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[发明专利]污水泵站与管网调节池的全地下式组合系统及其运行方法-CN202310800055.X在审
发明人：沈捷;许世梁;刘宇孛;宋文清;胡泽伟 -专利权人：上海市政工程设计研究总院（集团）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： E03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及污水收集及输送技术领域，尤其涉及一种污水泵站与管网调节池的全地下式组合系统及其运行方法。组合系统包括进水单元、污水泵房单元及应急调节池单元；污水进入进水单元后依次经过进水渠、格栅渠进入配水区，并通过配水孔与污水泵房单元及应急调节池单元连通。当污水系统出现应急事故、下游市政设施养护工况或系统污水量处于峰值需要调节时，打开应急调节池单元与配水区之间闸门，污水可自配水区经由配水孔进入应急调节池单元暂存调节，待养护结束或污水管网系统低负荷运行时段，再将存蓄的污水通过放空井回流至污水泵房单元，或直接向下游管道提升输送。本发明可以有效应对城市污水管网系统的运行压力及事故风险。
污水泵站管网调节地下组合系统及其运行方法

[发明专利]一种新型Si-SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件-CN202210088057.6有效
发明人：孔谋夫;黄柯;高佳成;胡泽伟;陈宗棋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供一种新型Si‑SiC异质结隧穿MOSFET器件及其集成器件，用以克服传统硅基MOSFET的二级效应。本发明采用N型硅半导体区与P型碳化硅半导体区、或者N型碳化硅半导体区与P型硅半导体区之间形成的Si‑SiC异质结结构，器件有效沟道为Si‑SiC异质结的结面，即有效沟道长为无限短，则不存在沟道长度调制效应，有效消除二级效应，进而克服SiC中反型层迁中电子移率低的问题；同时，本发明器件结构能够实现在同一衬底上NMOS与PMOS的隔离，进而实现反相器等结构，在SiC集成电路及SiC功率集成电路领域具有广阔的应用前景。
一种新型 si sic 异质结隧穿 mosfet 器件及其集成

[发明专利]隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结MOSFET功率器件-CN202110676212.1有效
发明人：孔谋夫;郭嘉欣;黄柯;胡泽伟;高佳成;陈宗棋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体提供一种隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结M OSFET功率器件，具有新的导通机制：在隧穿机制的辅助下改变硅/碳化硅异质结界面处的能带分布，使其不仅在栅氧化层下方产生导电沟道，而且使得硅/碳化硅异质结发生带带隧穿，两者共同完成MOSFET功率器件的导通；同时，在结构的上半部分采用Si材料，提高了沟道载流子迁移率，降低比导通电阻，在结构的下半部分采用SiC材料，保持了SiC结构高耐压的优点；在硅/碳化硅交界面处形成异质结；当该结构工作在反向状态时，异质结导通，实现器件自身的反向恢复特性；而且由于其本身存在势垒，不存在少数载流子注入SiC漂移区，避免了SiC器件的双极性退化效应。
辅助碳化硅异质结 mosfet 功率器件

[发明专利]集成反向肖特基续流二极管的可逆导碳化硅JFET功率器件-CN202011227580.X有效
发明人：孔谋夫;郭嘉欣;高佳成;吴焕杰;张丙可;黄柯;王彬;胡泽伟;陈宗棋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种集成反向肖特基续流二极管的可逆导碳化硅JFET功率器件，属于半导体功率器件技术领域。所述功率器件包括N型漂移区、位于N型漂移区上表面的正面结构和位于漂移区下表面的背面结构，背面结构包括N型漏极区，以及与N型漏极区欧姆接触的金属化漏极，正面结构包括N型源极区，以及与N型源极区欧姆接触的金属化源极。相较于现有的结构，本发明功率器件可以获得较高的沟道迁移率、较低的导通电阻，集成反向续流的肖特基势垒二极管有效提高了器件的集成度，降低了应用成本。
集成反向肖特基续流二极管可逆碳化硅 jfet 功率器件

[实用新型]一种医用冷敷眼贴用均匀分段裁剪装置-CN202121793687.0有效
发明人： 胡泽伟;王文状;倪姜;郑雷雷 -专利权人：湖北铭伟医疗科技有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B26D1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了冷敷贴生产技术领域的一种医用冷敷眼贴用均匀分段裁剪装置，包括底板，底板的上端固定有安装竖板，安装竖板的右部设置有上料机构，安装竖板上转动设置有两个限位辊，安装竖板的中部设置有切割机构，安装竖板的上端位于切割机构的下方设置有固定机构，安装竖板的左部设置有下料机构，底板的上端位于固定机构的左侧设置有料框，料框的外侧设置有U形挡板；本实用新型能够利用固定机构将无纺布吸附限位，提高切割过程中的稳定性，能够利用上料机构自动上料，利用下料机构自动下料，提高了自动化程度，降低了人力的负担。
一种医用冷敷眼贴用均匀分段裁剪装置

