器集成方案，其中像素驱动器芯片阵列正面朝上嵌入绝缘层中。正面重新分布层(RDL)跨越像素驱动器芯片阵列的正面并与之电连接，并且发光二极管(LED)阵列粘结到正面RDL。像素驱动器芯片可位于显示面板的显示区域的正下方。
具有嵌入式像素驱动器芯片显示器

[发明专利]发光器件反射隔堤结构-CN201380064361.6有效
发明人： K·V·萨卡里亚;A·比布尔;胡馨华 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明题为“发光器件反射隔堤结构”。本发明描述了发光器件的反射隔堤结构。该反射隔堤结构可包括衬底、衬底上的绝缘层以及绝缘层中的隔堤开口阵列，其中每个隔堤开口包括底表面和侧壁。反射层跨越绝缘层中的隔堤开口中的每个隔堤开口的侧壁。
发光器件反射结构

[发明专利]具有内部限制的电流注入区域的LED-CN201480065438.6有效
发明人： K·麦格罗迪;胡馨华;A·比布尔;C·K·T·钱;D·A·黑格尔 -专利权人：苹果公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了用于形成LED器件阵列的方法和结构。根据本发明的实施方案的LED器件可以包括内部限制电流注入区域，以减少由于边缘效应导致的非辐射复合。用于限制电流的几种方式可以包括蚀刻移除电流分布层、蚀刻移除电流分布层和有源层，之后进行台面再生长、通过离子植入或扩散进行隔离、量子阱混杂以及氧化物隔离。
具有内部限制电流注入区域 led

[发明专利]形成微型LED阵列的方法-CN201380027821.8有效
发明人： 胡馨华;A·拜布尔 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明描述了一种制造微型器件和微型器件阵列并向接收衬底转移的方法。在一个实施例中，利用图案化牺牲层形成自对准金属化堆栈并在蚀刻p‑n二极管层期间将图案化牺牲层用作蚀刻停止层以形成多个微型p‑n二极管。
形成具有对准金属化堆栈微型 led 器件方法

[发明专利]具有稳定柱的微型器件-CN201480037631.9有效
发明人： 胡馨华;K·K·C·常;A·比布尔 -专利权人：苹果公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于稳定微型器件阵列的方法和结构。稳定层包括稳定腔阵列和稳定柱阵列。每个稳定腔包括围绕稳定柱的侧壁。微型器件阵列位于稳定柱阵列上。微型器件阵列中的每个微型器件包括底表面，该底表面比底表面正下方的对应稳定柱宽。
稳定柱微型器件阵列微型器件稳定腔稳定层侧壁

[发明专利]顺应性的微型器件转移头部-CN201380027965.3有效
发明人： A·比布尔;J·A·希金森;胡馨华 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-05-01 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了顺应性的微型器件转移头部和头部阵列。在一个实施例中，微型器件转移头部包括弹簧部分，该弹簧部分可挠曲到位于基部衬底和弹簧部分之间的空间中。
顺应性微型器件转移头部

[发明专利]具有嵌入纳米线LED的LED器件-CN201510112427.5有效
发明人： 胡馨华;A·比布尔 -专利权人：苹果公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明描述了一种纳米线器件和一种形成准备好拾取并转移到接收衬底的纳米线器件的方法。在实施例中，所述纳米线器件包括基底层和多根纳米线，所述多根纳米线在所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面突出。封装材料侧向围绕所述纳米线器件中的所述多根纳米线，使得所述纳米线嵌入在所述封装材料内。
具有嵌入纳米 led 器件

[发明专利]制作微器件传送头的方法-CN201280067414.5有效
发明人： A·拜布尔;J·A·希金森;H-F·S·劳;胡馨华 -专利权人：苹果公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：公开了一种微器件传送头和头阵列。在实施例中，微器件传送头包括基底衬底、具有侧壁的台面结构、在台面结构之上形成的电极、以及覆盖电极的介电层。能够向微器件传送头和头阵列施加电压以从载体衬底拾起微器件并且将微器件释放到接收衬底上。
制作器件传送方法

[发明专利]传送微器件的方法-CN201280067419.8有效
发明人： A·拜布尔;J·A·希金森;H-F·S·劳;胡馨华 -专利权人：苹果公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：公开了一种微器件传送头和头阵列。在实施例中，微器件传送头包括基底衬底、具有侧壁的台面结构、在台面结构之上形成的电极、以及覆盖电极的介电层。能够向微器件传送头和头阵列施加电压以从载体衬底拾起微器件并且将微器件释放到接收衬底上。
传送器件方法

[发明专利]转移并键合微型器件阵列的方法-CN201380008866.0有效
发明人： A·拜布尔;J·A·希金森;胡馨华;H-F·S·劳 -专利权人：苹果公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明描述了静电转移头阵列组件和将微型器件阵列转移并键合到接收衬底的方法。在一个实施例中，方法包括利用支撑静电转移头阵列的静电转移头组件从承载衬底拾取微型器件阵列，使接收衬底与微型器件阵列接触，从静电转移头组件转移能量以将微型器件阵列键合到接收衬底，以及将微型器件阵列释放到接收衬底上。
转移微型器件阵列方法

[发明专利]微器件传送头-CN201280067417.9有效
发明人： A·拜布尔;J·A·希金森;H-F·S·劳;胡馨华 -专利权人：苹果公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：公开了一种微器件传送头和头阵列。在实施例中，微器件传送头包括基底衬底、具有侧壁的台面结构、在台面结构之上形成的电极、以及覆盖电极的介电层。能够向微器件传送头和头阵列施加电压以从载体衬底拾起微器件并且将微器件释放到接收衬底上。
器件传送

[实用新型]纳米线器件和具有纳米线的结构-CN201520146025.2有效
发明人： 胡馨华;A·比布尔 -专利权人：勒克斯维科技公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型描述了一种纳米线器件和具有纳米线的结构，其中纳米线包括：基底层；多根纳米线，所述多根纳米线位于所述基底层的第一表面上并远离所述基底层的第一表面地突出；其中每根纳米线包括芯、壳、以及位于所述芯和所述壳之间的有源层；封装材料，所述封装材料侧向地围绕所述多根纳米线，使得所述多根纳米线嵌入在所述封装材料中；顶部电极层，所述顶部电极层位于所述基底层的与所述第一表面相对的第二表面上并且与每根纳米线的所述芯电接触；和底部电极层，所述底部电极层与每根纳米线的所述壳电接触。
纳米器件具有结构

[发明专利]微型器件稳定柱-CN201380049330.3有效
发明人： 胡馨华;A·比布尔;J·A·希金森 -专利权人：勒克斯维科技公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于稳定微型器件阵列的方法和结构。该微型器件阵列形成于由热固性材料形成的稳定柱阵列上。每个微型器件包括底表面，该底表面比该底表面正下方的对应稳定柱宽。
微型器件稳定

[发明专利]传送发光二极管的方法-CN201280066486.8有效
发明人： A·拜布尔;J·A·希金森;H-F·S·劳;胡馨华 -专利权人：勒克斯维科技公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：描述一种微发光二极管(LED)和一种形成用于向接收衬底传送的微LED阵列的方法。微LED结构可以包括微p-n二极管和金属化层，而金属化层在微p-n二极管与键合层之间。保形电介质屏障层可以跨越微p-n二极管的侧壁。可以拾取并且向接收衬底传送微LED结构和微LED阵列。
传送发光二极管方法

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