“王笃祥”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果158个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种粗糙化不可见光全角度发光二级管及其制作方法-CN201511034962.X在审
发明人：彭成基;黄俊凯;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种粗糙化不可见光全角度发光二极管及其制作方法，所述发光二极管的侧壁、生长基板均进行粗化处理，且其背电极进行图形化处理。将生长基板粗糙化，减少垂直反射光，增加侧向发光；侧壁粗糙化，降低内部侧壁全反射，提升侧壁发光效率，发光角度达到0-180°；通过黄光微影技术与化学湿蚀刻法完成图形化P(N)背电极，降低内部反射次数，提升内部发光效率，全角度发光达到0-360°。
一种粗糙可见光角度发光二级及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201510958441.7在审
发明人：舒立明;王良均;刘晓峰;叶大千;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光强度均匀的二极管结构设计，该外延片结构由下至上包括：衬底，N型层，多量子阱有源区，P型层；随后进行芯片工艺制备，在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值，通过控制电流调整结构在N型层汇总占用体积、横向和纵向蚀刻深度，降低了临近N电极位置的载流子聚集效应，使更多的载流子流向靠近P电极位置，增加N型层中流向靠近P电极位置电子数量，使同一LED芯片不同位置发光更加均匀；同时由于载流子聚集效应得到缓解，LED可靠性得到进一步提升。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种对LED发光组件进行金属键合的方法-CN201510710700.4在审
发明人：吴超瑜;吴俊毅;谢振刚;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种对LED发光组件进行金属键合的方法，所述LED发光组件包括第一基板、第一金属键合层、第二金属键合层和第二基板；所述方法包括如下步骤：(1)蒸镀第一金属键合层于第一基板上；(2)蒸镀第二金属键合层于第二基板上；(3)将第一金属键合层、第二金属键合层做高温高压键合；所述蒸镀工艺的蒸镀速率为；起镀真空度为3E-06～8E-06torr；蒸镀温度为50～70℃；蒸镀厚度为。本发明利用蒸镀条件的优化将其金属扩散键合制程简化,可达到高键合良率,并且可有效降低键合金属层厚度,达到降低成本效果。
一种 led 发光组件进行金属键方法

[发明专利]一种氮化物底层及其制备方法-CN201510878249.7在审
发明人：张东炎;叶大千;刘明英;刘志彬;高文浩;王良均;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物底层及其制备方法，属于光电器件制备领域，该氮化物底层具有很低的位错密度，可用于发光二极管等光电器件。其具体结构包含：衬底，低温氮化物层、三维氮化物层、二维氮化物层。其中，低温氮化物层采用分子束外延技术在富Ga的条件下生长，退火后低温缓冲层的厚度小于15nm，具有较高的厚度均匀性。采用该方法制备的氮化物底层位错密度在5E6/cm²以下，并且能够提升晶圆的表面良率。
一种氮化物底层及其制备方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201510877969.1在审
发明人：杨恕帆;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，其在发光外延叠层的出光面上设置电连接层，可由介电层间隔从而不相连，表面经CMP处理后在极平坦的面上镀上透明电流扩展层，从而降低透明电流扩展层的横向传导阻值并代替金属扩展条进行横向传导。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管芯片结构、封装结构及其制备方法-CN201510710696.1在审
发明人：吴超瑜;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片结构，包括芯片，所述芯片包括导电基板和位于导电基板上的外延层，所述外延层包括P型批覆层和N型批覆层，所述P型批覆层和N型批覆层之间设有发光层；所述芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与外延层上方连接，第二电极与导电基板下方连接；所述导电基板下部的两侧及第二电极的两侧沿垂直方向均贯穿有第一凹槽。本发明结构简单，通过设计的凹槽，使得封装时，导电银胶能够限制在凹槽的内角处，有效的避免了银胶过量导致的芯片漏电失效问题。
一种发光二极管芯片结构封装及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201510674946.0在审
发明人：黄冠英;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中发二极管包括：外延叠层，至下而上依次包含：n型欧姆接触层、第一n型转换层、n型蚀刻停止层、第二n型转换层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型转换层和p型窗口层；p电极，位于所述p型窗口层的上表面之上；金属键合层，位于所述n型欧姆接触层的下表面之上，其中对应于所述p电极位置的部分向上延伸贯穿所述n型欧姆接触层、第一n型转换层层，至所述n型蚀刻停止层，形成调整电流分布结构，从而当注入电流时，电流不向所述p电极的正下方的外延叠层流入；导电基板，位于所述金属键合层的下表面之上。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法-CN201510659925.1在审
发明人：熊伟平;毕京锋;陈文浚;刘冠洲;杨美佳;李明阳;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明公开集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法，自上而下包含：玻璃盖片；透明粘接层；正面电极；n/p光电转换层；p/n隧穿结；n/p旁路二极管结构层，其p型层被部分蚀刻，露出部分n型层；第一背面电极，覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层；第二背面电极，覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层；所述太阳电池芯片包括至少一通孔，其贯穿所述n/p光电转换层、p/n隧穿结、n/p旁路二极管结构层，通孔内壁沉积电绝缘层，通孔内填充金属，连接所述的正面电极与第一背面电极。本发明不占用电池芯片有效受光面积，实现了无衬底超薄电池，大幅改善电池散热，同时由于极轻的重量使得其在空间电源应用中具备突出优势。
集成旁路二极管倒装太阳电池芯片及其制备方法

