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[发明专利]一种高选择性且低泡的蚀刻液-CN202211573449.8在审
发明人：许真;张庭;贺兆波;李金航;武昊冉;李誉;董攀飞;叶瑞;罗海燕;刘春丽 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高选择性且低泡的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的蚀刻，并可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻。其中添加剂可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻，并在溶液体系中分散性好、不易起泡，可避免蚀刻过程不均匀。表面活性剂主要用于降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸润性。本发明所述的蚀刻液对二氧化硅层和多晶硅层具有高选择性；同时对二氧化硅层和氮化硅层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥12。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的二氧化硅层对多晶硅层和氮化硅层的蚀刻选择比要求。
一种选择性蚀刻

[发明专利]一种金蚀刻液-CN202111512488.2有效
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;张庭;冯凯;王书萍;李鑫;李金航;钟昌东;黎鹏飞;彭浩;余迪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种金蚀刻液。该蚀刻液由氧化剂、络合剂、增溶剂、pH缓冲剂、添加剂、氧化剂再生剂和去离子水组成。氧化剂为I2，络合剂为KI，增溶剂为极性有机溶剂，PH缓冲剂为多元酸盐，添加剂为含亲水基的芳香硝基化合物，氧化剂再生剂为吡咯烷酮类化合物。吡咯烷铜类化合物，与溶液中I‑发生氧化还原反应，将I‑氧化成I2，补充了被消耗的I2，使得药液中的I2和I‑处于动态平衡，从而延长了蚀刻液的寿命。因此本发明中的金蚀刻液能够维持稳定的蚀刻速率和寿命，同时蚀刻出均匀的金表面。
一种蚀刻

[发明专利]TiN去除液-CN202210674335.6有效
发明人：万杨阳;尹印;贺兆波;余迪;彭浩;张庭;冯凯;王书萍;钟昌东;李金航;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种TiN去除液。该去除液由氧化剂、pH缓冲剂、添加剂A、添加剂B和去离子水组成。氧化剂为H2O2，pH缓冲剂为有机酸及有机酸盐混合物，添加剂A为过硫酸盐，能够提高对TiN层的蚀刻速率，添加剂B为酚磺酸、醇类、金属掩蔽剂的混合物。其中TiN先被H2O2氧化成TiO2，再由水合氢离子将TiO2溶解。pH缓蚀剂通过调节溶液的pH，使其维持酸性环境，减缓了H2O2的分解，增强其稳定性，延长了蚀刻液寿命及对TiO2的溶解速率。添加剂A增强了TiN的蚀刻速率，使得TiN层能快速的去除，且没有残留。添加剂B的引入抑制了对Cu、Co、Al、W、TEOS的蚀刻，使得该去除液与Cu、Co、Al、W、TEOS膜层有很好的兼容性，TiN/（Cu、Co、Al、TEOS）选择比高。
tin 去除

[发明专利]一种铜钼蚀刻液及其制备方法-CN202211014276.6有效
发明人：钟昌东;贺兆波;张演哲;叶瑞;张庭;刘悦;黄锣锣;黎鹏飞;冯凯;尹印;王书萍;万杨阳;李金航;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜钼蚀刻液及其制备方法。在本发明中，双氧水，双氧水稳定剂，无机酸，螯合剂，蚀刻抑制剂，表面活性剂，有机碱和去离子水构成铜钼叠层的蚀刻液。蚀刻液对金属铜、钼进行蚀刻的过程中，蚀刻液对金属铜、钼的蚀刻速率基本一致，多层金属之间不会出现阶梯状形貌。蚀刻液中噻唑类蚀刻抑制剂可以以物理吸附或化学键的形式结合在金属表面形成一层薄膜，稳定并控制蚀刻液对不同金属的蚀刻速率；聚氧乙烯烷醇酰胺等表面活性剂和醇胺类有机碱的协同作用可以调节蚀刻液的粘度、表面张力等物理性质，协作改变蚀刻液在不同金属层上的浸润效果，从而调节蚀刻液对铜和钼的蚀刻速率一致，消除不同金属层间的蚀刻差异，提高产品良率。
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种磷酸基蚀刻液及其配制方法-CN202211696371.9在审
发明人：杜程;贺兆波;叶瑞;姜飞;张庭;冯凯;王书萍;班昌胜;冯帆 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种磷酸基蚀刻液其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑2%的添加剂，余量为水。本发明通过使用新型添加剂的成分及类型。明显抑制了蚀刻液蚀刻过程Si2+与晶圆表面结合，抑制SiO2再生层生成，提高磷酸基蚀刻液使用寿命。
一种磷酸蚀刻及其配制方法

