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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多栅极晶体管的结构及其制造方法-CN03153008.7有效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种多栅极晶体管的结构及其制造方法，此结构包括一垂直半导体鳍状体、一栅极介电层、一栅极电极与一源极与一漏极。半导体鳍状体位于一基材上方，基材包括覆盖于一蚀刻终止层上方的一第一绝缘层，第一绝缘层在半导体鳍状体底部形成一底切，栅极介电层位于半导体鳍状体表面，栅极电极位于栅极介电层表面，而源极与漏极分别座落于栅极电极两侧，并位于半导体鳍状体中。
栅极晶体管结构及其制造方法

[发明专利]具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法-CN03107972.5有效
发明人： 杨育佳;林俊杰;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供一硅基底；在该硅基底上磊晶成长一硅缓冲层及一应变Si_(1－x)Ge_(x)通道层，其中该应变Si_(1－x)Ge_(x)通道层处于双轴压缩应变情况下；在该应变Si_(1－x)Ge_(x)通道层上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一栅极电极；以及在该栅极电极两侧形成一源极/漏极。
具有应变硅锗层磊晶场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]鳍状半导体二极管结构-CN03133232.3有效
发明人： 杨育佳;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种鳍状半导体二极管结构，其包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件。该半导体鳍状体位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域和第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体的两侧，第一导电件接触该第一重掺杂区域，第二导电件接触该第二重掺杂区域。该第一重掺杂区域和第二重掺杂区域之间还可包括一轻掺杂区域。
半导体二极管结构

[发明专利]具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法-CN200410003877.2有效
发明人： 杨育佳;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-02-10 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构包含，一基材，一埋入绝缘堆栈层覆盖于基材之上，与一半导体层覆盖于埋入绝缘堆栈层之上。此基材包含一硅基材。而埋入绝缘堆栈层包含至少一凹陷抵抗层覆盖于一第一介电层。半导体层由硅、应变硅或硅锗材料所构成。埋入绝缘堆栈层更可包含由氧化硅所构成的一第二介电层覆盖于凹陷抵抗层。而第一介电层由氧化硅所构成。此结构的制造方法利用晶圆结合与分离的制程，以形成具有凹陷抵抗层在绝缘层上有半导体的基材上。
具有凹陷抵抗埋入绝缘层上有半导体结构及其制造方法

[发明专利]应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法-CN03153954.8有效
发明人： 杨育佳;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构及其制造方法。首先提供一标的晶圆和一施体晶圆，施体晶圆包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶圆黏着标的晶圆的表面后，将应变半导体层自施体晶圆分离，使应变硅层黏结至标的晶圆。
应变半导体绝缘基底及其制造方法

[发明专利]具有晶格不相称区的变形沟道晶体管结构及其制造方法-CN200310103815.4有效
发明人： 杨育佳;林俊杰;李文钦;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-11-06 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有晶格不相称区的变形沟道晶体管结构及其制造方法。此晶体管结构包括一具有变形沟道区的基底，该基底包含第一自然晶格常数的第一半导体材料，于一表面，一栅极介电层覆盖此变形沟道区，一栅极电极覆盖此栅极介电层，且一源极区与漏极区位于此变形沟道区的相对邻近处，此源极区与/或漏极区包含一晶格不相称区，该晶格不相称区包含第二自然晶格常数的第二半导体材料，此第二自然晶格常数与第一自然晶格常数相异。
具有晶格不相称变形沟道晶体管结构及其制造方法

[发明专利]绝缘体上半导体芯片及其制造方法-CN03152267.X有效
发明人： 杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种绝缘体上半导体(Semiconductor－On－Insulator)芯片及其制造方法，本发明提供平台隔离(MesaIsolation)设置于硅膜覆盖的绝缘体上半导体芯片的一部分上，用以隔离硅膜。本发明的隔离结构还可包含传统的隔离结构，例如浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation；STI)，借以隔离硅膜。此外，本发明还提供具有多重硅膜厚度的绝缘体上半导体芯片的隔离结构的制造方法。
绝缘体上半导体芯片及其制造方法

[发明专利]半导体鳍式元件的接触窗及其制造方法-CN200410007241.5有效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体鳍式元件的接触窗(Fin DeviceContact)及其制造方法，此半导体鳍式元件的接触窗位于半导体鳍的上表面、两侧壁表面及/或至少一端表面上，而与半导体鳍式元件的源极/漏极之间具有相当大的接触面积。
半导体元件接触及其制造方法

[发明专利]具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法-CN200410000470.4有效
发明人： 杨育佳;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。
具有平台隔离应变通道场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]多重闸极介电层的结构及其制造方法-CN03153952.1有效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供多重闸极介电层的制造方法及其结构。其中一种方法是为于具有原生氧化层的半导体基底上沉积一高介电常数介电层，其介电常数大于8。之后，移除高效能组件区的高介电常数介电层，使高介电常数介电层做为低漏电流组件区的一闸极介电层的一部分。
多重闸极介电层结构及其制造方法

[发明专利]多重栅极结构及其制造方法-CN200310101713.9有效
发明人：陈豪育;杨育佳;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明是关于一种多重栅极结构及其制造方法，其结构包括：复数个鳍型半导体层，沿一第一方向大体平行地排列，且由复数个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体层的部分表面上，且于栅极导电层与其所覆盖的上述鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层，其中此栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的此等鳍型半导体层的底面。
多重栅极结构及其制造方法

[发明专利]使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器-CN03123843.2有效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种使用多栅极晶体管的互补式金属氧化物半导体晶体管反向器，该互补式金属氧化物半导体晶体管反向器包含：至少一第一多栅极晶体管，该第一多栅极晶体管包含一第一源极连接至一电源供应器，一第一漏极连接至一输出端，以及一第一栅极电极；至少一第二多栅极晶体管，该第二多栅极晶体管包含一第二源极连接至一接地端，一第二漏极连接至该输出端，以及一第二栅极电极；以及一输入端，连接至该第一栅极电极与该第二栅极电极。
使用栅极晶体管互补金属氧化物半导体反向

[发明专利]整合型晶体管及其制造方法-CN200310113625.0有效
发明人：陈豪育;杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明是一种整合型晶体管及其制造方法，主要提出制作一完全空乏晶体管的方法，并且将完全空乏晶体管、部分空乏晶体管与多重栅极晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当上述多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，上述多重栅极晶体管便是完全空乏。
整合晶体管及其制造方法

[发明专利]具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元及其制造方法-CN200310101955.8有效
发明人： 杨育佳;胡正明;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提出一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元，借由使用多重栅极晶体管，例如双重栅极晶体管、三重栅极晶体管和Ω形多重晶体管，来改变晶体管的通道宽度，并同时提高下拉晶体管和存取晶体管的β比值。本发明并提出一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元的制造方法。
具有多重栅极晶体管静态随机存取存储单元及其制造方法

[发明专利]具有多重闸极及应变的通道层的晶体管及其制造方法-CN03153891.6有效
发明人： 杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-27 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有多重闸极及应变的通道层的晶体管的结构包括由垂直型半导体层构成的源极、汲极和通道区所构成的晶体管，以及用以使通道区中具有一应变的应力层。其中，闸极绝缘层位于垂直型鳍形半导体层的通道区表面，闸极电极位于闸极绝缘层上，并包覆对应于通道区的垂直型鳍形半导体层的两侧壁和一顶面。此外，本发明并提供具有多重闸极及应变的通道层的晶体管的制造方法。
具有多重应变通道晶体管及其制造方法

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