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[发明专利]一种减小ACF功率管体二极管导通时间的控制方法-CN202010782917.7有效
发明人：孙伟锋;曹宇;邹昊宸;于沐鑫;陈明刚;徐申;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小ACF功率管体二极管导通时间的控制方法，属于发电、变电或配电的技术领域。该方法检测与ACF中辅助绕组电压的过零点，在辅助绕组电压反向过零时导通主开关驱动电路，在辅助绕组电压正向过零时导通钳位开关管，通过包括电压过零比较器、边沿检测模块、主开关管驱动电路和钳位开关管驱动电路的控制电路，通过有源钳位反激变换器辅助绕组电压的正向过零信号和反向过零信号分别得到钳位开关管导通信号和主开关管导通信号，能有效避免体二极管导通，从而提高有源钳位反激变换器的工作效率。本发明方案简单易行、成本低，能够减小体二极管导通损耗，提高了电路工作效率。
一种减小 acf 功率管二极管时间控制方法

[发明专利]解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管-CN201910327603.5有效
发明人：祝靖;朱桂闯;李少红;张龙;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。
解决反向恢复失效逆导型横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种原边调制的非对称半桥反激变换器的恒流控制方法-CN202110389304.1有效
发明人：徐申;施嘉伟;陆天伦;李辉;陈明刚;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种原边调制的非对称半桥反激变换器的恒流控制方法，基于包括原边电流采样模块，采样电流计算模块，误差计算模块，PID模块以及PWM驱动模块的控制系统实现，该控制系统与受控的反激变换器构成闭环；原边电流采样模块通过在反激变换器的原边串联电阻，得到整流后的原边电流、续流管刚导通时电阻的电压与主功率管刚导通时电阻的电压，经由采样电流计算模块、误差计算模块、PID模块和PWM驱动模块产生主功率管的控制信号。该发明能在负载或输入电压变化时稳定输出电流，同时不需要增加额外的光耦、隔离运放等器件，可降低成本、减小电路体积。
一种调制对称半桥反激变控制方法

[发明专利]一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法-CN202111230806.6在审
发明人：魏家行;徐航;隗兆祥;付浩;薛璐洁;王恒德;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明是一种混合石墨烯电极的半导体器件及其制造方法，该器件的元胞结构包括：N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，表面设有与N型外延层形成肖特基接触的石墨烯电极和金属电极，衬底下面设有与N型衬底形成欧姆接触的金属背电极。本发明的优点在于石墨烯具有极高的透光率和可调控的功函数，其与功函数较高的金属在N型外延层表面组成混合电极，可使器件的暗电流降低，噪音降低，灵敏度提高，检测弱信号能力增强，波长探测范围增大，性能稳定性提高。还可以降低器件正向导通状态时的开启电压，以及降低阻断状态下的泄漏电流，提高击穿电压。本发明器件可应用于光电领域和功率领域。
一种混合石墨电极半导体器件及其制造方法

[发明专利]降低三相史维斯电路边界处电流畸变的控制系统及方法-CN202011167780.0有效
发明人：钱钦松;毛世源;许胜有;杨兰兰;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明是一种降低三相Swiss电路边界处电流畸变的控制系统及其控制方法，该控制系统包括信号采样及处理电路、数字处理及控制电路及驱动单元。所述信号采样及处理电路包括电压采样及处理电路、电流采样及处理电路；所述数字处理及控制电路包括以数字计算单元为核心的数字比较器1、数字比较器2、锁存单元、控制单元；所述驱动单元接收来自控制单元的控制信号，并驱动Qa、Qb、Qc三个低频双向功率管。本发明可以有效得出电流超前电压的相位值，根据计算值检测出进入边界区的时刻，并通过优化双向谐波注入开关管的导通状态，有效减小了边界区的电流畸变，进而提高了功率因数。
降低三相史维斯电路边界电流畸变控制系统方法

[发明专利]一种基于缓存一致性行为的片上网络流量合成方法-CN201810337335.0有效
发明人：王学香;孙冲冲;蔡磊;齐志;郑阳;吴建辉;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于缓存一致性行为的片上网络流量合成方法。步骤为，将CPU、缓存和目录抽象为一个节点模型；经全系统仿真，统计片上网络架构中由缓存一致性约束产生的路由节点数据包收发情况；提取体现应用流量时间分布特性和空间分布特性的特征向量；基于特征向量，使用马尔科夫调制模型合成片上网络流量。本发明能够快速提供准确的片上网络流量，节约全系统仿真采集流量的时间，加速片上网络架构的探索进程。该方法合成的网络流量在时间分布和空间分布特性上与真实的网络流量一致，足以用来辅助片上网络架构的设计。
一种基于缓存一致性行为网络流量合成方法

[发明专利]有源钳位反激变换器的控制系统及方法-CN201910538741.8有效
发明人：徐申;陈明刚;杨万青;王德进;蒋瑞;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，包括：驱动模块，用于对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制；主开关管电压采样电路，用于对所述主开关管的输入端和输出端间的压降进行采样；第一比较器，连接所述主开关管电压采样电路，用于判断采样到的第一采样电压是正电压还是负电压；死区时间计算模块，用于根据所述第一比较器的输出和当前周期的主开关管控制信号，对所述驱动模块输出的下一周期的钳位开关管控制信号进行调整。本发明能够对死区时间进行自适应控制，方案简单、易行、成本低，能够减小开关损耗、电流振荡和开关噪声。
有源钳位反激变控制系统方法