[发明专利]一种电子级NMP提纯的方法-CN202310098302.6在审
发明人：欧阳克银;贺兆波;叶瑞;杜嬛;华超;张庭;王荣;彭俊杰;吴昊;吴文静;李晓宇;李琴 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C07D207/267 文献下载
摘要：一种电子级NMP提纯的方法，包括以下步骤：将金属离子与有机配体，在水或者有机溶剂中，按一定比例混合均匀；得到的混合物采用水热法、微波法、辐射合成等方法中的一种或几种在一定气氛下、温度、压力下反应一定时间，得到MOF；将所得MOF材料的一种或几种填充于吸附柱中，将NMP以一定流速注入吸附柱，并停留一定时间；将吸附柱出口收集处理后的NMP溶液，得到提纯后的NMP。本发明能够实现NMP溶液中绝大部分金属杂质的高效去除，能得到≥99.999%电子级NMP产品。
一种电子 nmp 提纯方法

[发明专利]一种防止侵蚀铝的缓冲氧化物蚀刻液-CN202211675960.9在审
发明人：李金航;张庭;贺兆波;武昊冉;许真;李誉;董攀飞;陈小超;刘春丽;邓爱华;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止侵蚀铝的缓冲氧化物蚀刻液，该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、有机溶剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于氧化层薄膜的蚀刻和清洗，并且可以防止对铝层的侵蚀。其中添加剂在改蚀刻液中具有较高的溶解度且容易分散，同时在铝膜表面能够形成稳定的保护效果；有机溶剂在HF体系中具有良好的溶解性，同时可以促进添加剂在蚀刻液中的溶解，避免低温下形成析出造成表面残留，同时一定的黏度提升可以改善铝膜表面的平整度，使表面粗糙度更低。本发明所述的蚀刻液大大提升了氧化层对铝层的蚀刻选择比，可满足PCB电路板引线构建中的蚀刻选择比要求。
一种防止侵蚀缓冲氧化物蚀刻

[发明专利]一种具有排料结构的冲压模具-CN202310200541.8在审
发明人：张庭 -专利权人：天长市捷俊精密模具有限公司
申请日： 2023-03-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B21D35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种冲压模具，具体地说，涉及一种具有排料结构的冲压模具。其包括冲压底座和设置在冲压底座上侧的上压件，冲压底座对需要冲压的钣金进行承接，上压件对放置在冲压底座上的钣金进行冲压，上压件在冲压冲压底座上放置的钣金时，对冲压完成的钣金上多余的边角进行裁切掉。本发明在对钣金冲压的时候，将钣金放置在冲压底座中，再通过裁切架的下移，使上冲压模块通过自重对钣金进行冲压，在上冲压模块冲压钣金的过程中，裁切架持续下移，并在下移的过程中对冲压过后多余的钣金进行裁切，并在裁切钣金的过程中，裁切架配合冲压底座对多余的钣金进行截断裁切，将多余的钣金分为多个部分，被冲压断裂的钣金从冲压底座中掉落出来。
一种具有结构冲压模具

[发明专利]一种黄精内生真菌抑制大肠杆菌剂及其制备方法和应用-CN202110802292.0有效
发明人：李晚谊;王元忠;李智敏;左智天;张庭;张霁;赵艳丽 -专利权人：云南省农业科学院药用植物研究所
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C12N1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种黄精内生真菌抑制大肠杆菌剂及其制备方法和应用，所述黄精内生真菌抑制大肠杆菌剂的生产菌株为黄精内生篮状菌(Talaromyces sp.)HJF 23，该菌株已于2021年4月9日保藏于中国典型培养物保藏中心，地址：中国武汉市武汉大学，保藏号为CCTCC NO：M2021344。利用本发明生产的抗大肠杆菌剂对大肠杆菌具有较好的防治效果，可用于大肠杆菌的生物防治。本发明具有原料成本低，生产工艺简单，防治效果好的优点，具有潜在和实际的应用前景。
一种黄精真菌抑制大肠杆菌及其制备方法应用

[发明专利]一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液-CN202310054778.X在审
发明人：武昊冉;张庭;贺兆波;李金航;叶瑞;李鑫;徐子豪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液，掺杂氧化硅包括磷硅玻璃、硼磷硅玻璃，主要的活性成分为氢氟酸、氟化铵、活性添加剂以及超纯水。本发明的蚀刻液中氢氟酸起到蚀刻的作用，氟化铵主要发挥缓冲的作用。表面活性剂降低溶液表面张力，增加对于固体表面的浸润性，在碳氮化硅表面形成一层保护膜，抑制了碳氮化硅的蚀刻，提高了掺杂氧化硅的蚀刻速率。两种添加剂的复配使用，不仅溶液界面张力低而且还具有良好的消泡性能，在蚀刻过程中不易产生气泡，提高了蚀刻的均匀性，降低了蚀刻后片子表面的粗糙度。蚀刻液选择比≥850；蚀刻后PSG薄膜表面平整，粗糙度Ra1.40nm。
一种选择性蚀刻掺杂氧化氮化