[发明专利]一种具有扩散结旁路二极管的太阳电池芯片-CN201510691326.8在审
发明人：熊伟平;毕京锋;陈文浚;刘冠洲;杨美佳;李明阳;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：本发明公开一种具有扩散结旁路二极管的太阳电池芯片，自上而下包括：正面电极、包括发射区和基区的太阳电池光电转换层以及相互隔离的第一背面电极、第二背面电极，所述基区下表面具有一局部区域扩散结，所述扩散结位于电池芯片的一侧，所述第一背面电极覆盖但不超出基区未进行表面扩散的部分，所述第二背面电极覆盖但不超出所述的扩散结表面。本发明设计的旁路二极管用于保护电池串中相邻的电池片，芯片工艺简单，无需经多次扩散、蚀刻形成与电池光电转换层机械隔离的旁路二极管；旁路二极管位于电池片背面，不占用电池表面光照面积；基区同时作为光电转换层及旁路二极管的正极（或负极），减少了功率损耗。
一种具有扩散旁路二极管太阳电池芯片

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201510768850.0在审
发明人：杨美佳;毕京锋;李森林;刘冠洲;李明阳;熊伟平;陈文浚;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，其中所述太阳能电池，包括：基板、设置在该基板上的键合金属层、欧姆接触金属层、应力阻隔层、设置在该应力阻隔层上的太阳能电池半导体层和设置在所述太阳能电池半导体层上表面的欧姆电极。所述应力阻隔层设置于太阳能电池半导体层和欧姆接触金属层之间，可有效阻隔欧姆接触金属层及键合金属层对太阳能电池半导体层的热应力，避免热应力使太阳能电池半导体层晶体质量变差、甚至带隙发生偏移。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构与制作方法-CN201510710829.5在审
发明人：吴超瑜;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构，属于发光二极管技术领域，包括一基板和一正电极，基板上表面键合有外延层，外延层包括由下到上依次设置的p-GaP层、P-披覆层、量子阱和N-披覆层，N-披覆层上设有一N型奥姆接触金属层，N-批覆层、量子阱和P-批覆层的侧壁上设有一绝缘层，N型奥姆接触金属层与p-GaP层联接并形成负电极，p-GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，还包括一P型奥姆接触金属层，正电极与P型奥姆接触金属层电连接。本发明还提供了上述防止逆向电压击穿发光二极管的结构的制作方法。本发明结构合理，能够避免逆偏压过高造成量子阱发光层被破坏而导致LED失效，既可以使用在垂直版芯片上又可以使用在水平版芯片上。
一种防止逆向电压击穿发光二极管结构制作方法

[发明专利]发光二极管-CN201510714528.X在审
发明人：蔡正文;蒙成;王晶;王笃祥;吴超瑜 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：n型限制层、p型限制层和夹在两者之间的有源层，其特征在于：所述有源层含有量子阱结构和带有掺杂的双异质结构，其中所述双异质结构邻近所述n型限制层，所述量子阱结构近邻p型限制层，以减轻大电流情况下的载子溢流状况，同时提升发出光线的色纯度。
发光二极管

[实用新型]新型点测机-CN201520337519.9有效
发明人：魏家举;程亚亚;杨硕;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：新型点测机，用于LED半导体晶片点测，其特征在于：新型点测机具有面状结构的点测针，所述点测针在工作时与待测芯粒进行面接触，避免了点测坑洞对封装焊线的影响。所述点测针的后段金属杆连接处，熔接角度为10°~15°，结构上的改变减少占据芯粒发光面积、提升机台的利用率和增加芯粒点测光电参数的准确性。
新型点测机

[实用新型]一种晶片键合治具-CN201520289827.9有效
发明人：韩雪松;谢创宇;王笃祥;吴超瑜;马志邦 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶片键合治具，其包括相互配合的上座和下座，其中间区域用于放置键合晶片，其特征在于：所述下座上表面的外沿处设定一带有弹性系数的平边定位装置和晶片定位柱，所述晶片定位柱位于所述平边定位装置所在位置的远端。在治具边缘增加具有弹性系数的平边定位装置，键合作业时使粘合的晶片平边与平边定位装置接触，通过带有弹性系数的装置将定位器—晶片平边远端定位柱固定成一种稳定结构，从而防止高温高压下键合晶片旋转错位。
一种晶片键合治具

[实用新型]一种LED测试系统-CN201520228472.2有效
发明人：申利莹;董木森;张君逸;潘冠甫;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED测试系统，用以测试LED晶圆片的多个LED芯粒，其特征在于：至少包括具有点测探针的光侦测系统和具有标记探针的判定系统，所述点测探针的针头面积S1小于等于所测试LED芯粒的电极面积S2的1/4，所述标记探针的针头面积S3大于所测试LED芯粒的电极面积S2的1/4且小于所测试LED芯粒的整个面积S4。本实用新型可以有效避免传统点红墨标记测试系统可能引起良率损失和品质风险。同时，可采用多针点测或/和多针标记来提高LED测试系统的工作效率。
一种 led 测试系统