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[发明专利]半导体结构的形成方法、半导体芯片、封装方法及结构-CN201710363969.9有效
发明人：陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法、一种半导体芯片、一种封装方法及一种封装结构，通过在第二钝化层中形成第三开口，以提高所述第二钝化层的粗糙度。因此在填充所述半导体芯片与布线基板之间的空隙时，增强了填充介质与所述半导体芯片的粘合度，从而使形成的封装结构更加稳定，性能更加优良。
半导体结构形成方法芯片封装

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN201611198710.5有效
发明人：金立中;陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：基底，所述基底包括焊垫主体区和位于焊垫主体区周围的凹槽区，所述凹槽区和焊垫主体区邻接；主体焊垫，位于焊垫主体区基底上；键合导电线，所述键合导电线的一端与所述主体焊垫连接。所述封装结构能够避免主体焊垫和周围器件发生短路。
封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体测试单元及半导体测试结构-CN201610620291.3有效
发明人：费春潮;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体测试单元及半导体测试结构，所述半导体测试单元包括依次层叠的金属层及位于顶层金属层上方的焊垫，其中，所述金属层及所述焊垫均设有倒角。本发明通过在焊垫及位于其下方的金属层上设置倒角，可以在激光沟道工艺中将产生的微损伤或微裂纹的起始点位置向切割道中心偏移，使其远离了芯片保护结构及芯片，降低了芯片边缘分层发生的概率或严重程度，从而提高了产品的可靠性。
金属层焊垫半导体测试倒角半导体测试结构顶层金属层起始点位置沟道工艺芯片保护芯片边缘依次层叠中心偏移切割道微裂纹微损伤分层激光芯片概率

[发明专利]用于晶圆的切割方法-CN201711316378.2在审
发明人：陆丽辉;费春潮;江博渊;王亚平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于晶圆的切割方法，涉及半导体技术领域。该切割方法包括：从晶圆的背面对该晶圆执行激光隐形切割处理；在执行该激光隐形切割处理之后，对该晶圆的背面执行研磨减薄处理；在执行该研磨减薄处理之后，在该晶圆的背面粘贴切割胶带；以及在粘贴该切割胶带之后，对该晶圆进行分离处理。该方法采用在研磨前进行隐形切割的方式，使激光直接作用在晶圆的背面上，从而减少激光的衰减问题，并且可以降低切割胶带的透光性要求。
晶圆切割胶带隐形切割研磨激光背面切割减薄处理粘贴半导体技术领域分离处理衰减问题透光性

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201710035984.0在审
发明人：王亚平;费春潮;江博渊;陆丽辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成焊盘，在所述焊盘内形成狭缝，所述狭缝位于所述引线焊球作用力区域中。该半导体器件的制作方法通过在焊盘上待焊接引线焊球的区域形成狭缝，来横向分散引线键合的作用力，从而降低在引线键合过程中金属互连层承受的作用力，避免内部金属互连层由于引线键合断裂而导致器件失效。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
半导体器件电子装置引线键合焊盘狭缝金属互连层制作焊球晶圆焊接引线横向分散器件失效区域形成断裂

[发明专利]一种多芯片封装结构及其制造方法-CN201611186966.4在审
发明人：李飞;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种多芯片封装结构及其制造方法，所述多芯片封装结构包括：堆叠放置的顶部芯片和底部芯片，其中顶部芯片具有第一表面和第二表面，底部芯片具有第三表面和第四表面，第一表面上形成有第一输入/输出端口，第四表面上形成有第二输入/输出端口；在第一表面一侧形成的第一重布线层，第一端与第一输入/输出端口相连，第二端与位于芯片侧面侧的导电通孔的顶端相连；所述底部芯片的第四表面一侧形成的第二重布线层，第一端与所述至少一个第二输入/输出端口相连。根据本发明的多芯片封装结构，将多个芯片堆叠摆放，在不改变芯片尺寸的情况下，缩小了封装尺寸。
多芯片封装结构输入/输出端口芯片第一表面重布线层第一端导电通孔第二表面堆叠放置芯片侧面芯片堆叠封装制造摆放

[发明专利]晶振的形成方法-CN201310449899.0有效
发明人： 江博渊;肖启明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种晶振的形成方法，包括提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面刻蚀第一衬底，形成真空腔和外部开口，其中真空腔的深度小于外部开口深度；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，其中，第一衬底厚度减去外部开口深度<减薄第一衬底厚度<第一衬底厚度减去真空腔的深度。本发明实施例提供的晶振形成方法工艺简便，工艺窗口宽。
形成方法

[发明专利]一种晶圆的切割方法-CN201410279926.9有效
发明人：李飞;金立中;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的切割方法，包括提供晶圆，所述晶圆包括器件晶圆和位于所述器件晶圆之上的封盖晶圆，所述器件晶圆上形成有对准图形，所述封盖晶圆包括若干工作区和位于所述工作区之间的分别沿第一方向延伸和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的若干切割道；将所述晶圆固定于切割承载盘上，使所述封盖晶圆位于上方；分别沿所述第一方向和所述第二方向对所述封盖晶圆的每个切割道两侧进行非穿透切割，以在所述切割道的两个边缘各形成一道半切割槽；在所述封盖晶圆表面上形成贴膜；去除贴膜，以移除封盖晶圆上的切割道内的材料。根据本发明的方法，有效避免封盖晶圆切割过程中产生的碎屑对器件晶圆造成的影响，提高了器件的性能和良率。
一种切割方法

