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[发明专利]一种提高发光效率的LED结构-CN201410028190.8无效
发明人：张宁;任鹏;刘喆;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光效率的LED结构，该LED结构为，在衬底上依次沉积有缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层、多量子阱、p型氮化铝镓层、p型氮化镓层、接触层以及之上的p电极，以及n型氮化镓层与其上的n电极，所述多量子阱由多个量子阱和量子垒交替形成，且在沿n型导电氮化镓层到p型氮化铝镓层的方向上，多量子阱内的量子垒的厚度逐步减小。本发明通过改变沿n型层到p型层方向上量子垒的厚度解决目前存在的LED中空穴分布不均匀造成发光效率低下的问题。
一种提高发光效率 led 结构

[发明专利]LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路-CN201410010264.5有效
发明人：刘磊;赵丽霞;安平博;朱石超;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路。该LED恒流PWM驱动电路包括：三端双向开关电路，与交流电源相连接，用于将交流电源提供的正弦交流信号转换成正弦斩波波形信号；PWM波形信号产生电路，与所述三端双向开关电路相连接，用于利用所述正弦斩波波形信号产生PWM波形信号；LED恒流驱动电路，与所述PWM波形信号产生电路相连接，用于利用所述PWM波形信号控制LED光源的导通和关断，从而实现LED的恒流PWM驱动。本发明中，三端双向开关电路直接驱动负载为阻性负载，不是容性负载，因而该技术方案能保证高功率因子，不会影响整个电网的质量。
led 恒流 pwm 驱动电路基色

[发明专利]氮化镓激光器腔面的制作方法-CN201310637212.6有效
发明人：田迎冬;董鹏;张韵;闫建昌;孙莉莉;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
氮化激光器制作方法

[发明专利]一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法-CN201310713492.4无效
发明人：梁萌;杨华;刘志强;郭恩卿;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括下列步骤：在第一基板上生长氮化镓外延膜，所述氮化镓基外延膜包含但不限于n型氮化物、有源层、p型氮化物；然后通过制作隔离槽，把氮化镓基外延膜分离成氮化镓基单元器件；以金属层作为金属中间层，并通过金属中间层将待剥离的单元器件与第二基板相结合；不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。本发明实现了氮化镓基外延膜的选区剥离，把部分芯片转移到第二衬底上，随后可用于器件的晶圆级封装，提高了装配的灵活性和封装效率，降低了成本。
一种氮化外延选区激光剥离方法

[发明专利]一种测量LED内量子效率的方法-CN201310616446.2有效
发明人：魏学成;赵丽霞;张连;于治国;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。
一种测量 led 量子效率方法

[发明专利]一种LED散热结构-CN201310627481.4无效
发明人：郑怀文;杨华;卢鹏志;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED散热结构，包括LED芯片、散热材料、粘结层和散热基板，其中，散热材料形成于LED芯片的侧面，且LED芯片的底面及散热材料通过粘结层粘结于散热基板之上。利用本发明，由于增加了散热面积，降低了平面的热流密度，增加了平面热流密度的均匀度，所以能够解决现有的LED照明设备散热效果不佳的问题。
一种 led 散热结构

[发明专利]可控皮秒双波长光纤激光器-CN201310626073.7有效
发明人：孙伟;林学春;于海娟;张玲;晏诗恋;李梦龙;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：发明提供了一种可控皮秒双波长光纤激光器。该可控皮秒双波长光纤激光器利用多个锁模器件共用一个增益光纤实现不同波长的锁模脉冲激光输出，靠偏振的特性实现对皮秒输出的可控，可以通过调制各不同谐振腔内的两个偏振控制器实现激光输出或抑制振荡。
可控皮秒双波长光纤激光器

[发明专利]制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法-CN201310553600.6有效
发明人：李璟;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。
制作倒装集成 led 芯片级光源模组方法

[发明专利]芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法-CN201310585931.8有效
发明人：谢海忠;张连;宋昌斌;姚然;薛斌;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。
芯片尺寸级晶圆发光二极管制作方法