[发明专利]一种具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件-CN202111010568.8在审
发明人：张龙;崔永久;刘培港;马杰;骆敏;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上方设有氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层上方设有铝镓氮缓冲层，铝镓氮缓冲层上方设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上方设有铝镓氮势垒层和两端的源极及漏极，源极及漏极上方设有金属分别作为源极和漏极连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极金属与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方叠加有三层不同掺杂浓度的P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接P型氮化镓层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，源极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层。
一种具有栅极耐压漏电氮化功率器件

[发明专利]一种具有低饱和电流特性的氮化镓功率器件-CN202111011687.5在审
发明人：张龙;崔永久;马杰;骆敏;刘培港;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是一种具有低饱和电流特性的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底上方设有氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层、源极和漏极，作为连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极金属和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接铝镓氮势垒层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，本发明结构可以有效降低氮化镓功率器件的饱和电流，提高整个器件结构的安全性和可靠性。
一种具有饱和电流特性氮化功率器件

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201811583692.1有效
发明人：孙伟锋;娄荣程;肖魁;林峰;魏家行;李胜;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法-CN202110828889.2在审
发明人：吴汪然;李梦遥;杨光安;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述创新型结构IGZO薄膜晶体管包括：基底、背栅、背栅介电层、源极、漏极、IGZO层、顶栅介电层、顶栅极。所述背栅电极层水平位置上与漏区电极具有0.2μm的交叠长度，水平位置上距离源区电极18μm的长度；所述的IGZO有源层分为栅控区域的沟道区和非栅控区域的偏移区，沟道区长度20μm，偏移区长度0.1μm；所述的顶栅电极层水平位置上距离漏区电极0.1μm的长度，水平位置上与源区电极具有1μm的交叠长度。本发明制作的非对称双栅极IGZO薄膜晶体管，顶栅处偏移区的引入能够降低顶栅介电层中的峰值电场，提高器件的耐压特性。
一种 igzo 薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺-CN202110829213.5在审
发明人：张龙;袁帅;马杰;崔永久;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺，器件包括：P型硅衬底上设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上设有铝镓氮势垒层，再上设有金属源极、金属漏极和P型氮化镓层及金属栅极；在P型硅衬底内设有N型区域，所述金属漏极延伸穿过铝镓氮势垒层和氮化镓缓冲层并连接于N型区域，在金属漏极与氮化镓缓冲层之间设有氮化物钝化层并用于隔离金属漏极与氮化镓缓冲层。制备工艺包括：一，在P型硅衬底中形成N型区域；二，在P型硅衬底上生长氮化镓缓冲层；三，在氮化镓缓冲层上生长铝镓氮势垒层；四，在铝镓氮势垒层上形成P型氮化镓层；五，形成氮化物钝化层；六，分别淀积金属以形成金属源极、金属漏极和金属栅极。
具有雪崩能力氮化功率器件及其制备工艺

[发明专利]一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件-CN202011351448.X有效
发明人：刘斯扬;辛树轩;葛晨;李胜;张弛;钱乐;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件，该器件包括衬底(1)和第二介质层(23)，在衬底(1)上设有第一介质层(21)，在第二介质层(23)上设有第一半导体层(24)，第一半导体层(24)上设有第二半导体层(3)，第一半导体层(24)与第二半导体层(3)接触形成导电沟道层(25)，在第二半导体层(3)上设有金属源电极(7)、金属栅电极(8)和金属漏电极(9)，在第二半导体层(3)与金属栅电极(8)之间设有第三介质层(10)，其特征在于，在第一介质层(21)与第二介质层(23)之间设有雪崩层且雪崩层分别与金属源电极(7)、金属漏电极(9)连接。该器件具有雪崩能力，浪涌鲁棒性高。
一种雪崩冲击异质结半导体器件

[发明专利]一种Buck-Boost LLC两级变换器的能量反馈的轻载控制方法-CN202010876609.0有效
发明人：钱钦松;郑德军;刘琦;杨兰兰;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种Buck‑Boost LLC两级变换器能量反馈的轻载控制方法，属于发电、变电或配电的技术领域。在每个轻载工作周期，微控制器配置定时器进入能量反馈控制模式，并产生一组有相位差的原、副边侧开关信号，进而分别驱动原边侧的开关管与副边侧的整流管，使副边侧的端电压翻转，实现负载的能量通过谐振回路进而传递回源，由此降低输出电压。在进入能量反馈控制模式后，每个周期能量都会部分反馈回原边。本发明通过加入相位调节，解决轻载状态下输出能量过剩的问题，保证了输出电压的稳定性，提高了轻载状态下两级变换器的调压能力。
一种 buck boost llc 两级变换器能量反馈控制方法

[发明专利]一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管-CN201910370872.X有效
发明人：张龙;李安康;祝靖;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管，在维持电流能力，耐压能力不下降的前提下，减小第二个栅脉冲开启时流经器件的电流峰值。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成夹断区。P型体区表面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极由位于P型体区表面上方的第一栅电极和位于夹断区及N型漂移区上方的第二栅电极组成，第一栅电极接第一栅电阻，第二栅电极接第二栅电阻。
一种具有开启电流横向绝缘栅双极型晶体管