[发明专利]集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510659925.1 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336749A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;毕京锋;陈文浚;刘冠洲;杨美佳;李明阳;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/048;H01L31/0443;H01L31/068;H01L21/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法，自上而下包含：玻璃盖片；透明粘接层；正面电极；n/p光电转换层；p/n隧穿结；n/p旁路二极管结构层，其p型层被部分蚀刻，露出部分n型层；第一背面电极，覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层；第二背面电极，覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层；所述太阳电池芯片包括至少一通孔，其贯穿所述n/p光电转换层、p/n隧穿结、n/p旁路二极管结构层，通孔内壁沉积电绝缘层，通孔内填充金属，连接所述的正面电极与第一背面电极。本发明不占用电池芯片有效受光面积，实现了无衬底超薄电池，大幅改善电池散热，同时由于极轻的重量使得其在空间电源应用中具备突出优势。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 旁路 二极管 倒装 太阳电池 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片，所述倒装多结太阳电池芯片自上而下包含：玻璃盖片；透明粘接层；正面电极；n/p光电转换层；p/n隧穿结；n/p旁路二极管结构层，其p型层被部分蚀刻，露出部分n型层；第一背面电极，覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层；第二背面电极，覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层；所述太阳电池芯片包括至少一通孔，其贯穿所述n/p光电转换层、p/n隧穿结、n/p旁路二极管结构层，通孔内壁沉积有电绝缘层，通孔内填充金属，连接所述的正面电极与第一背面电极。
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- 顾晓文;吴云;牛斌;曹正义 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2017-12-26 - 2020-08-11 - H01L27/142
- 本发明是一种氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法，其结构包括氮化硅垂直耦合光栅、氮化硅光波导器件和石墨烯探测器；其中氮化硅垂直耦合光栅为光信号输入口，连接氮化硅光波导器件；氮化硅光波导器件对光信号进行处理，连接并将处理后的光信号传输给石墨烯探测器，石墨烯探测器对处理后的光信号进行光电转换。优点：1）通过设计不同结构的氮化硅光波导器件可以实现多种可重构的光信号处理功能；2）石墨烯探测器相比传统的磷化铟基探测器具有更广的光吸收波长范围、更宽的电学带宽；3）器件结构简单，可实现片上单片集成的光信号处理功能单元和芯片。
- 一种太阳能电池组件、叠层太阳能电池及其制作方法-202010375904.8
- 丁蕾;张鹏;张忠文;王永谦 - 通威太阳能（眉山）有限公司
- 2020-05-06 - 2020-07-17 - H01L27/142
- 一种太阳能电池组件、叠层太阳能电池及其制作方法，属于光伏领域。叠层太阳能电池，包括通过隧穿结复合为一体钙钛矿电池和硅基电池。其中，钙钛矿电池具有正面电极，硅基电池具有正面电极和背面电极。该电池具有双面均可通过入射光发电，从而通过翻转改变直接的受光面进行发电。因此，在该电池中，硅基电池不受钙钛矿电池吸光的影响，保证硅基电池的效率和发电量。
- 一种芯片的制造方法及芯片-201910533923.6
- 余兴 - 芯盟科技有限公司
- 2019-06-19 - 2019-10-18 - H01L27/142
- 本申请实施例公开了一种芯片的制造方法及芯片。该方法包括：在半导体衬底的第一区域形成能量转换结构；在半导体衬底的第二区域形成逻辑运算结构；第一区域与第二区域不重叠；在半导体衬底上形成导线；导线用于使能量转换结构与逻辑运算结构形成电连接；能量转换结构通过导线向逻辑运算结构提供电能；将能量转换结构与逻辑运算结构封装在一起，形成芯片。
- 一种能量收集器及终端设备-201910630970.2
- 卢继武;张齐毫;何敏;肖靖;翟东媛 - 湖南大学
- 2019-07-12 - 2019-10-11 - H01L27/142
- 本申请提供了一种能量收集器及终端设备，其中，能量收集器包括：第一钝化层、互补金属氧化物半导体CMOS芯片和铜铟镓硒薄膜太阳能电池CIGS层；第一钝化层位于CMOS芯片上；CIGS层位于第一钝化层远离CMOS芯片的一侧；其中，第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离。本申请将CIGS层集成在CMOS芯片上，并利用第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离，防止CMOS芯片被CIGS层中的钠离子污染，且阻止了CIGS层作等离子处理时可能的发生的等离子体充电损伤，实现了利用太阳能电池CIGS对CMOS芯片的不间断供电，且确保CMOS芯片正常运行。
- 电池内旁路二极管-201580020970.0
- 林承笵;加布里埃尔·哈利 - 太阳能公司
- 2015-05-22 - 2019-08-16 - H01L27/142
- 本发明公开一种太阳能电池，所述太阳能电池可包含内置旁路二极管。在一个实施例中，所述太阳能电池可包含：设置于基板的第一部分之中或上方的有源区；以及设置于所述基板的第二部分之中或上方的旁路二极管。所述基板的所述第一部分和第二部分可借助凹槽物理分隔。金属化结构可将所述有源区耦接至所述旁路二极管。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
