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[发明专利]一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法-CN201811178258.5有效
发明人：张恩;李紫谦;刘建军;许海明 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，提供了一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，包括S1‑S6六个步骤。本发明的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法采用部分区域设置光栅光刻版，一方面能够改善小发散角DFB激光器的光谱特性，提高良率，另一方面能够有效提高光输出功率；且通过采用反应离子刻蚀技术和非选择性湿法腐蚀形成渐变式波导结构，一方面，结合普通的异质结掩埋工艺，无需对接无源波导，可实现远场发散角为圆形，进一步提高光输出功率，提高器件耦合效率高，从而有效降低光器件TO的封装成本；另一方面，制作工艺与常规异质结掩埋工艺相同，未增加新的工艺，适合批量生产。
一种发散掩埋异质结 dfb 激光器制作方法

[发明专利]一种VCSEL芯片阵列结构及其制作方法-CN201810489567.8有效
发明人：唐琦;肖黎明;代露 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL芯片阵列结构，包括半导体层、氧化台阶和出光孔；氧化台阶在半导体层上呈阵列分布，且各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，氧化台阶为多边形结构，相邻氧化台阶之间通过半导体筋连接，相邻多个氧化台阶的轮廓线及连接两氧化台阶的半导体筋构成的封闭空间形成氧化孔，出光孔中心对称且具有非圆形的氧化前沿轮廓线。另外，本发明还提供了该VCSEL芯片阵列结构的制作方法。本发明通过各相邻出光孔的氧化台阶相互之间由半导体筋连接，保证了各出光孔的机械强度，同时各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，且分布均匀，保证了氧化速度沿各出光孔中心均匀对称，且出光孔近似圆斑，其氧化前沿轮廓线为非圆形，有利于改善VCSEL激光的偏振性能。
出光孔阵列结构中心对称轮廓线半导体半导体层非圆形多边形结构封闭空间均匀对称偏振性能阵列分布氧化孔制作近似激光保证

[实用新型]一种不规则晶圆固定装置-CN201920618478.9有效
发明人：黎浩;吴继清;许海明 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体芯片处理技术领域，具体提供了一种不规则晶圆固定装置,包括晶圆基座、移动卡件和限位卡扣组，限位卡扣组与晶圆基座固定连接，移动卡件可滑动的连接在晶圆基座上，且在晶圆基座与移动卡件之间设有弹簧，通过按压移动卡件使其相对限位卡扣组远离便可放置不规则晶圆，按压的同时也挤压弹簧，然后松手，在弹簧的回复力作用下使得移动卡件向限位卡扣组靠近从而将晶圆夹紧。该装置具有安全性能好、定位牢固、取放不规则晶圆便捷、可以长期反复使用，能防止晶圆固定时发生漂移；另一方面，采用压力可调节式固定，解决了传统夹具采用双面导电胶固定晶圆时不牢固、易漂移以及取放片不方便操作而导致晶圆易破损、污染的问题。
晶圆移动卡件晶圆基座限位卡扣不规则按压漂移弹簧取放晶圆固定装置可调节式固定半导体芯片本实用新型安全性能传统夹具方便操作挤压弹簧双面导电回复力胶固定可滑动夹紧破损污染

[发明专利]一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法-CN201810096944.1有效
发明人：张恩;刘建军;许海明 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，提供了一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，包括S1～S8八个步骤。本发明的一种掩埋AlGaInAs DFB激光器的制作方法，通过采用非选择性湿法腐蚀和选择性湿法腐蚀相结合的方法，无需使用高温离子刻蚀设备，制作工艺简单，成本较低，同时避免高温离子刻蚀带来的损伤，保证有源层AlGaInAs无损伤缺陷，降低AlGaInAs氧化的风险，同时在电流阻挡层生长前通过高温热处理消除AlGaInAs侧向的氧化薄层，保证后续电流阻挡层的生长质量，以实现高可靠性的AlGaInAs DFB激光器。
掩埋高温离子制作光电子技术领域侧向电流阻挡层高温热处理选择性湿法非选择性高可靠性后续电流刻蚀设备湿法腐蚀氧化薄层制作工艺无损伤阻挡层生长刻蚀源层损伤保证腐蚀

[实用新型]一种控制去胶区域的装置-CN201821421396.7有效
发明人：吴继清;黎浩;许海明 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种控制去胶区域的装置，包括底座和盖子，所述盖子盖在所述底座上，所述底座上设有用于放置外延片的圆形槽；所述盖子上设有用于控制实现外延片局部去胶的开孔。本实用新型提供的控制去胶区域的装置通过控制盖子上的扇形孔的大小来控制等离子去胶机对待去胶样品进行部分区域去胶，解决了现有等离子去胶机中去胶无区域选择性问题。
去胶盖子底座本实用新型等离子去胶外延片半导体技术领域区域选择性扇形孔圆形槽开孔

[实用新型]一种光强测量装置-CN201820429618.3有效
发明人：吴继淸;黎浩 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种光强测量装置，包括底座、连接杆、测量面板、卡环及光功率计探头；所述连接杆的一端固定于所述底座上，另一端与所述测量面板连接；所述测量面板上设有用于固定所述卡环的通孔；所述光功率计探头固定于所述卡环内。本实用新型提供的光强测量装置通过将光功率计探头固定于开环内来测量光束的光强，解决了光强测量中光功率计探头无法固定导致测量不准确的问题，使得测量光束的光强更加准确便捷。
光功率计探头光强测量装置测量面板卡环本实用新型测量光束连接杆光强底座半导体技术领域光强测量开环通孔测量