[发明专利]一种蚀刻硅片后清洗液-CN202111534816.9有效
发明人：李金航;李鑫;张庭;贺兆波;尹印;冯凯;王书萍;万杨阳;钟昌东;武昊冉 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种专用于蚀刻后的微米级孔穴结构的清洗液。该清洗液主要成分为氢氟酸、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的制备的清洗液表面张力极低，对孔穴结构有很强的钻蚀能力，更利于药液进入孔穴进行溶解清洗，并且孔内结构表面清洗后更加均一。其中添加剂在HF药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅和多晶硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低。表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，其表面张力可维持在25mN/m以内。本发明所述的清洗液可满足芯片结构制造中的＜10um孔径的孔内氧化物残留和多晶硅残渣的快速清洗，并保证结构的稳定性。
一种蚀刻硅片清洗

[实用新型]一种选矿用起泡剂定量加注装置-CN202222166863.9有效
发明人：王洋;王轩;赵彦杰;魏晓飞;张庭 -专利权人：陕西西北有色铅锌集团有限公司凤县分公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B03D1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种选矿用起泡剂定量加注装置，包括搅拌桶，所述搅拌桶的顶部设置有进料口，所述进料口的顶部安装有防尘盖，所述防尘盖的顶部安装有手把，所述搅拌桶的顶部设置有进水管，所述搅拌桶的底壁安装有潜水电机，所述潜水电机的输出端安装有转杆，所述转杆的外壁套接有固定件，所述固定件的外壁设置有螺纹槽，所述螺纹槽的内部螺纹连接有搅拌杆。本实用新型通过安装有潜水电机和搅拌杆，搅拌杆、固定件和转杆组合成固定架，使用者将固态起泡剂投入搅拌桶的内部，并向搅拌桶的内部加入定量的水，启动潜水电机转动搅拌架搅拌起泡剂和水，使其溶于水中，再从出料管排出投入浮选机的内部，无需使用者手动搅拌，减轻了使用者的工作负担。
一种选矿起泡定量加注装置

[发明专利]一种钛或钛合金的蚀刻液-CN202211697528.X在审
发明人：黄锣锣;贺兆波;叶瑞;张庭;钟昌东;张演哲;黎鹏飞;郑秋瞳;高楒羽 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛或钛合金的蚀刻液，所述包含占蚀刻液总重量10‑30%的双氧水、0.1‑10%的螯合剂、1‑8%的pH调节剂、3‑12%的pH缓冲剂，剩余为去离子水。本发明通过将pH缓冲剂引入钛金属蚀刻液中，使得在钛金属蚀刻期间可以有效地减缓蚀刻液中OH‑离子浓度的降低，钛金属蚀刻速率保持稳定，延长了蚀刻液的使用寿命。
一种钛合金蚀刻

[发明专利]一种氧化硅的选择性蚀刻液-CN202210794775.5有效
发明人：张庭;贺兆波;李金航;叶瑞;李鑫;武昊冉;徐子豪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化硅的选择性蚀刻液，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、抑制剂、添加剂以及超纯水。其对氧化硅膜层和金属膜层具有选择性蚀刻，通过抑制剂和添加剂的羰基、氨基和羟基基团的协同作用，在金属表面形成稳定的保护膜，选择性地蚀刻氧化硅，蚀刻选择比达到15以上，且金属层蚀刻后的表面粗糙度在4nm以下；同时本发明的蚀刻液可以快速润湿至深孔结构中，完全蚀刻深孔结构周围的氧化硅层。
一种氧化选择性蚀刻

[发明专利]一种铝蚀刻液中醋酸的检测方法-CN202111537569.8有效
发明人：李鑫;李金航;贺兆波;尹印;冯凯;钟昌东;倪高国;张庭;万杨阳;王书萍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N31/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝蚀刻液中醋酸的检测方法。配置醋酸溶液，磷酸、硝酸，作为标准样；将配制的标准样与铝蚀刻液待测液分别加入萃取剂，振揺后静置分层，弃去下层的水相，得到有机相；将有机相加水后，滴加氢氧化钠溶液，电位滴定仪测定pH为12时，停止滴加氢氧化钠，根据等当点时氢氧化钠的消耗量绘制标准曲线，横轴为消耗的氢氧化钠标准溶液的体积与其浓度之积，纵轴为样品中的醋酸的实际浓度，计算待测样中醋酸的浓度。在本发明中，使用固定质量或体积的待测液和萃取剂，只进行一次萃取，分液后量取一定质量的萃取相进行滴定处理，再将结果与事先绘制的滴定校正曲线匹配即可算出醋酸的准确浓度。
一种蚀刻醋酸检测方法