[发明专利]一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件-CN202210784674.X在审
发明人：孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体提供一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件；本发明采用多晶硅/碳化硅异质结、硅/碳化硅异质结、氧化镍/碳化硅异质结或集成肖特基二极管结构来改善碳化硅MOSFET的反向恢复特性，实现自我可逆导，进而实现更低的反向恢复损耗和更高的反向恢复性能，最终降低反向恢复损耗以及避免使用片外续流二极管，降低了应用成本和系统的体积；与此同时，进一步引入高k绝缘体和/或超结结构、氧化镍/碳化硅异质结超结结构、以及氧化镍/绝缘层/碳化硅超结结构，这些新型结构在增大击穿电压的同时，能够有效降低比导通电阻，从而降低了导通损耗，极大地改善器件的性能。
一种损耗可逆碳化硅场效应功率晶体管器件

[实用新型]一种简易拆装多材质组合的车钥匙保护壳-CN202220209080.1有效
发明人： 胡泽伟 -专利权人： 胡泽伟
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： E05B19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种简易拆装多材质组合的车钥匙保护壳，包括PC塑胶上盖和PC塑胶下盖，所述PC塑胶上盖上设有上壳体，所述上壳体上设有按键贴，所述PC塑胶下盖底壁上设有下壳体，所述PC塑胶上盖和PC塑胶下盖之间设有车钥匙，所述PC塑胶上盖上壁设有logo孔和多个钥匙孔，所述PC塑胶上盖上设有活动扣，所述PC塑胶下盖上设有按压键，所述PC塑胶下盖上设有与活动扣相配合的挡块。本实用新型与现有技术相比优点在于：拆装更方便，生产便易，成本低廉，损坏率更低，拆装使用寿命更长。
一种简易拆装材质组合钥匙保护

[实用新型]智能一体化计量装置-CN202122336332.5有效
发明人：胡大玮;胡泽伟;刘宇 -专利权人：邢台兢睿电子科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01G3/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及计量装置技术领域，具体地说，涉及智能一体化计量装置，包括计量器，计量器包括称量体，称量体包括称量台，称量台设有称量弹簧，称量弹簧连接有承重板，承重板设有指针，称量台设有显示板，称量台设有连接架，连接架设有套环，套环设有清洁体，清洁体包括清洁筒，清洁筒设有套槽，清洁筒设有投料斗，清洁筒开设有清洁仓，清洁仓连接有旋转体，旋转体设有清洁刷，清洁筒固定有伺服电机，伺服电机的皮带与旋转体套接配合，伺服电机与旋转体通过皮带传动连接。本实用新型的优点是测量时可以对物体进行清洁减小测量误差从而确保对物体测量的准确性。
智能一体化计量装置

[发明专利]新型结构氧化镓场效应晶体管功率器件-CN202210462466.8在审
发明人：孔谋夫;高佳成;陈宗棋;胡泽伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体提供新型结构氧化镓场效应晶体管功率器件，包括：具有高耐压和低比导通电阻的氧化镓横向场效应功率晶体管，具有正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓结型场效应晶体管，以及具有高耐压、正阈值电压和小泄漏电流的氧化镓绝缘栅场效应晶体管功率器件；采用高K介质层实现在相同的漂移区长度下获得更高的耐压，或者引入P型金刚石(或氮化铝、氧化镍)区实现在相同的漂移区长度及更高的漂移区掺杂浓度下提高横向场效应功率晶体管的耐压、减小比导通电阻；并且，利用P型金刚石(或氮化铝、氧化镍)区分别代替传统金属栅材料得到正阈值电压和小泄漏电流的器件，金刚石和氮化铝的引入也提高了散热能力，改善器件的性能。
新型结构氧化场效应晶体管功率器件

