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[发明专利]处理装置、程序及半导体器件的制造方法-CN202180094576.7在审
发明人： 末吉雅子;野村诚;久田拓 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。具备：存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对衬底进行加热的加热器的设定值和对上述衬底进行加热的灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及执行上述工艺配方的控制部，上述控制部构成为，根据与上述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在上述温度控制表中进行检索，将针对与上述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为上述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
处理装置程序半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN201880052010.6在审
发明人：野村诚;水口靖裕;齐藤一人;余川孝士;白川真人;末吉雅子 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种构成。该构成具有：处理容器，其构成处理气体被进行等离子体激励的等离子体生成空间和与等离子体生成空间连通的基板处理空间；等离子体生成部，其具有以包围等离子体生成空间的方式配置并且以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈和向该线圈供给高频电力的高频电源；气体供给部，其向该等离子体生成空间供给处理气体；温度传感器，其设置在处理容器的外侧，对该处理容器的温度进行检测；以及控制部，其以在执行用于对基板进行处理的处理制程之前，使由温度传感器检测到的处理容器的温度落在由预先设定的上限值及下限值规定的目标温度的范围内的方式进行控制。
处理装置半导体器件制造方法程序