[实用新型]芯片-CN201620242976.4有效
发明人：费春潮;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种芯片。所述芯片包括芯片本体及位于所述芯片本体上的椭圆形凸块，所述椭圆形凸块的长轴指向所述芯片本体的中心。由此也即使得椭圆形凸块的长轴与芯片的层间应力，尤其是剪切力的方向相一致，从而可以降低层间应力对芯片的破坏力度，提高了产品的可靠性。
芯片

[发明专利]晶圆的清洗方法-CN201410307467.0在审
发明人：肖启明;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆的清洗方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有第一表面，所述第一表面具有多个芯片；提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆具有第二表面，所述第二表面具有与所述器件晶圆中的芯片一一对应的多个凹槽；将所述覆盖晶圆与所述器件晶圆键合，使所述覆盖晶圆的凹槽与所述器件晶圆的芯片对应键合，且形成多个空腔结构；对键合后的所述覆盖晶圆进行切割，使各空腔结构分立；在进行所述切割工艺之后，将所述第一表面朝下设置；对所述空腔结构外表面和朝下设置的所述第一表面进行清洗。所述晶圆的清洗方法能够使得清洗后的晶圆更加干净，提高晶圆上芯片的良率。
清洗方法

[发明专利]芯片制造工艺和芯片-CN201410209548.7在审
发明人：俞颖;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片制造工艺和芯片。芯片制造工艺包括对晶圆钝化层进行平坦化处理。由于对晶圆钝化层进行平坦化处理后，晶圆钝化层的表面更为平坦、凹凸感降低、细小凹槽得以消除，因而使得沉积在晶圆钝化层上的金属层与晶圆钝化层连接更加稳固、均匀，从而避免金属层松动，并解决了金属层沿着晶圆钝化层的凹槽向外延伸与周围金属层导通而导致芯片短路的问题，进而保证了芯片的成品质量和使用可靠性。同时，本申请中的芯片制造工艺具有工艺简单、制造可靠性高的特点。
芯片制造工艺

[发明专利]晶圆的切割方法和MEMS晶圆的切割方法-CN201410133505.5在审
发明人：肖启明;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的切割方法和MEMS晶圆的切割方法，在MEMS晶圆的切割方法中，在沿列方向延伸的切割道内形成沿列方向的第一凹槽；在沿行方向延伸的切割道内形成沿行方向的第二凹槽；形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分别沿所述第一凹槽和第二凹槽继续切割所述第二晶圆，直至切割透所述第二晶圆。上述技术方案中，在形成第二凹槽后，可有效移除部分形成第一凹槽和第二凹槽后，产生的第二晶圆的残留粉末，从而有效减少后续切割透第二晶圆后，散落在第一晶圆上的粉末，降低第一晶圆被残留粉末的污染程度。
切割方法 mems

[发明专利]晶圆的分割方法-CN201410131256.6在审
发明人：郭亮良;邱慈云;吴秉寰;刘煊杰;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种晶圆的分割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片区域和位于相邻芯片之间的切割道区域，所述晶圆上具有介质层；刻蚀切割道区域上的介质层和部分厚度的晶圆，在介质层和晶圆中形成若干沟槽；在所述介质层上形成胶带层，所述胶带层封闭所述沟槽开口；进行膨胀工艺，将所述晶圆沿切割道区域分裂成若干芯片。本发明的分割方法通过刻蚀工艺和膨胀工艺的结合，可以在切割道宽度较小的情况下实现晶圆的分割，分割进度较高，并且分割的成本较低，相比较于激光切割工艺节省了大约28%的制作成本。
分割方法

[发明专利]一种WLCSP晶圆背面减薄工艺-CN201310747513.4在审
发明人： 江博渊;肖启明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明记载了一种WLCSP晶圆背面减薄工艺，应用于晶圆级芯片尺寸封装工艺中，通过于待减薄晶圆的正面边缘处的表面形成与凸块高度相当的起物理支撑作用的黏合物层，在对该待减薄晶圆进行减薄时，黏合物层可以起到支撑晶圆边缘的作用，还能起到与保护层粘附的作用，并在对该晶圆进行减薄后去除该支撑结构，从而有效避免了在对晶圆背面进行减薄工艺时晶圆边缘发生崩裂的现象，且进一步提高了晶圆减薄的自由度，进而提高了WLCSP封装的效率。
一种 wlcsp 背面工艺

[发明专利]晶振的形成方法-CN201310439580.X有效
发明人：肖启明;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种晶振的形成方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；沿第一表面形成若干硅通孔和真空腔，其中所述硅通孔围绕所述真空腔，且所述硅通孔深度大于真空腔深度；在所述硅通孔内填入填充物形成切割标记；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有振动晶体；将第一衬底与第二衬底键合，所述真空腔正对振动晶体；沿第二表面减薄第一衬底，直至暴露出所述切割标记；沿所述切割标记对所述第一衬底进行切割。本发明实施例提供的晶振形成方法工艺简便，切割精度高。
形成方法

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