[发明专利]制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法-CN201310553763.4有效
发明人：李璟;杨华;薛斌;王国宏;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。
制备晶圆级全彩 led 显示阵列方法

[发明专利]晶圆级微透镜压印成型方法-CN201310585537.4无效
发明人：谢海忠;王莉;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：一种晶圆级微透镜压印成型方法，包括以下步骤：步骤1：将半导体发光二极管芯粒固定在晶圆级基板上；步骤2：在晶圆级基板和芯粒上方涂覆均匀的光敏胶；步骤3：将晶圆级基板、芯粒及涂覆有光敏胶一起固化；步骤4：固化完成后，在光敏胶的表面光刻、曝光，形成掩膜图形；步骤5：显影、刻蚀，将光敏胶刻蚀成半球形透镜，完成制备。本发明可以大大提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大规模的产业化制作微透镜。
晶圆级微透镜压印成型方法

[发明专利]植物补光发光二极管的制作方法-CN201310585913.X无效
发明人：谢海忠;宋昌斌;姚然;卢鹏志;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种植物补光发光二极管的制作方法，包括在衬底的表面打通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底清洗；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧及中间向下刻蚀，形成第一台面和第二台面，该第一、第二台面的中心处有一通孔；制作N型电极；制作P型电极；在ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，形成两个独立的芯片；用一丝网固定在其中的一个芯片表面，遮挡芯片；涂覆荧光粉；烘烤，完成制备。本发明的芯片上能解决植物光合作用需求的光。比原来植物生长LED光源大大节约成本和能量。
植物发光二极管制作方法

[发明专利]氮化镓系发光二极管及制备方法-CN201310566095.9无效
发明人：马平;刘波亭;甄爱功;郭仕宽;纪攀峰;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种氮化镓系发光二极管及制备方法，其中氮化镓系发光二极管包括：一衬底：一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面；一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层台面以外的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上，其下表面与铝铟镓氮薄层接触；一p型接触层，该p型接触层生长在p型电子阻挡层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上。本发明可以减少施主基能团的引入，提高镁的掺杂效率，从而增加p型氮化镓的空穴浓度。
氮化发光二极管制备方法

[发明专利]优化配置的多腔室MOCVD反应系统-CN201310477594.0无效
发明人：纪攀峰;马平;王军喜;胡强;冉军学;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种优化配置的多腔室MOCVD反应系统，包括：一独立与外界通过手套箱等隔离的箱体；多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于该箱体之内，分别用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长，该多个独立的生长室中的每个生长室都设有独立的加热源、独立的气体原材料管路、独立的监控系统；该多个独立的生长室分别采用独特的反应室设计，使之适用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的不同生长工艺的材料生长；并且用于n型层外延材料、多量子阱有源层、和p型层外延材料的反应室的装机容量和数量是不同的；一机械臂，该机械臂位于该箱体底面的中部，该多个独立的生长室环绕于该机械臂的周围，使用该机械臂进行样品的传递。
优化配置多腔室 mocvd 反应系统

[发明专利]一种带有大面积纳米图形的蓝宝石模板制作方法-CN201310514197.6无效
发明人：杜成孝;魏同波;吴奎;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有纳米图形的蓝宝石模板制作方法，包括：选择蓝宝石衬底模板；在所述蓝宝石衬底模板上旋涂光刻胶，并在所述光刻胶上铺单层密排自组装纳米球；对单层密排自组装纳米球进行曝光，然后去除单层密排自组装纳米球并显影，最终获得带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板；在带有孔洞图形光刻胶的蓝宝石模板上覆盖掩蔽层；然后剥离所述光刻胶上的掩蔽层并清洗掉光刻胶，获得带有掩蔽柱图形的蓝宝石模板；将所述掩蔽柱图形转移至所述蓝宝石衬底，最终获得带有纳米图形的蓝宝石模板。本发明公开的上述制作方法工艺简单、成本低廉，且利用自然光刻技术制作了尺寸可控的纳米图形蓝宝石(sapphire)模板。
一种带有大面积纳米图形蓝宝石模板制作方法