[实用新型]一种晶圆固定装置-CN201820466455.6有效
发明人：许海明;吴继清;黎浩 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件的生产制造技术领域，特别涉及一种晶圆固定装置，包括底座、同步机构及两个晶圆卡扣；所述底座的顶面上设有用于固定晶圆的圆形平台，底面上设有用于同步调节两个晶圆卡扣与圆形平台中心之间距离的同步机构，且两个所述晶圆卡扣均与同步机构连接；所述底座的侧面设有用于将晶圆夹紧固定在所述底座上的晶圆卡扣，且两个所述晶圆卡扣对称设置。本实用新型提供的晶圆固定装置安全性能好、定位牢固、更换便捷、可以长期反复使用且能防止晶圆固定时发生漂移；解决了普通晶圆固定夹具采用双面导电胶固定晶圆时不牢固、易漂移以及取放片不方便操作而导致晶圆易破损、污染的问题。
晶圆卡扣底座同步机构漂移本实用新型固定装置圆形平台种晶晶圆固定装置半导体器件安全性能对称设置方便操作固定夹具夹紧固定双面导电同步调节胶固定取放破损侧面污染制造生产

[发明专利]一种含铝材料的ICP刻蚀方法-CN201810262816.X在审
发明人：祝希;刘志峰;赵亮 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体行业的一种干法刻蚀，特别涉及一种含铝材料的ICP刻蚀方法，包括如下步骤：1）提供含铝材料的半导体芯片，对其表面进行清洗；2）采用化学气相沉积CVD方法在半导体芯片上生长一层掩膜层；3）在上述掩膜层上涂覆光刻胶并且制作出待刻蚀图形；4）采用RIE刻蚀掩膜层；5）去除RIE刻蚀后掩膜层表面的光刻胶；6）将经步骤5）处理后的半导体芯片放入ICP刻蚀设备中进行ICP刻蚀；ICP刻蚀的刻蚀条件为：刻蚀温度为20~60℃，刻蚀功率为1000~1500W，射频功率为50~200W，腔体压力为2~8mTorr，刻蚀气体为Cl2、H2、CH4的混合气体。本发明提供的含铝材料的ICP刻蚀方法解决了含铝材料的ICP刻蚀过程容易出现刻蚀速率慢、均匀性不好、形貌较差、表面不平坦、聚合物较多等问题。
含铝材料半导体芯片掩膜层刻蚀光刻胶化学气相沉积形貌半导体行业刻蚀掩膜层干法刻蚀混合气体刻蚀功率刻蚀气体刻蚀条件刻蚀图形腔体压力射频功率聚合物均匀性放入去除涂覆清洗平坦生长

[发明专利]一种光刻返工过程中半导体表面处理方法-CN201810488113.9在审
发明人：代露;吴继清;肖黎明 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法，包括如下步骤：1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构；2)去胶溶液去除待返工的光刻胶；3)等离子体辉光清理半导体结构表面；4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺；5)在薄膜层表面生长一层掩膜层；6)去除掩膜层；7)在薄膜层表面涂光刻胶。本发明通过在去除光刻胶并完成对半导体结构表面的清洗和干燥工艺后进行生长掩膜层的方法，以修复薄膜层的表面形貌，同时生长过程中一些等离子体可与薄膜层表面的悬键相结合，在去除掩膜层同时降低了表面悬键数量，减少由形貌不佳、悬键过多所造成的缺陷，提高光刻胶与薄膜层附着力，防止光刻胶脱落并提高图形精度，有效提高产出和良率。
光刻胶掩膜层返工去除薄膜层表面薄膜层悬键半导体表面处理半导体结构表面干燥工艺光刻清洗附着力等离子体等离子体辉光形貌半导体结构表面形貌导体结构去胶溶液生长过程生长良率修复

[实用新型]一种光栅制作装置-CN201820195158.2有效
发明人：吴继清;黎浩;许海明 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种光栅制作装置，包括旋转台、用于遮挡光线的遮光板、用于固定晶圆的吸盘、用于水平移动晶圆和竖直移动晶圆的两轴调节机构；所述遮光板和所述两轴调节机构均固定于所述旋转台上，所述吸盘固定于所述两轴调节机构上；所述遮光板上设有透光孔，两束激光通过透光孔在晶圆上形成干涉，进行全息曝光、显影，制成光栅。本实用新型提供的光栅制作装置采用分区域全息曝光，解决了普通全息曝光光强分布不均匀导致的光栅良率低问题。
晶圆光栅制作装置全息曝光遮光板两轴吸盘本实用新型光栅透光孔半导体技术领域光强分布竖直移动不均匀分区域旋转台良率显影遮挡激光干涉

[实用新型]一种偏振相关超辐射发光二极管芯片-CN201820170353.X有效
发明人：王汉华;许海明;唐琦 -专利权人： 湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，提供了一种偏振相关超辐射发光二极管芯片，包括本体，还包括设于本体上的InP衬底层、有源波导结构以及P型覆盖层，InP衬底层、有源波导结构以及所述P型覆盖层均沿所述本体的厚度方向依次分布；所述有源波导结构沿所述本体的长度方向分为第一段、与所述第一段连接的第二段以及与所述第二段连接的第三段，所述第二段沿所述第一段至所述第三段的方向减缩。本实用新型的一种偏振相关超辐射发光二极管芯片，通过有源波导结构生长厚度的渐变，即出光方向的有源波导结构变厚以增加芯片近场的光斑尺寸，从而实现芯片PN结厚度方向的光斑优化，增强了整体的耦合效率，而且仅仅在结构上变化，不会导致封装成本的上升。
源波导超辐射发光二极管芯片偏振本实用新型衬底层段连接半导体发光器件光斑光斑优化耦合效率渐变减缩近场封装生长

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