专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]产生电磁辐射的设备及方法-CN201910973178.7有效
  • 徐子正;杨棋铭;陈其贤;彭瑞君;刘恒信;林进祥 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-10-14 - 2022-07-12 - G03F7/20
  • 本发明实施例涉及产生电磁辐射的设备及方法。根据本发明的一些实施例,一种电磁辐射产生设备包含收集器、气体供应器及气体管道。收集器具有经配置以反射电磁辐射的反射表面。收集器包含底部部分、外围部分及介于底部部分与周边部分之间的中间部分。收集器的中间部分包含多个开口。气体供应器经配置以提供缓冲气体。气体管道与气体供应器及收集器连通,且经配置以使缓冲气体吹扫穿过中间部分的开口,以在收集器的反射表面附近形成气体保护层。中间部分的开口包含:多个孔,所述孔布置成包含多个孔行的阵列;或多个同心间隙。
  • 产生电磁辐射设备方法
  • [发明专利]曝光方法和曝光装置-CN201810825545.4有效
  • 李永尧;刘恒信;郭宏铭;彭瑞君 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-07-25 - 2021-06-08 - G03F7/20
  • 本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中,基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域的多个芯片区域的芯片区域位于晶圆的有效区域内时,芯片区域包括在聚焦控制有效区域中,并且当多个芯片区域的芯片区域的一部分或全部位于晶圆的有效区域的外围上或外部时,芯片区域包括在聚焦控制无效区域中。在曝光中,通过使用在聚焦控制有效区域处测量的聚焦调平数据来控制聚焦调平。
  • 曝光方法装置
  • [发明专利]用于避免污染的定向的极紫外集光器-CN201610820520.6有效
  • 苏健元;郭宏铭;赵国宏;彭瑞君 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-09-13 - 2018-10-12 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种具有定向的集光器反射镜的极紫外(EUV)辐射源以减少由燃料液滴碎片产生的污染。在一些实施例中,EUV辐射源具有向EUV源容器提供多个燃料液滴的燃料液滴发生器。主激光器配置为产生指向多个燃料液滴的主激光束。主激光束具有足够的能量以点燃来自多个燃料液滴的等离子体,等离子体发射出极紫外辐射。使配置为将极紫外辐射聚焦至EUV源容器的出口孔的集光器反射镜定向,以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。本发明实施例涉及一种极紫外辐射源、一种极紫外辐射源以及一种产生极紫外辐射的方法。
  • 用于避免污染定向紫外集光器
  • [发明专利]跟踪旋转晶圆吸盘-CN201210204062.5有效
  • 曾威翔;彭瑞君;何开发;陈和平;李家筠 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2012-06-15 - 2017-05-10 - H01L21/683
  • 本公开内容涉及一种晶圆吸盘,将该晶圆吸盘配置成将均匀的光刻胶层设置在工件上方。在一些实施例中,晶圆吸盘包括多个真空孔。多个真空孔(即,大于一个)与腔体流体连通,该腔体沿着真空孔之间的顶面连续延伸。将连接至每个真空孔的真空源配置成从工件下方的腔体去除气体分子,以留下低压真空。多个真空孔的使用增加了真空的均匀性,从而防止靠近任一具体真空孔形成高真空区域。高真空区域的减少降低了与高真空区域相关联的晶圆弯曲。
  • 跟踪旋转吸盘
  • [发明专利]在半导体装置中形成图案的方法及系统、以及半导体装置-CN201010113372.7有效
  • 李宏仁;彭瑞君;黄义雄 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-02-03 - 2010-12-08 - H01L21/027
  • 本发明公开了一种在半导体装置中形成图案的方法及系统、以及半导体装置,用以图案化一形成于晶片上的光致抗蚀剂材料层,以形成半导体装置。本发明的技术方案包括提供一种双波长曝光系统,其通过两种曝光操作,其中一种为具有一第一波长的第一辐射,另一种为具有一第二波长的第二辐射。不同或相同的光刻设备可用来产生该第一及第二辐射。形成于半导体装置的每一裸片,该图案的一关键尺寸部分用该具有一第一波长的第一辐射来曝光,而该图案的一非关键尺寸部分则用该具有一第二波长的第二辐射来曝光。同时对具有第一波长的第一辐射及具有第二波长的第二辐射感应的光致抗蚀剂材料是被选择来使用。本发明具有较高生产量层级。
  • 半导体装置形成图案方法系统以及
  • [发明专利]微电子装置及其制造方法-CN200710110247.9有效
  • 林建勋;杨安国;彭瑞君;郭耀文 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2007-06-08 - 2008-08-27 - G03F7/20
  • 本发明提供一种微电子装置及其制造方法。该微电子装置的制造方法包括使用光刻扫描器,以一第一速度,对基底上的虚设区进行曝光,使用光刻扫描器,以一第二速度,对基底上的虚设区进行曝光,其中第一速度大体上比第二速度快;另一实施例揭示微电子装置的另一制造方法,包括使用光刻扫描器,以一第一速度,对微电子装置的非关键层进行曝光,使用光刻扫描器,以一第二速度,对微电子装置的关键层进行曝光,其中第一速度大体上比第二速度快。通过本发明,可以利用不同的速度进行曝光,从而获得更佳的产量和质量。
  • 微电子装置及其制造方法

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