[实用新型]一种用于医用冷敷贴生产具有定位机构的剪切装置-CN202220115952.8有效
发明人： 胡泽伟;王文状;倪姜;郑雷雷 -专利权人：湖北铭伟医疗科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B26D1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及冷敷贴加工领域，具体为一种用于医用冷敷贴生产具有定位机构的剪切装置，包括底板，所述底板的顶面固定连接有固定板，所述固定板的侧面固定连接有气缸，且气缸侧面的底部固定连接有切割刀，所述气缸的底端固定连接有收缩杆，所述收缩杆的底端固定连接有阻尼管，所述阻尼管的侧面的两端均活动插接有插杆。该装置通过气缸伸长带动铰接板、切割刀同时向下移动，当铰接板侧面的转杆与冷敷贴表面抵触后偏转，使得插杆在阻尼管内滑动，使得弹簧伸长，在铰接板偏转时带动阻尼伸缩杆偏转与冷敷贴表面抵触，使得复位簧带动阻尼伸缩杆收缩，增加推杆对冷敷贴表面的抵触力，便于对冷敷贴原料进行抵触固定。
一种用于医用敷贴生产具有定位机构剪切装置

[发明专利]一种高压碳化硅功率场效应晶体管及高低压集成电路-CN202210208877.4在审
发明人：孔谋夫;王彬;胡泽伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，涉及碳化硅半导体器件及集成电路，具体提供一种高压碳化硅功率场效应晶体管及高低压集成电路，以解决传统SiC MOSFET器件的沟道迁移率低、导通电阻高以及高温栅氧可靠性的问题；同时，基于该高压碳化硅功率场效应晶体管器件，实现其与低压器件的同一衬底集成，为新型的SiC集成电路及功率集成电路技术提供新的实现途径。本发明高压碳化硅功率场效应晶体管的沟道迁移率大大增加，比导通电阻大大降低；同时，由于新型场效应晶体管没有栅氧介质层，能够避免SiC MOSFET的栅氧高温可靠性问题，使得器件能够在高温工作，而且新型场效应晶体管能够很好的实现高低压器件的集成，能够较好地用于高温集电路和高温功率集成电路。
一种高压碳化硅功率场效应晶体管低压集成电路

[外观设计]T恤（森林的孩子）-CN202130870227.2有效
发明人： 胡泽伟;支伊杰;胡晓琼;乔玉婷;张曹龙 -专利权人：无锡商业职业技术学院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： 02-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：T恤（森林的孩子）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于穿着。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.无设计要点，省略左视图;无设计要点，省略右视图;无设计要点，省略俯视图;无设计要点，省略仰视图。
森林孩子

[实用新型]信息采集器-CN202122336323.6有效
发明人：胡大玮;胡泽伟 -专利权人：邢台兢睿电子科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01F15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了信息采集器，包括PPB保护装置：所述PPB保护装置的内部贯穿设置有水管，所述水管的表面固定安装有位于PPB保护装置内部的智能水表，所述水管的顶部设置有位于智能水表两侧的阀门，所述PPB保护装置内腔右侧的底部嵌入式安装有漏损监测传感器，所述PPB保护装置内腔的顶部固定安装有数据远传模块，所述漏损监测传感器与数据远传模块通过连接线电性连接。本实用新型中，通过在实际使用时，能够实时监测水的用量情况以及漏损情况，方便安排人员前往修复，根据用量数据工作人员也能够及时的、合理的、快速的进行合理的安排(例如水费的充值，水费的消耗情况等)，这样的水表，智能化程度高，方便使用者使用。
信息采集

[外观设计]水表保护井-CN202130638894.8有效
发明人：胡大玮;胡泽伟 -专利权人：邢台兢睿电子科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： 25-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：水表保护井。2.本外观设计产品的用途：用于对井内水表及其阀体的保护。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
水表保护

[发明专利]智能一体化计量装置-CN202111129311.4在审
发明人：胡大玮;胡泽伟;刘宇 -专利权人：邢台兢睿电子科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H04Q9/00 文献下载
摘要：本发明公开了智能一体化计量装置，包括PPB保护装置和系统管理平台：PPB保护装置的顶部设置有顶板，顶板顶部的两侧均贯穿设置有密封盖，密封盖内腔的顶部固定安装有远传模块，PPB保护装置内腔底部的左侧固定安装有漏损监测传感器。本发明中，井壁密封性好，可为智能水表提供良好的运行环境，不受外界施工环境影响；可直接利用成型的组件安装，施工开挖面积小；省工、省时，安装进度快，内部设液位计，接口漏水时可信号报警及时维修；维护量小，清通简单，井盖位置加装信号传输装置，加上井体为塑料材质，对信号传输的影响很小，保证了信号的正常传输，又能保证设备的正常使用寿命≥50年，成本消耗较低。
智能一体化计量装置

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